1.前言
低壓降穩(wěn)壓器 (LDO) 可為所有類型的應(yīng)用提供電源。但要使 LDO 正常工作,我們需要一個(gè)輸出電容器。在應(yīng)用中設(shè)計(jì) LDO 時(shí)的一個(gè)常見問題是選擇正確的輸出電容器。在這篇文章中,我將探討選擇輸出電容器時(shí)的不同考慮以及它可能如何影響我們的 LDO。
2.什么是電容器?
電容器是一種用于儲(chǔ)存電荷的裝置,由一對(duì)或多對(duì)由絕緣體隔開的導(dǎo)體組成。電容器通常由鋁、鉭或陶瓷制成。在系統(tǒng)中使用時(shí),這些材料中的每一種都有自己的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),如表 1 中所列。我通常推薦陶瓷電容器,因?yàn)樗鼈兊碾娙葑兓苄?,而且成本低?
3.什么是電容?
電容器是一種儲(chǔ)存電荷的裝置,而電容則是儲(chǔ)存電荷的能力。在理想情況下,寫在電容器上的值與其提供的電容量完全相同。但我們并不生活在一個(gè)理想的世界中,所以你不能以表面價(jià)值來衡量電容器。稍后我們將看到電容器的電容可能只有其額定值的 10%。這可能是由于直流電壓偏置引起的降額、溫度變化或制造商公差引起的降額。
4.直流電壓降額
考慮到電容器的動(dòng)態(tài)特性(以非線性方式存儲(chǔ)和耗散電荷),在不施加外部電場的情況下可能會(huì)發(fā)生某些極化;這被稱為“自發(fā)極化”。自發(fā)極化是由材料的惰性電場產(chǎn)生的,它使電容器具有初始電容。向電容器施加外部直流電壓會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電場,該電場會(huì)反轉(zhuǎn)初始極化,然后“鎖定”或?qū)⑵溆嘤性磁紭O子極化到位。極化與電介質(zhì)內(nèi)的電場方向有關(guān)。
如圖 1 所示,鎖定偶極子不會(huì)對(duì) AC 電壓瞬變做出反應(yīng);結(jié)果,有效電容變得低于施加直流電壓之前的值。
圖 1:直流電壓降額
圖 2 顯示了對(duì)電容器施加電壓的影響以及由此產(chǎn)生的電容。請(qǐng)注意較大的外殼尺寸如何損失較少的電容;這是因?yàn)檩^大的外殼尺寸在導(dǎo)體之間具有更多的電介質(zhì),這會(huì)降低電場強(qiáng)度并鎖定更少的偶極子。
圖 2:電容 vs. DC 偏置 vs. 電容尺寸
5.溫度降額
與所有電子產(chǎn)品一樣,電容器具有指定其性能的溫度額定值。這種溫度降額通??梢栽陔娙萜鞯臄?shù)值下方找到。表 2 是電容器的溫度系數(shù)額定值解碼器表。
第一個(gè)特征:低溫 |
第二個(gè)特點(diǎn):高溫 |
第三個(gè)特征:最大溫度變化 |
|||
特點(diǎn) |
溫度 (°C) |
特點(diǎn) |
溫度 (°C) |
特點(diǎn) |
改變 (%) |
和 |
10 |
2 |
45 |
一種 |
±1.0 |
和 |
-30 |
4 |
65 |
乙 |
±1.5 |
X |
-55 |
5 |
85 |
C |
±2.2 |
|
|
6 |
105 |
D |
±3.3 |
|
|
7 |
125 |
和 |
±4.7 |
|
|
8 |
150 |
F |
±7.5 |
|
|
9 |
200 |
磷 |
±10 |
|
|
|
|
電阻 |
±15 |
|
|
|
|
秒 |
±22 |
|
|
|
|
噸 |
+22, -33 |
|
|
|
|
你 |
+22, -56 |
|
|
|
|
伏 |
+22, -82 |
表2:陶瓷電容代號(hào)表
大多數(shù) LDO 結(jié)溫通常規(guī)定為 -40°C 至 125°C。基于這個(gè)溫度范圍,X5R 或 X7R 電容器是最好的。
如圖 3 所示,溫度本身對(duì)電容的影響遠(yuǎn)小于 DC 偏置降額,這可能會(huì)將電容值降低多達(dá) 90%。
圖 3:電容 vs. 溫度 vs. 溫度系數(shù)
6.制造商公差
由于實(shí)際電容器的非理想特性,電容值本身可能會(huì)根據(jù)電容器的材料和尺寸而變化。制造電容器和其他無源電子元件的公司將有一個(gè)通用標(biāo)準(zhǔn),說明其元件可以承受的電容值。在這篇文章中,我將在計(jì)算電容時(shí)使用 ±20% 作為制造公差。
7.一個(gè)真實(shí)的應(yīng)用
一個(gè)常見的 LDO 應(yīng)用是從 3.6V 電池獲取輸入電壓,然后將其壓降為微控制器 (1.8V) 供電。在本例中,我將使用 0603 封裝的 10μF X7R 陶瓷電容器。0603 封裝是指電容器的尺寸:0.06 英寸 x 0.03 英寸。
讓我們找出該電容器在此應(yīng)用中的真實(shí)電容值:
· 直流偏置降額:通過使用制造商提供的電容器直流偏置特性圖表(圖 2),我們可以看到電容值為 7μF。
· 熱降額:如果該電容器處于 125°C 的環(huán)境溫度,我們會(huì)看到電容值再下降 15%,使新的總數(shù)達(dá)到 5.5μF。
· 制造商容差:考慮到制造商的 ±20% 容差,電容的最終值為 3.5μF。
如我們所見,在這些條件下,10μF 電容器的真實(shí)值為 3.5μF。電容值下降到標(biāo)稱值的 65% 左右。顯然,并非所有這些條件都適用,但了解電容器可為我們的應(yīng)用提供的電容值范圍很重要。
8.結(jié)論
盡管 LDO 和電容器起初看起來很簡單,但還有其他因素在影響 LDO 正常工作所需的有效電容。
以前在工作中,同事遇到一個(gè)問題,LDO輸出接了一個(gè)負(fù)載,負(fù)載有低功耗和普通模式兩種工作模式,低功耗模式時(shí)正常,普通模式時(shí)工作也正常,但是從低功耗切換到普通模式時(shí),卻發(fā)生了異常,測量得到LDO的輸出電壓波形大約如下,綠色是...
關(guān)鍵字: LDO 低功耗 負(fù)載調(diào)整率