當(dāng)我開始工作時，我從事的首批電源之一是用于處理器內(nèi)核的大電流兩相降壓電源。電流為 40A——當(dāng)時相當(dāng)大，而且太高而無法在單級中實現(xiàn)。大多數(shù)電源設(shè)計人員希望多相應(yīng)用將高電流軌分成在功耗和尺寸方面更易于管理的級。我們還可以將相同的原理應(yīng)用于低電流系統(tǒng)，以大大減小尺寸，同時保持多相轉(zhuǎn)換器的其他優(yōu)點。
運行更快、體積更小、質(zhì)量更好 - 這是移動電源微電子設(shè)計者持續(xù)追求的目標(biāo)。作為消費者，我們都希望新一代的移動設(shè)備能提供比過去更強大更完善的功能，而且期待它比之前的設(shè)備更小更輕。
這意味著移動設(shè)備的電源管理芯片 (power management IC; PMIC)在占用較小PCB面積且維持較高轉(zhuǎn)換效率的同時還必須能提供更高輸出功率。此外，零件的尺寸和高度也是現(xiàn)代移動設(shè)備設(shè)計的關(guān)鍵參數(shù)。
事實上，這些限制越來越多。例如，使用于智能手機、平板電腦和上網(wǎng)本的最新一代ARM核應(yīng)用處理器需要高達20A的峰值電流。顯然，基于傳統(tǒng)單相架構(gòu)的DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器已不再適用。在手機中，零件的最大高度為1mm，甚至更低。在平板中，1.2mm也已經(jīng)是可接受的最高高度。在上網(wǎng)本中，這一高度也僅為1.5mm。這些限高都不允許DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器僅采用單一電感器，因為它的高度要高得多。所以唯一的方法就是將單相功率模塊(power stage)分割成每相約2.5A的多相轉(zhuǎn)換器，且每相采用一顆較小的電感器。
然而，電源電路設(shè)計上還存在另一個問題。在這些高峰值電流狀態(tài)下，每一毫歐姆(milliohm)的導(dǎo)通電阻(on-resistance)都會明顯地降低系統(tǒng)效率。以往的PMIC可能會集成每一個可能的功率模塊，以減少系統(tǒng)的零件數(shù)和成本。但是，當(dāng)芯片攜載高電流時，走線和焊接的需求會使得內(nèi)部功率模塊的效率相對較低。
同時，由于每相需要五條控制線，所以，采用控制器加外部功率晶體管的傳統(tǒng)架構(gòu)也不適用。以8相2.5A的20A電源而言，PMIC的引腳數(shù)和封裝尺寸就完全不能被接受，尤其是針對不僅具有CPU內(nèi)核而且也包含GPU (圖形處理單元)內(nèi)核的需要多組高電流供電的現(xiàn)代移動應(yīng)用處理器。
為了說明多相方法與傳統(tǒng)單級設(shè)計的比較，讓我們看一下 DDR4 內(nèi)存的電源設(shè)計。此設(shè)計的輸入電壓為 12V +/-10%，輸出提供 1.2V 電流，電流高達 6A。我將比較兩個 TI Designs 低功耗 DDR 存儲器電源參考設(shè)計，兩者都可以在 TI Designs 網(wǎng)站上找到。一種在兩相配置中使用 TPS62180，而另一種則 使用 TPS53513。圖 1 顯示了測試的兩塊板。
圖 1：TPS62180（頂部）和 TPS53513（底部）
兩相解決方案的總尺寸為 10mm x 15mm，而單相解決方案為 30mm x 15mm。我們可以進一步優(yōu)化這兩種解決方案的組件以減少空間，因為尺寸實際上是由磁性驅(qū)動的。兩相解決方案使用兩個 2mm×1.2mm 電感，而單相解決方案使用一個 7mm×6.5mm 電感。兩個較小的電感器占用的體積要小得多，成本也比單個電感器低。
顯然，我們可以通過采用多階段方法來減少空間。但是效率呢？圖 2 比較了兩種電源。
圖 2：TPS62180 和 TPS53513 的效率比較
兩相解決方案的滿載效率略低于 80%，而單相解決方案約為 87%。因此，大大縮小尺寸會降低效率。
從上圖中不清楚的一點是輕負(fù)載性能。兩相電源在 15mA 時的效率為 50%，而單相電源為 35%。這代表了 20mW 的功率損耗差異。雖然差異很小，但在便攜式應(yīng)用中，這可以延長電池壽命。
電源設(shè)計人員總是被迫做出更小、更高效的設(shè)計。通過采用兩階段方法，我們可以節(jié)省大量空間，但會犧牲滿載效率。如果效率仍然是最重要的因素，那么也有解決方案。無論多相架構(gòu)使用于何種配置，只有整合高功率輸出、高效率、小尺寸、以及分散分布損耗于一體，才能滿足新一代移動設(shè)備的新的嚴(yán)苛的需求。
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