華為稀缺旗艦手機(jī)再度開賣了，華為5G麒麟有望獲新生 ！

沒有5G的華為手機(jī)，就算是搭載麒麟芯片，給消費(fèi)者的感覺依然有一些缺憾。華為稀缺旗艦手機(jī)華為Mate40Pro，從上市以來就一直處于需要搶購的狀態(tài)，經(jīng)常是就算加價也一機(jī)難求。不過京東平臺上架了一部分華為Mate40Pro的貨源，這款華為稀缺旗艦手機(jī)再度開賣了。

華為Mate40Pro由于暫時還沒有迭代機(jī)型發(fā)布，所以是華為Mate系列中目前最強(qiáng)的機(jī)型，搭載的是麒麟9000芯片同時支持5G網(wǎng)絡(luò)。雖然華為Mate40Pro已經(jīng)上市一段時間，但是在消費(fèi)者心中依然是值得入手的旗艦手機(jī)。大家都知道華為在5G技術(shù)方面具備領(lǐng)先優(yōu)勢，而想要體驗到這個技術(shù)優(yōu)勢最簡單的方法就是使用華為Mate40Pro，同時麒麟9000芯片強(qiáng)大的性能和極低的功耗，也帶給消費(fèi)者完全不同的體驗。

這兩年芯片制程工藝的發(fā)展神速有些出乎所有人的預(yù)料，本以為在摩爾定律下，5nm制程工藝已經(jīng)是終點，卻沒想到臺積電的4nm制程工藝芯片研發(fā)如此之快，并成功在聯(lián)發(fā)科的天璣9000上面成功商用。

不僅如此，臺積電近期發(fā)布公告，3nm制程工藝芯片取得了突破性進(jìn)展，預(yù)計在今年8月份進(jìn)行量產(chǎn)，彼時蘋果和英特爾最有可能成為用上3nm芯片的第一批企業(yè)。

除此之外，臺積電還公布了關(guān)于2nm制程工藝芯片的研發(fā)進(jìn)展，臺積電表示，預(yù)計在2025年能夠?qū)崿F(xiàn)2nm制程芯片的量產(chǎn)，雖然僅僅是1nm的突破，但其中涉及的工作量卻是難如登天，傳統(tǒng)硅基芯片的發(fā)展已經(jīng)逐漸逼近重點。

那么，在2022年與2025年之間便產(chǎn)生了3年的真空期，雖然3nm及其以上的芯片可以滿足95%的使用需求，可這沒有技術(shù)突破的三年內(nèi)，又該通過何種方式來提高芯片性能，保證臺積電的優(yōu)勢呢?

如果這是以前，臺積電必然會從芯片材料、半導(dǎo)體技術(shù)工藝提升和集成電路進(jìn)一步壓縮三個方面下手，可如今面臨的問題是這些方案僅僅存在于理論中，實踐起來的難度并不比研發(fā)2nm制程芯片簡單，因此在這三年內(nèi)，整個半導(dǎo)體芯片制造市場的競爭可能會有所緩和。

近日有大V博主爆料，華為對外正式公開“關(guān)于芯片堆疊技術(shù)”的相關(guān)專利，它涉及到半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，能夠在保證供電需求的同時，解決因采用硅通孔技術(shù)而導(dǎo)致的成本高的問題。簡單說就是通過堆疊兩個同等制程工藝的芯片，來達(dá)到類似于7nm+7nm≈5nm的芯片性能。對此，外有兩個質(zhì)疑，第一，即使7nm制程，現(xiàn)在的晶圓代工廠商也不能為華為提供代工服務(wù)。第二，這項技術(shù)行得通嗎?

第一點，雖然中芯國際的14nm因制程節(jié)點采用了部分美國技術(shù)，而沒法為華為代工，但別忘了這次華為公開的專利是在2019年就開始申請的，這次公開就意味著華為已經(jīng)完成了基礎(chǔ)測試和實驗測試，堆疊芯片成品有望在18個月內(nèi)完成。而提前布局更是華為的一貫做法，我們有理由相信華為能夠解決這一問題。

記得此前華為輪值班董事郭平在華為2021年財報大會上就曾經(jīng)表示，“華為將通過多核設(shè)計、用面積換性能、芯片堆疊等方式，用不那么先進(jìn)的工藝，讓華為的產(chǎn)品在未來更具有競爭力。”在華為5G芯片得不到代工的時間里，華為無論是智能手機(jī)還是其他終端設(shè)備的業(yè)務(wù)都受到很大影響，市場占有率一路下滑。重新獲得穩(wěn)定的5G芯片供應(yīng)無疑是擺脫目前困境的最有效出路，可是受限于國產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)在生產(chǎn)工藝上的落后，想在國內(nèi)找到替代廠商幾乎是不可能完成的任務(wù)。要是通過堆疊工藝方式，讓非頂級的芯片實現(xiàn)高性能芯片的性能，對于華為將是最好的結(jié)果。

第二點，芯片堆疊技術(shù)已經(jīng)有成功的案例。

說到芯片堆疊技術(shù)，蘋果春季發(fā)布的M1 Ultra芯片無疑是目前公布的最先進(jìn)的堆疊移動端處理器。它將兩顆M1 Max芯片通過UltraFusion封裝架構(gòu)堆疊在一起，再利用硅轉(zhuǎn)接板，讓它擁有了20核CPU、64核GPU的恐怖配置，能提供每秒2.5TB的低延遲，同時功耗還降低了200瓦，實現(xiàn)了芯片性能的翻倍。此前臺積電曾公布過一項芯片堆疊技術(shù)——3D WoW硅晶圓堆疊技術(shù)。是以類似于3D NAND閃存多層堆疊的方式將兩層Die以鏡像方式垂直堆疊起來，通過先進(jìn)的封裝技術(shù)來提升芯片性能。

在芯片制造企業(yè)中，臺積電的技術(shù)最為先進(jìn)，不僅先進(jìn)制程芯片的產(chǎn)能高，關(guān)鍵是，良品率等也領(lǐng)先于其它廠商。數(shù)據(jù)顯示，由于三星4nm芯片的良品率不及預(yù)期，高通已經(jīng)將部分4nm芯片訂單轉(zhuǎn)給了臺積電。近日，臺積電方面正式就先進(jìn)制程芯片出貨給出了明確答案，情況是這樣的。都知道，3nm、2nm芯片將未來幾年最熱門的芯片之一，所以臺積電、三星等廠商都在爭相推出3nm、2nm等制程的芯片。其中，臺積電魏哲家已經(jīng)正式做出表態(tài)，3nm芯片將會在今年下半年正式量產(chǎn)，首批產(chǎn)能將會給蘋果、英特爾等廠商。

至于2nm制程的芯片，臺積電將會在2025年正式量產(chǎn)。魏哲家還明確表示，臺積電2022年的資本開支維持在400億美元到440億美元之間，這意味著在資本開支上，臺積電將首次超越三星。要知道，臺積電不能自由出貨后，魏哲家站出來明確表示，臺積電將會和客戶站一起解決問題，這是臺積電最大的優(yōu)勢。

據(jù)悉，臺積電7nm、5nm等芯片中，美技術(shù)占比僅為7%左右，而在3nm、2nm芯片中，臺積電使用美技術(shù)的比例應(yīng)該更低，畢竟，美還沒有能力量產(chǎn)此類芯片。但在3nm等芯片量產(chǎn)出貨方面，臺積電魏哲家表態(tài)卻不提華為，這難道是美芯計劃得逞了?其實，并非這么回事。

芯片規(guī)則被多次修改，凡是采用美技術(shù)的芯片企業(yè)，在沒有許可的情況下，均不能自由出貨。雖然臺積電5nm、3nm等芯片中的美技術(shù)占比不斷降低，但并沒有完全剔除美技術(shù)。而臺積電在芯片制造成過程用了ASML的EUV光刻機(jī)，這就意味著臺積電目前還無法完全避開美技術(shù)。所以，臺積電推出了更先進(jìn)的封裝技術(shù)，通過先進(jìn)的封裝技術(shù)來提升芯片的性能，還將2022年的資本開支提升到最高440億美元，目的也是加速先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。