工藝良率低于預(yù)期，三星3nm工藝或無法如期量產(chǎn)

在上周的財(cái)報(bào)會(huì)議上，臺(tái)積電高層再度公開明確，3nm工藝制程一切如期，將在下半年投入量產(chǎn)。

聽聞這一消息，相信作為首批客戶的蘋果、Intel等自然是喜上眉梢，而競(jìng)爭對(duì)手三星那邊廂，恐怕是心情復(fù)雜。

據(jù)Digitimes，三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期，這或許意味著公司需要更多的時(shí)間才能投入量產(chǎn)。

所謂GAA晶體管即環(huán)繞柵極晶體管，它取代的是FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，前者可以實(shí)現(xiàn)四邊充當(dāng)電流通道，二者則只有三邊。

三星本來想著通過搶占技術(shù)制高點(diǎn)“降維”打擊臺(tái)積電，沒想到后者堅(jiān)持在3nm使用FinFET后，結(jié)果更務(wù)實(shí)。

今年早些時(shí)候曾有報(bào)道稱，半導(dǎo)體設(shè)備巨頭Lam Research(泛林)向三星提供了用于3nm GAA芯片蝕刻相關(guān)的機(jī)器，三星希望在上半年完成全套工藝的質(zhì)量驗(yàn)證。