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[導讀]我們是否正在尋找驅動簡單的有刷直流電機?我們是否需要使用分立的 MOSFET 來驅動大量電流通過一個巨大的有刷電機而幾乎沒有時間進行開發(fā)?

我們是否正在尋找驅動簡單的有刷直流電機?我們是否需要使用分立的 MOSFET 來驅動大量電流通過一個巨大的有刷電機而幾乎沒有時間進行開發(fā)?

我們使用現(xiàn)成的柵極驅動器時,我們總是會看到如圖 1 所示的圖表:只需選擇兩個電阻器,(理論上)就可以使用了。

 

1:假設的柵極驅動器原理圖

 

只有一個問題:圖 1 不起作用。當半橋拉高時,低端 FET 將打開,我們需要將低端 FET 柵極保持在低電平以防止擊穿和損壞。相反,我們最終會使用圖 2 之類的東西來使電路正常工作,但是我們仍然必須減慢半橋上升時間。由于開關時間長,FET 會發(fā)熱。因此,如果不添加其他組件,我們將無法真正做出任何改進。

 

2:實際的柵極驅動器原理圖

 

在我看來,整個過程中最糟糕的部分是試錯電阻選擇。當我們必須繼續(xù)焊接和拆焊電阻器時,它確實會減慢整個設計的速度。(盡管我個人喜歡焊接和實驗室測試。)必須在每個之間進行電路板修改非常令人沮喪。單身的。測試。

正確的柵極驅動器確實可以使電機更容易旋轉。如果我們選擇正確的選項,它可以消除我所描述的問題。我們在 TI 稱之為“IDRIVE/TDRIVE”的特殊柵極驅動架構可以幫助解決我們的問題。該架構被稱為 IDRIVE/TDRIVE,因為這些是主要參數(shù):I DRIVE是柵極驅動電流,t DRIVE I DRIVE處于活動狀態(tài)的時間。

 

3:IDRIVE/TDRIVE 門極電流(教訓:不要讓工程師命名)

 

驅動器無需外部柵極電阻器來限制柵極驅動電流,而是可以在內部控制柵極電流。我們可以通過簡單地使用引腳或通過串行外圍接口 (SPI) 寄存器來設置柵極驅動電流,具體取決于器件。我們會在數(shù)據(jù)表上看到零柵極電阻器(如圖 4 所示),因為沒有它們,器件也能正常運行。

 

4:IDRIVE/TDRIVE 實際原理圖

 

沒有柵極電阻器的最大優(yōu)勢之一是柵極驅動器可以在 FET 柵極上施加強下拉。當高側 FET 開啟且相位節(jié)點向上擺動時,低側 FET 柵漏電容 C GD會將相位節(jié)點上升沿耦合到 FET 柵極。在圖 1 中,柵極驅動器在保持柵極下拉的能力方面受到限制。在圖 3 中,這種新的柵極驅動架構可以對低側柵極施加強下拉,同時在我們想要打開或關閉 FET 時仍允許更溫和的柵極充電/放電電流。

如果柵極驅動電流在引腳上可調,則可以通過使用單個電阻器或通過數(shù)模轉換器 (DAC) 強制施加電壓來對其進行修改。如果可以通過 SPI 調節(jié),你可以寫一個寄存器來改變電流。IDRIVE/TDRIVE 允許我們隨時修改柵極驅動電流,即使在我們驅動電機時也可以隨時修改。

IDRIVE/TDRIVE 可以輕松地在系統(tǒng)中試驗柵極驅動電流,而無需在試驗之間拆焊多個無源元件。下面的圖 5 顯示了DRV8701在不同柵極驅動電流設置下的一些曲線圖。

IDRIVE/TDRIVE 架構目前可用于多種設備:

· DRV8701刷直流電機柵極驅動器。

· DRV8711刷直流電機或步進柵極驅動器。

· DRV8308無刷直流電柵極驅動器。

 

 

5: DRV8701評估模塊上的 IDRIVE/TDRIVE 柵極驅動設置和相關上升時間

 

因此,請繼續(xù)跳過電機驅動器柵極驅動設計中的挫折,并查看 IDRIVE/TDRIVE 架構?;ǜ俚臅r間處理我們 MOSFET,而花更多的時間旋轉我們的電機!要了解有關增強功率 MOSFET 背后的理論和方法、如何在 TI 電機柵極驅動器中實現(xiàn) IDRIVE 和 TDRIVE 功能以及系統(tǒng)級優(yōu)勢的更多信息,請下載應用說明。



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