Qorvo推出新型 1200V 第 4 代 SiC FET

Qorvo 擴展了其 1200V 產(chǎn)品系列，并將其第 4 代SiC FET技術擴展到更高電壓的應用。

新型 UF4C/SC 系列 1200V 第 4 代 SiC FET 非常適合EV車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC太陽能逆變器、焊機、不間斷電源和感應加熱應用。

UnitedSiC（現(xiàn)為 Qorvo）工程副總裁 Anup Bhalla 對電力電子新聞表示：“在大流行期間，我們完成并開始發(fā)布我們的第 4 代技術，我們來到 PCIM 介紹我們的 1200V 第 4 代技術?！?

他還告訴我們：“發(fā)生的另一件大事是，10 月 21 日，UnitedSiC 被 Qorvo 收購。我們還在這里展示 Qorvo 在收購 United SiC 之前一直在做的事情，并展示潛力在哪里。“

關于未來，Anup Bhalla 說：“盡管發(fā)生了大流行，但 SiC 在過去一兩年里確實起飛了。但是，業(yè)務增長如此之快的事實意味著，無論我們之前在做什么技術開發(fā)，這將變得更加重要并且可能會加快?！?

“因為產(chǎn)量越來越好，我認為對質(zhì)量的要求越來越高，故障率越來越低，產(chǎn)品質(zhì)量也越來越好，”他補充道。

通過更高性能的 Gen4 選項擴展我們的 1200V 范圍，使我們能夠更好地服務于將總線設計遷移到 800V 的工程師。在電動汽車中，向更高電壓的轉(zhuǎn)變是不可避免的，這些具有四種不同 RDS(on) 等級的新器件可幫助設計人員為每種設計選擇最佳的 SiC 選擇。

所有 RDS(on) 選項（23、30、53 和 70 ）均采用行業(yè)標準 4 引線開爾文源 TO-247 封裝，以更高的性能水平提供更清潔的開關。 53 和 70 毫歐器件也采用 TO-247 3 引線封裝。該系列部件具有出色的可靠性，基于良好的熱性能，這是先進的銀燒結芯片貼裝和先進的晶圓減薄工藝的結果。

所有 1200V SiC FET 都包含在 FET-Jet Calculator 中，這是一個免費的在線設計工具，可以即時評估用于各種 AC/DC 和隔離/非隔離 DC 的器件的效率、組件損耗和結溫升高/DC 轉(zhuǎn)換器拓撲?？梢栽谟脩糁付ǖ纳釛l件下比較單個和并聯(lián)設備，以實現(xiàn)最佳解決方案。

這些新器件具有四種不同的RDS (on)等級，可幫助設計人員為每種設計選擇最佳 SiC 選項。

所有 RDS (on) 選項（23、30、53 和 70 毫歐）均采用行業(yè)標準 4 引線開爾文源 TO-247 封裝，可在更高性能水平下實現(xiàn)更清潔的開關。TO-247 3 引腳封裝也可用于 53 和 70 毫歐器件。

為了充分利用超低比導通電阻，新型 1200V SiC FET 實施了先進的 Ag-sinter 芯片貼裝工藝，可提供卓越的熱性能。這些器件的同類最佳熱阻 Rth, jc 使它們能夠保持良好的功率處理能力，同時通過更低的電容和更低的開關損耗實現(xiàn)芯片尺寸縮小。

Qorvo（納斯達克代碼：QRVO）長期堅持提供創(chuàng)新的射頻解決方案以實現(xiàn)更加美好的互聯(lián)世界。我們結合產(chǎn)品和領先的技術優(yōu)勢、 以系統(tǒng)級專業(yè)知識和全球性的制造規(guī)模，快速解決客戶最復雜的技術難題。Qorvo 服務于全球市場，包括先進的無線設備、 有線和無線網(wǎng)絡和防空雷達及通信系統(tǒng)。我們在這些高速發(fā)展和增長的領域持續(xù)保持著領先優(yōu)勢。我們還利用我們獨特的競爭優(yōu)勢，以推進 5 G 網(wǎng)絡、 云計算、 物聯(lián)網(wǎng)和其他新興的應用市場以實現(xiàn)人物、 地點和事物的全球互聯(lián)。