2nm芯片正式官宣了，2023年量產(chǎn)N4X工藝的芯片，2024年量產(chǎn)2nm芯片

芯片制造企業(yè)中，臺積電的技術(shù)最為先進(jìn)，根據(jù)臺積電發(fā)布的消息可知，其計劃今年下半年量產(chǎn)3nm芯片，2023年量產(chǎn)N4X工藝的芯片，2024年量產(chǎn)2nm芯片。由于全球缺芯，再加上臺積電芯片制造技術(shù)先進(jìn)，其近年來的可以說是高速增長。在這樣的情況下，英特爾也宣布進(jìn)入晶圓代工領(lǐng)域內(nèi)，并表示將會在2025年前量產(chǎn)20A工藝的芯片。

要知道，英特爾目前還不能自主量產(chǎn)7nm制程的芯片，卻要在3年后量產(chǎn)20A工藝的芯片，這著實讓外界吃了一驚。然而，就在近日，英特爾方面再次官宣2nm芯片，并表示將會在2024年實現(xiàn)量產(chǎn)，有望趕在臺積電前面量產(chǎn)2nm芯片，目的就是重回芯片制造領(lǐng)域內(nèi)的巔峰。據(jù)了解，英特爾為了快速發(fā)展芯片制造技術(shù)，其已經(jīng)與IBM合作，后者在之前已經(jīng)發(fā)布了全球首個2nm芯片制造技術(shù)。

由于IBM自身不生產(chǎn)制造芯片，很大可能會交給英特爾。另外，英特爾為了提升芯片制造技術(shù)等，ASML的光刻機的優(yōu)先供貨，并獲得升級版的EUV光刻機，其NA值為0.55，也是全球首臺交付的升級版EUV光刻機。然而，就在近日，英特爾方面再次官宣2nm芯片，并表示將會在2024年實現(xiàn)量產(chǎn)，有望趕在臺積電前面量產(chǎn)2nm芯片，目的就是重回芯片制造領(lǐng)域內(nèi)的巔峰。

據(jù)了解，英特爾為了快速發(fā)展芯片制造技術(shù)，其已經(jīng)與IBM合作，后者在之前已經(jīng)發(fā)布了全球首個2nm芯片制造技術(shù)。由于IBM自身不生產(chǎn)制造芯片，很大可能會交給英特爾。另外，英特爾為了提升芯片制造技術(shù)等，ASML的光刻機的優(yōu)先供貨，并獲得升級版的EUV光刻機，其NA值為0.55，也是全球首臺交付的升級版EUV光刻機。

但臺積電接收英特爾芯片訂單采用的是預(yù)收款的形式，其它廠商的訂單都是先生產(chǎn)后交錢，英特爾的芯片訂單是先付款，后生產(chǎn)。臺積電這么做一方面是因為英特爾芯片訂單不想排隊等待，另外一方面的是臺積電也明白英特爾的訂單不會長久，防范著英特爾。其次，臺積電美國工廠投產(chǎn)時間或延遲。據(jù)悉，臺積電在美建設(shè)5nm芯片生產(chǎn)線，預(yù)計在2024年投產(chǎn)。

對于芯片技術(shù)的向前推動，很多國際頭部公司也一直在未知的道路上疾馳，英特爾CEO基辛格最近透露了2nm芯片的量產(chǎn)時間。

基辛格表示2nm量產(chǎn)時間大約為2024年，這個量產(chǎn)時間早于臺積電，與此同時還要搶攻汽車芯片代工。

產(chǎn)業(yè)分析師此前表示，英特爾希望在納米世代結(jié)束前對臺積電實現(xiàn)趕超，可先進(jìn)的制程技術(shù)牽涉的是整體供應(yīng)鏈生態(tài)系、制造能力、良率和商業(yè)技術(shù)。

英特爾先進(jìn)制程接單生產(chǎn)情況被業(yè)界認(rèn)為，這個將對臺積電短中期(約二年至三年)影響不大，因為臺積電在該領(lǐng)域的影響力有目共睹。臺積電在多方面始終居于優(yōu)勢。

不過業(yè)內(nèi)也會在2024年觀察英特爾4nm與更先進(jìn)制程實際量產(chǎn)的良率情況，也要考察收購8寸廠產(chǎn)生的協(xié)同效應(yīng)。

Statista研究庫數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計2021年英特爾是臺積電的第六大客戶，這是因為臺積電源自英特爾相關(guān)營收占比約7.2%。

隨著臺積電技術(shù)研討會將于下個月舉行，無晶圓半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)內(nèi)部令人興奮不已。臺積電不僅會提供N3 的更新，我們還應(yīng)該聽到即將到來的 N2 工藝的詳細(xì)信息。

希望臺積電將再次分享其最新工藝節(jié)點確認(rèn)的流片數(shù)量。鑒于我在生態(tài)系統(tǒng)中聽到的消息，N3 的流片數(shù)量將創(chuàng)下歷史新高。英特爾不僅加入了臺積電的多產(chǎn)品大批量 N3 生產(chǎn)，據(jù)報道，高通和英偉達(dá)也將使用 N3 來生產(chǎn)其領(lǐng)先的 SoC 和 GPU。事實上，列出不會使用臺積電進(jìn)行 3nm 的公司會更容易，但目前我還不知道。很明顯，臺積電絕對以非常大的優(yōu)勢贏得了FinFET 之戰(zhàn)。

“臺積電 2021 年最突出的消息是成功吸引了更多來自英特爾的新業(yè)務(wù)，同時能夠與 AMD、高通和蘋果等現(xiàn)有客戶保持良好的關(guān)系。隨著其 3 納米 N3 將于 2022 年晚些時候進(jìn)入量產(chǎn)并具有良好的良率，并且 2 納米 N2 開發(fā)有望在 2025 年實現(xiàn)量產(chǎn)，臺積電有望繼續(xù)保持其技術(shù)領(lǐng)先地位，以支持其客戶創(chuàng)新和增長。由于對尖端技術(shù)的需求，臺積電的代工領(lǐng)導(dǎo)地位近年來似乎變得更加具體?！?

Gartner 分析師 SamuelWang 表示。

SemiWiki 報道了過去 11 年的臺積電活動，今年我們也將有博主參加。這是臺積電客戶、合作伙伴和供應(yīng)商的頭號交流活動，因此我可以向您保證，會有很多東西要寫。

以下是臺積電技術(shù)開發(fā)的最新更新：

臺積電的 3nm 技術(shù)開發(fā)進(jìn)展順利，已開發(fā)出完整的 HPC 和智能手機應(yīng)用平臺支持。臺積電 N3 將于 2022 年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段，良率良好。

臺積電 N3E 將進(jìn)一步擴展其 3nm 系列，以增強性能、功率和良率。公司還觀察到 N3E 的客戶參與度很高，N3E 的量產(chǎn)計劃在 N3 之后一年。

面對大幅提升半導(dǎo)體計算能力的持續(xù)挑戰(zhàn)，臺積電專注于研發(fā)工作，通過提供領(lǐng)先的技術(shù)和設(shè)計解決方案，為客戶的產(chǎn)品成功做出貢獻(xiàn)。2021年，公司開始風(fēng)險生產(chǎn)3nm技術(shù)，這是利用3D晶體管的第6代 平臺，同時繼續(xù)開發(fā)當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先技術(shù)2nm。此外，公司的研究工作推進(jìn)了對2nm以上節(jié)點的探索性研究。臺積電 2nm 技術(shù)已于 2021 年進(jìn)入技術(shù)開發(fā)階段，開發(fā)有望在 2025 年實現(xiàn)量產(chǎn)。

臺積電還在 2021 年 10 月推出了 N4P 工藝，這是 5nm 技術(shù)平臺的以性能為中心的增強。N4P 的性能比原始 N5 技術(shù)提高11%，比 N4 提高 6%。與 N5 相比，N4P 還將提供 22% 的功率效率提升以及 6% 的晶體管密度提升。

臺積電于 2021 年底推出了 N4X 工藝技術(shù)，與 N5 相比，性能提升高達(dá) 15%，或在1.2 伏時比更快的 N4P 提升高達(dá) 4%。N4X 可以實現(xiàn)超過 1.2 伏的驅(qū)動電壓并提供額外的性能。臺積電預(yù)計 N4X 將在 2023 年上半年進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)階段。憑借 N5、N4X、N4P 和 N3/N3E，臺積電客戶將在其產(chǎn)品的功率、性能、面積和成本方面擁有多種極具吸引力的選擇。

在筆者看來，這將是更令人興奮的臺積電技術(shù)研討會之一。臺積電 N2 一直處于 NDA 之下，而 IDM 代工廠一直在泄露他們即將推出的 2nm 工藝的細(xì)節(jié)。這是一個經(jīng)典的營銷舉措，今天沒有競品，明天再說。