PCIM Europe歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展-碳化硅和氮化鎵應(yīng)用介紹

PCIM Europe德國紐倫堡電力電子系統(tǒng)及元器件展，創(chuàng)辦于1979年，每年一屆，至今已經(jīng)有30多年的歷史。該展是歐洲電力電子及其使用范疇、智能運動和電能質(zhì)量最具影響力的博覽會，也是全球最大的功率半導(dǎo)體展會。PCIM Europe以其高質(zhì)量的專業(yè)觀眾，成為享譽電力電子行業(yè)的專業(yè)國際性展會。展會概念包括四大主題：電力電子、智能運動、可再生能源、能源辦理，主要涵蓋從半導(dǎo)體、元器件及傳感器，到電機和整流器，再到到電源辦理系統(tǒng)，模仿和規(guī)劃軟件，以及更多在電力電子范疇的最新發(fā)展趨勢技能，是展示及發(fā)布新趨勢和技術(shù)的優(yōu)秀平臺。

大功率器件應(yīng)用

MinDCet 從一開始就專注于高壓和大功率 ASIC 設(shè)計。多年來，MinDCet 在高壓 IC 測試的開發(fā)、提供測試和測量系統(tǒng)以及最終生產(chǎn)測試服務(wù)方面進行了大量投資。在 PCIM 上，MinDCet 推出了使用 MOSFET 和 GaN 的電機驅(qū)動器，以及使用 SiC 的基于模擬的 D 類音頻放大器和太陽能逆變器。他們的第一個標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品是 MDC901，它是一個 200V GaN 柵極驅(qū)動器，帶有一個半橋評估套件。

Empower Semiconductors 銷售和營銷高級副總裁 Steve Shultis 指出了電力電子技術(shù)的進步及其集成穩(wěn)壓器，以及傳統(tǒng)電容器的創(chuàng)新硅基替代品，以及 Empower E-CAP，一種可配置的硅基替代多層陶瓷電容器 (MLCC)。E-CAP 器件的電容密度是領(lǐng)先 MLCC 的 5 倍以上，具有改進的等效串聯(lián)電感和等效串聯(lián)電阻特性，可顯著降低寄生效應(yīng)。

Shultis 說：“GaN 和 SiC 技術(shù)有很多代表性;我看到了相當(dāng)多的創(chuàng)新?？吹秸鎸嵉慕煌ㄒ埠芎?，看到人們出去探索也很好。新技術(shù)代表。到目前為止，了解電力行業(yè)的總體情況對我來說是一次很好的經(jīng)歷。”

Nexperia 推出了用于汽車安全氣囊應(yīng)用的新應(yīng)用專用 MOSFET (ASFET) 產(chǎn)品組合，其中以 LFPAK33 封裝的 BUK9M20-60EL 單 N 通道 60-V、13-mΩ 邏輯電平 MOSFET 為首。該 ASFET 產(chǎn)品組合結(jié)合了最新的硅溝槽技術(shù)和 LFPAK 封裝，使其能夠滿足最新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)。與此同時，Nexperia 宣布推出 14 款用于電源應(yīng)用的整流器，采用其新的 CFP2-HP(Clip-Bonded FlatPower)封裝。提供標(biāo)準(zhǔn)和 AEC-Q101 版本，包括 45-V、60-V 和 100-V 溝槽肖特基整流器(具有 1-A 和 2-A 選項)，包括 PMEG100T20ELXD-Q、100-V、2 -溝槽肖特基勢壘整流器。

Power Integrations 宣布推出適用于英飛凌 EconoDUAL 模塊的 SCALETM EV 系列柵極驅(qū)動器板。該驅(qū)動器適用于原始、克隆和新的 SiC 變體，針對 EV、混合動力和燃料電池車輛(包括公共汽車和卡車)以及建筑、采礦和農(nóng)業(yè)設(shè)備的大功率汽車和牽引逆變器。新電路板通過了汽車認證和 ASIL B 認證，可實現(xiàn) ASIL C 牽引逆變器設(shè)計。第一個發(fā)布的 SCALE EV 系列成員是 2SP0215F2Q0C，專為 EconoDUAL 900-A 1,200-V IGBT 半橋模塊而設(shè)計。

Power Integrations 汽車業(yè)務(wù)開發(fā)總監(jiān) Peter Vaughan 指出，柵極驅(qū)動器設(shè)計對于電動汽車的性能和可靠性都至關(guān)重要。“這款新產(chǎn)品已經(jīng)完成了開發(fā)、測試和資格認證以及 ASIL 認證，大大減少了開發(fā)時間和成本，”他說。

Danisense 推出了新的 DT 系列超穩(wěn)定、高精度(ppm 級)磁通門電流傳感器，采用閉環(huán)補償技術(shù)，可測量高達 200 Arms 的隔離直流和交流電流。與上一代產(chǎn)品相比，這些器件尺寸減小，體積減少 60%，具有高達 2 MHz 的大頻率帶寬和 50 A 至 200 A 的初級電流。

國巨集團 EMEA 配電開發(fā)現(xiàn)場應(yīng)用工程師 Oliver Steidl 重點介紹了汽車和能源市場的主要產(chǎn)品，特別是用于高密度封裝的陶瓷技術(shù)表面貼裝電容器以及高效和高密度設(shè)計解決方案電源應(yīng)用。這些電容器非常適用于以高效率和空間為主要考慮因素的功率轉(zhuǎn)換器、逆變器、緩沖器和諧振器。專為惡劣環(huán)境設(shè)計的薄膜電容器符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，工作溫度范圍為 –40?C 至 110?C。

意法半導(dǎo)體技術(shù)營銷經(jīng)理和功率 MOSFET 專家 Antonino Gaito 強調(diào)了 MDmesh M9 功率半導(dǎo)體，這是促進綠色經(jīng)濟的關(guān)鍵超級結(jié) MOSFET 技術(shù)。STMicroelectronics 推出了其 MDmesh M9 和 DM9 MOSFET 系列的首批成員。這些器件是 N 溝道超結(jié)多漏極硅功率 MOSFET。該公司的目標(biāo)是用于各種系統(tǒng)的開關(guān)模式電源設(shè)備，包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G 基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備和平板電視。首批推出的兩款芯片是 650-V STP65N045M9 和 600-V STP60N043DM9。STP65N045M9 和 STP60N043DM9 器件的最大 R DS(on)規(guī)格為 45 mΩ 和 43 mΩ。ST 聲稱低 R DS(on)規(guī)格最大限度地提高功率密度并實現(xiàn)緊湊尺寸的設(shè)計。這些器件還提供低柵極電荷 (Q G )，在 400V 漏極電壓下通常為 80nC。

在與 PCIM 并行舉行的 Sensor & Test 期間， Analog Devices (ADI) 展館。ADI 展示了用于汽車電動助力轉(zhuǎn)向的全新集成式真正通電多圈定位解決方案。此外，非接觸式交流和直流電流感應(yīng)解決方案以鉗形表、母線和使用各向異性磁阻傳感器的 PCB 解決方案的形式呈現(xiàn)。該技術(shù)可準(zhǔn)確、輕松地檢測高達 500 A 的電流范圍。采用 ADI 的 MEMS 傳感器和以太網(wǎng)技術(shù) (10BASE-T1L) 的其他基于振動的狀態(tài)監(jiān)測解決方案包括具有納瓦功率的三軸加速度計，適用于電池供電的邊緣檢測應(yīng)用一直活躍在醫(yī)療保健、汽車和工業(yè)領(lǐng)域，以及一個完全集成的飛行時間模塊，用于在廣泛的應(yīng)用中具有 1-MP 分辨率的深度感測。