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[導(dǎo)讀]2022年7月19日-納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發(fā)布,均適用于驅(qū)動SiC,IGBT和MOSFET等功率管,兼具車規(guī)(滿足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn))和工規(guī)兩種等級,廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場景。

2022年7月19日-納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發(fā)布,均適用于驅(qū)動SiC,IGBT和MOSFET等功率管,兼具車規(guī)(滿足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn))和工規(guī)兩種等級,廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場景。

NSi66x1A--帶保護功能的智能隔離單管驅(qū)動(NSI6611A/NSI6651A)

產(chǎn)品特性

超強驅(qū)動能力,可以提供最大10A的拉灌電流能力,支持軌到軌輸出和分離輸出

完善的保護功能:DESAT短路保護、故障軟關(guān)斷、彌勒鉗位、欠壓保護;短路故障或欠壓發(fā)生時,還能通過單獨的引腳報告進行反饋

輸入與輸出端均采用雙電容增強隔離技術(shù),外加納芯微Adaptive OOK編碼技術(shù),最小共模瞬變抗擾度(CMTI)高達(dá)150kV/μs,提高了系統(tǒng)的魯棒性

驅(qū)動器側(cè)電源電壓VCC2最大為32V,輸入側(cè)VCC1為3V至5.5V電源電壓供電;VCC1和VCC2都具有欠壓保護(UVLO)

極低的傳輸延時,低至80ns

NSi6611支持ASC特色的功能,可在緊急情況下強制輸出為高

工作環(huán)境溫度:-40℃ ~ 125℃

符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型:SOW16

功能框圖

NSi66x1A 超強驅(qū)動能力,有效節(jié)約外圍電路

在大功率的應(yīng)用中,用戶一般會選擇如IGBT和SiC這樣的大功率管子,因而功率管的Qg也會更大,對產(chǎn)品驅(qū)動電流能力的要求變得更高了。

NSi66x1A能夠提供最大10A的拉罐電流能力,比起傳統(tǒng)方案,不需要額外的Buffer 電路,即可直接驅(qū)動大功率的管子。節(jié)省了Buffer電路的費用和PCB的體積,同時還不需要額外的電路做匹配,增加了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。此外,NSi66x1A內(nèi)部集成彌勒鉗位,支持分離輸出,使用簡單,外圍器件更少,凸顯性價比。

使用NSi66x1A方案應(yīng)用電路圖

大功率應(yīng)用中傳統(tǒng)方案驅(qū)動電路圖

NSi6611A 支持ASC功能

什么是ASC?

ASC即主動短路(Active short circuit,簡稱ASC),是電機系統(tǒng)的一種安全保護機制,是將電機的UVW三相短路(通過?對功率管的開關(guān),實現(xiàn)上三橋臂短路或下三橋臂短路)。

NSi6611A支持ASC功能,可以在電機處于轉(zhuǎn)速過高,或者突然發(fā)生制動等其他異常時,通過三相短路的方式,讓電機內(nèi)耗電流,降低電機產(chǎn)生的反電動勢,使其不超過高壓電池提供的母線電壓,確保動力電池、母線電容及其它高壓器件不被損壞,從而保護電機和電氣系統(tǒng)。

NSi6611A pin1 引腳便是ASC 功能。如下ASC時序圖可以看到,即使在input是低電平,或者VCC1欠壓情況下,當(dāng)pin1引腳電平是高電平時,ASC功能就會使能,OUT會強制輸出為高,打開功率管。當(dāng)然,如果用戶不需要ASC 功能,則可以將NSi6611A pin1 引腳懸空,或者下拉到GND2。

NSi6611A ASC 時序圖

案例詳解

為了實現(xiàn)系統(tǒng)的ASC功能,UVW三相下橋臂的管子驅(qū)動IC可以使用三顆NSi6611A,將其pin1 連接到一起,連接點命名為"ASC Trigger",默認(rèn)該點電壓是低電平。當(dāng)系統(tǒng)檢測到故障時,如母線電壓過高時,外部觸發(fā)信號使"ASC Trigger"為高電平,這時三顆NSi6611會強制打開 UVW三相下橋臂的管子,實現(xiàn)電機下三橋臂短路,實現(xiàn)ASC功能。NSi6611A被外部觸發(fā)"ASC Trigger"為高電平到芯片OUT 強制輸出為高,時間為0.66us (tASC_r), 響應(yīng)迅速,及時保護系統(tǒng)。

NSi6601M--帶彌勒鉗位功能的高可靠性隔離單管驅(qū)動

產(chǎn)品特性

具有很強的驅(qū)動能力,可提供5A/5A的拉灌電流峰值電流

集成彌勒鉗位功能,鉗位電流高達(dá)5A,有效抑制因為彌勒效應(yīng)致使管子誤開通,確保了系統(tǒng)的可靠性

超高的共??箶_能力:150 kV/us

驅(qū)動器側(cè)電源電壓VCC2最大為32V,輸入側(cè)VCC1為3.1V至17V電源電壓供電;VCC1和VCC2都具有欠壓保護(UVLO)

符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型:SOP8,SOW8

工作環(huán)境溫度:-40℃ ~ 125℃

符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型:SOW16

功能框圖

NSi6601M:有效解決高壓高頻系統(tǒng)中高dv/dt

隨著第三代半導(dǎo)體SiC MOSFET的興起,更高壓、更高頻、更小體積、更大功率的系統(tǒng)正成為新的發(fā)展趨勢。然而在高壓高頻的應(yīng)用中系統(tǒng)在運行過程中卻總是容易因為dv/dt過高,導(dǎo)致功率管子被燒壞。NSi6601M則能很好解決這一問題。

案例詳解

使用下圖的電路作為例子說明。系統(tǒng)在開關(guān)的過程中,SW產(chǎn)生的dv/dt 通過彌勒電容Cgd,會導(dǎo)致gate產(chǎn)生電壓,如果這個電壓高于管子的開通電壓,會導(dǎo)致管子誤開通,會造成上下管短路,燒毀管子。

NSi66001MC集成彌勒鉗位功能,NSi6601M可以檢測到gate電壓的變化,當(dāng)gate產(chǎn)生的電壓高壓2V時,NSi6601M內(nèi)部彌勒鉗位功能將被開啟,將dv/dt 通過Cgd產(chǎn)生的電流以最小阻抗路徑釋放到VEE,在gate電壓鉗位到足夠低的電壓,防止下管Q2誤開通。

簡化應(yīng)用電路圖

NSi6601M隔離耐壓高,寬體SOW8封裝Vpk 高達(dá)2121V,同時CMTI抗干擾能力超過150kv/us,非常適合高頻、高壓、高可靠性的應(yīng)用場景,符合電源行業(yè)發(fā)展的趨勢。

免費送樣

NSi66x1A/NSi6601M系列產(chǎn)品均可提供樣品,如需申請樣片或訂購可郵件至sales@novosns.com或撥打0512-62601802,更多信息敬請訪問www.novosns.com。


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