美光日本廠跳電，預估受影響產(chǎn)能規(guī)模有限

Jul. 13, 2022 ---- 美光(Micron)位于Hiroshima的日本廠于7月8日發(fā)生跳電意外。據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，以第三季產(chǎn)能來看，該廠月產(chǎn)能占美光月產(chǎn)能約30%;若以全球產(chǎn)能來看，投片占比則約7%。主要投產(chǎn)制程為1Z nm，其投片比重為50%以上，其次為1Y nm，占比亦有接近35%。由于跳電發(fā)生時機臺亦同時啟動不斷電系統(tǒng)，但因壓降的影響，機臺需要重啟與檢查，而跳電時間約5~10分鐘，故受影響的產(chǎn)能有限。

該廠主要是R&D的研發(fā)中心，下一代制程1beta nm亦將優(yōu)先于該廠內(nèi)投產(chǎn)。而觀察其產(chǎn)品類別，現(xiàn)階段以產(chǎn)出智能手機相關的mobile DRAM為主。TrendForce集邦咨詢同時表示，自年初起地緣沖突、高通脹導致全球消費性電子需求疲弱，使得各原廠的存儲器庫存皆位于較高水位，且跳電對美光產(chǎn)能影響較低，美光亦能使用其庫存來滿足客戶端的需求，故對整體DRAM供需市場并無造成沖擊。

TrendForce集邦咨詢同步觀察到，向來對市況會有實時反應的現(xiàn)貨市場，在跳電發(fā)生至今，并未有需求增加，或是發(fā)生客戶急單的市場反應，價格端完全沒有發(fā)出止跌訊號，故預估此次跳電并不會扭轉存儲器供過于求的現(xiàn)況。TrendForce集邦咨詢將維持原來對下半年的價格預估，意即第三季DRAM價格將季跌約10%。