電源設(shè)計(jì):比較器件的不同效率
本教程說(shuō)明了使用不同設(shè)備驅(qū)動(dòng)電阻負(fù)載的電源電路的幾種仿真。其目的是找出在相同電源電壓和負(fù)載阻抗的情況下哪個(gè)電子開關(guān)效率最高。
多年來(lái)的開關(guān)設(shè)備
多年來(lái),電子開關(guān)已經(jīng)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,并且變得更加強(qiáng)大。它們的演變涉及各種因素,例如:
· 傳導(dǎo)通道的電阻
· 越來(lái)越低的成本
· 更高的開關(guān)速度
· 減少占用空間并減小整體尺寸
· 更高的效率
這些都是極其重要的特性,它們?cè)试S擁有 30 年前無(wú)法想象的應(yīng)用程序。最初,雙極晶體管是唯一真正的電源開關(guān)。它需要高基極電流來(lái)傳導(dǎo),具有非常慢的關(guān)斷特性,并且受熱漂移問(wèn)題的影響。MOSFET 變得流行,因?yàn)樗鼈兪茈妷嚎刂贫皇请娏骺刂?。MOSFET 不受熱漂移的影響,開關(guān)損耗更低。因此,它是電源轉(zhuǎn)換器中使用最多的組件。IGBT 在 1980 年代接管。IGBT 是雙極晶體管和 MOSFET 之間的混合元件。它具有雙極晶體管的傳導(dǎo)特性,但它像 MOSFET 一樣是電壓控制的。IGBT 受熱漂移的影響,可以通過(guò)附加電路來(lái)減少熱漂移。如今,SiC 和 GaN MOSFET 是新型電子開關(guān),具有卓越的性能。IGBT 可處理 5,000 V 的電壓和 1,000 A 的電流,但最大開關(guān)頻率不超過(guò) 100 kHz。MOSFET 在高頻下工作良好,但導(dǎo)通電阻相對(duì)較高。碳化硅器件克服了這些問(wèn)題。我們不會(huì)詳細(xì)介紹技術(shù)細(xì)節(jié),但我們將在靜態(tài)狀態(tài)下進(jìn)行一些簡(jiǎn)單的模擬,以計(jì)算每個(gè)單獨(dú)元素的效率。
效率
在電力電子領(lǐng)域,效率是一個(gè)很容易概念化的術(shù)語(yǔ):100% 是一個(gè)很大的價(jià)值,0% 是不好的。在許多應(yīng)用中,能源的有效利用是一個(gè)關(guān)鍵因素。超過(guò) 90% 的效率被認(rèn)為是良好的結(jié)果,但現(xiàn)代設(shè)備允許更高的效率。高效的電源以熱量的形式獲得更少的能量浪費(fèi),這會(huì)降低電子元件的平均壽命。效率對(duì)最終設(shè)備的可靠性和耐用性以及能源消耗有很大影響。如果效率更高,則功耗和熱損耗會(huì)更低。在非常高功率的轉(zhuǎn)換器中,即使是一小部分的效率提高也可以轉(zhuǎn)化為巨大的能源節(jié)約,從而節(jié)省經(jīng)濟(jì)成本。此外,效率越高,無(wú)源和有源元件的工作溫度越低,系統(tǒng)的整體可靠性就越好。效率計(jì)算為輸出功率除以輸入功率,通常以百分比表示。輸入功率和輸出功率之間的差異是電源中以熱量形式浪費(fèi)和損失的功率。計(jì)算電路效率的基本公式是:
器件的傳導(dǎo)通道的這個(gè)電阻越低,電路的效率就越高。這樣,電子元件會(huì)散發(fā)更少的熱量并且會(huì)更好地工作。
使用的電子元件
對(duì)于我們的測(cè)試和模擬,我們選擇了一些非常強(qiáng)大且堅(jiān)固的電子元件(參見(jiàn)圖 1),它們是電力項(xiàng)目中大量使用的真正主力,并且至今仍被廣泛使用。以下列表還描述了最重要的特征:
· 晶體管 BJT 2N3055:VCE:100 V,IC:7 A,P:115 W,Tj:200°C,β:70
· MOSFET Si IRF530:VDS:100 V,Rds(on):0.18 Ω,Id:14 A,P:75 W,Tj:150°C
· IGBT IXYH82N120C3:VCE:1200 V,VGE:20 V,IC:200 A,P:1250 W,Tj:175°C
· SiC MOSFET UF3SC065007K4S:VDS:650 V,Rds(on):0.009 Ω,VGS:20 V,Id:120 A,P:789 W,Tj:175°C
圖 1:用于效率測(cè)試的電子設(shè)備
模擬
圖 2 顯示了四種電子設(shè)備的應(yīng)用方案。這是四個(gè)等效的電子開關(guān),它們使半導(dǎo)體元件達(dá)到飽和,驅(qū)動(dòng)相當(dāng)穩(wěn)健的負(fù)載。一般特性涉及負(fù)載的靜態(tài)運(yùn)行,具有以下特點(diǎn):
· 電源電壓:80V
· 阻性負(fù)載:15Ω
· 預(yù)期電流:約 5.3 A
圖 2:四個(gè)電子開關(guān)的接線圖
讓我們檢查一下接線圖,它實(shí)際上由四個(gè)不同的部分組成。第一部分使用硅功率晶體管?;鶚O必須適當(dāng)極化,以使電流等于基極乘以集電極上的放大系數(shù) (β) 的電流。因此,基極被電流驅(qū)動(dòng)。第二部分包括一個(gè)硅 MOSFET,要使其導(dǎo)通,需要足夠的 VGS 電壓。第三部分涉及使用 IGBT,而第四部分使用 SiC MOSFET。為了確定真正的效率,所有能量發(fā)生器產(chǎn)生的功率也必須包含在公式中。因此,這四個(gè)公式如下。對(duì)于晶體管級(jí):
對(duì)于硅 MOSFET 級(jí):
對(duì)于 IGBT 級(jí):
對(duì)于 SiC FET 級(jí):
四個(gè)電路的效率如下:
· 晶體管:96.54%
· 硅 MOSFET:99.51%
· IGBT:98.68%
· 碳化硅MOSFET:99.93%
觀察每個(gè)設(shè)備在完全運(yùn)行時(shí)的功耗是很有趣的:
· 晶體管:3.7 W
· 硅 MOSFET:2.1 瓦
· IGBT:5.5 瓦
· SiC MOSFET:僅 0.3 W
以及集電極-發(fā)射極或漏-源溝道的等效電阻,計(jì)算公式為:
· 晶體管:116.4 mΩ
· 硅 MOSFET:74.6 mΩ
· IGBT:200.5 毫歐
· MOSFET 碳化硅:9.9 mΩ
圖 3:四種設(shè)備的效率圖表
SPICE 仿真包括以下用于計(jì)算效率的指令:
.meas TRAN Effic1 AVG (abs(V(N001,N005)*I(R2)))/((abs(V(N001)*I(V3)))+(abs(V(N009)*I(V4) )))*100
.meas TRAN Effic2 AVG abs(V(N002,N006)*I(R4))/abs(V(N002)*I(V5))*100
.meas TRAN Effic3 AVG abs(V(N003,N007)*I(R1))/abs(V(N003)*I(V1))*100
.meas TRAN Effic4 AVG abs(V(N004,N008)*I(R5))/abs(V(N004)*I(V7))*100
使用晶體管的第一個(gè)解決方案包含計(jì)算兩種能源(基極和集電極)的功率。對(duì)于其他三個(gè)模擬,不需要計(jì)算柵極上的能量,因?yàn)楫a(chǎn)生的功率非常低,因?yàn)?MOSFET 是由電壓驅(qū)動(dòng)的。
結(jié)論
在設(shè)計(jì)電源時(shí),必須考慮可靠性和安全性。設(shè)計(jì)人員需要仔細(xì)審查提供的數(shù)據(jù)并運(yùn)行大量測(cè)試來(lái)計(jì)算最差使用效率。功率損耗(靜態(tài)和動(dòng)態(tài))的計(jì)算是電源電路設(shè)計(jì)的必要步驟。改進(jìn)開關(guān)系統(tǒng)和提高電路效率的技術(shù)有很多,每種功率器件都有自己的特點(diǎn)和優(yōu)缺點(diǎn),具體取決于應(yīng)用(參見(jiàn)圖 4 中的圖表)。
圖 4:輸入電壓掃描的電流圖