已拿“入場券”!中國全自主7nm芯片,3年內(nèi)可望成熟!
制裁中興、制裁華為,深深讓國人感受到了中國在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的薄弱。美國對中國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的精準(zhǔn)打擊,更是讓國人認(rèn)識到了中國在芯片制造設(shè)備領(lǐng)域的薄弱。
而對于芯片制造來說,最為關(guān)鍵的設(shè)備當(dāng)屬光刻機(jī)。
光刻機(jī)按照用途可以分為IC 前道光刻機(jī)、封裝光刻機(jī)、面板光刻機(jī)以及 LED/MEMS/功率器件光刻機(jī)。而我們經(jīng)常所說的芯片制造所使用的則是IC前道光刻機(jī)。
資料顯示,光刻工藝是芯片制造過程中占用時間比最大的步驟,約占芯片制造總時長的40%-50%。同時,光刻機(jī)也是目前晶圓制造產(chǎn)線中成本最高的半導(dǎo)體設(shè)備,約占晶圓生產(chǎn)線設(shè)備總成本的27%。目前最先進(jìn)的 EUV 設(shè)備在2018 年單臺平均售價高達(dá) 1.04 億歐元。
28nm光刻機(jī),中國已拿到“入場券”!可制造7nm芯片!
(先看視頻)
近日,央視財(cái)經(jīng)專題節(jié)目《而立浦東》,報(bào)道了上海微電子的最新進(jìn)展。一臺上海微自研的光刻機(jī)將發(fā)貨。
關(guān)于這臺光刻機(jī)的具體信息不多。結(jié)合上海微最新官宣信息,這臺光刻機(jī)基本確定是28nm工藝的。
什么是光刻機(jī)?它是制造集成電路,也就是芯片制造最關(guān)鍵的設(shè)備之一。每顆芯片誕生之始,都要經(jīng)過光刻機(jī)的鍛造。光刻機(jī)利用光刻工藝,將母版上復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)化為硅片上的電路。
可以說,如果沒有“中國光刻機(jī)”,那么制造“中國芯”也就無從談起。
中國早在18年前,02專項(xiàng)中就制定了光刻機(jī)突破的時間節(jié)點(diǎn),2020年實(shí)現(xiàn)28nm光刻機(jī)的自主研發(fā)。
在02專項(xiàng)光刻機(jī)項(xiàng)目中,設(shè)定的時間為2020年驗(yàn)收193nmArF浸沒式DUV光刻機(jī), 對標(biāo)產(chǎn)品為ASML現(xiàn)階段最強(qiáng)DUV光刻機(jī): TWINSCAN NXT:2000i。
以NXT:2000i為例, 各子系統(tǒng)拆分如下:上海微電子負(fù)責(zé)光刻機(jī)設(shè)計(jì)和總體集成,北京科益虹源提供光源系統(tǒng),北京國望光學(xué)提供物鏡系統(tǒng),國科精密提供曝光光學(xué)系統(tǒng),華卓精科提供雙工作臺,浙江啟爾機(jī)電提供浸沒系統(tǒng)。
這臺28nm光刻機(jī),是集全中國最牛公司的智慧結(jié)晶,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈成熟的真正家底。
193納米ArF浸沒式DUV光刻機(jī),其制程工藝為28納米。
更重要的是這臺國產(chǎn)193納米ArF浸沒式DUV光刻機(jī)在經(jīng)過多重曝光下,最高可實(shí)現(xiàn)7nm芯片量產(chǎn),雖然還無法媲美目前最頂尖的EUV光刻機(jī)設(shè)備,但這套國產(chǎn)光刻機(jī)設(shè)備誕生,絕對可以完成絕大部分芯片生產(chǎn)。
ASML同時表態(tài):DUV可供應(yīng)中國!堅(jiān)決不放棄中國市場!
美國以“國家安全”為由恐嚇、威脅、制裁中國集成電路技術(shù)自主;光刻機(jī)作為全球高科技智慧的結(jié)晶,一直受制于美國法律。ASML雖有心供應(yīng)中國,但受限于美國法律,最先進(jìn)的EUV產(chǎn)品出口,ASML有心無力。
目前全球絕大多數(shù)半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商,都向ASML采購TWINSCAN機(jī)型,比如英特爾(Intel)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)、臺積電(TSMC)、中芯國際(SMIC)等。
雖受美國禁令影響,ASML在中國進(jìn)博會宣布,可銷售DUV光刻機(jī)。這是在向中國、向全球表明態(tài)度,堅(jiān)決不放棄中國市場
ASML的DUV光刻機(jī)不受美國法律影響,順利供應(yīng)中國,很能說明問題,中國上海微28nm光刻機(jī)已經(jīng)成熟,EUV技術(shù)再無提防中國的必要。
美國對我們的技術(shù)封鎖方式一直沒變過,只要我們研究出來自己的技術(shù),就開始打開大門!
28nm作為當(dāng)前關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)的性能和技術(shù)優(yōu)勢,光刻機(jī)國產(chǎn)替代將迎來新的曙光,打破美國壟斷制裁。
28nm光刻裝備的成熟,就是中國進(jìn)入7nm高階芯片的臨門一腳。
集結(jié)優(yōu)勢力量,“自主7nm”3年可望成熟。
之前,全球前道光刻機(jī)被ASML、尼康、佳能壟斷,中國根本靠不上邊,上海微光刻機(jī)的突破,給中國自主7nm帶來機(jī)會。
我們認(rèn)為光刻機(jī)國產(chǎn)替代將迎來新的曙光,尤其是IC前道制造領(lǐng)域,將初步打破國外巨頭完全壟斷的局面,實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。
刻蝕機(jī)、光刻機(jī)、光刻膠,中國相繼單點(diǎn)突破,由點(diǎn)及面,中國7nm之路正在一步一步被打開。
7nm都以為中國被卡脖子,但很多人還沒意識到這一點(diǎn),還沉醉在光刻機(jī)ASML獨(dú)一份的舊夢中。
中國28nm光刻機(jī)的突破,迫使美國同意ASML DUV光刻機(jī)可供應(yīng)中國。背后壓力有中芯國際7nm工藝的突破、上海微DUV光刻機(jī)的成熟、中國政策資本不計(jì)代價的投入。
中芯國際利用ASML DUV光刻機(jī)制造出7nm芯片的事情,已被大眾熟知。同時,上海微的28nm DUV光刻機(jī)制造成功,中芯國際用上國產(chǎn)光刻機(jī)的時間不會太久。
中芯國際利用ASML DUV光刻機(jī)研發(fā)7nm的技術(shù)積累,改換上上海微DUV光刻機(jī),這個時間同樣不會太久。
2021年,我們就有望看到中芯國際用上國產(chǎn)光刻機(jī)研發(fā)7nm。保守點(diǎn)兒講,再加上一年的技術(shù)積累,小編相信,在政府不計(jì)成本的投入,2023年我們或可看到中國自主7nm芯片的下線。
芯片要擺脫壟斷,只有將技術(shù)牢牢地掌握在自己的手中,那么芯片局面才有可能扭轉(zhuǎn)。
集結(jié)資本技術(shù)優(yōu)勢力量,中國產(chǎn)業(yè)鏈自主,我相信3年即可成熟突破。