基本半導體汽車級全碳化硅塑封半橋MOSFET模塊Pcell榮獲2022年第二十屆TOP10 POWER自主創(chuàng)新獎

時間：2022-11-25 14:15:59

關鍵字： POWER電源產(chǎn)品獎基本半導體

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[導讀]2022年11月21日，第二十屆TOP10 POWER電源產(chǎn)品獎結果揭曉，深圳基本半導體有限公司的汽車級全碳化硅塑封半橋MOSFET模塊Pcell從眾多參評產(chǎn)品中脫穎而出，榮獲TOP10 POWER自主創(chuàng)新大獎。

2022年11月21日，第二十屆TOP10 POWER電源測試產(chǎn)品獎結果揭曉，深圳基本半導體有限公司的汽車級全碳化硅塑封半橋MOSFET模塊Pcell從眾多參評產(chǎn)品中脫穎而出，榮獲TOP10 POWER自主創(chuàng)新大獎。

Top10 Power電源產(chǎn)品獎是由21ic電子網(wǎng)主導的，行業(yè)內(nèi)備受認同的關于電源類產(chǎn)品的獎項。該獎項于2003年開始進行評選，與21ic電子網(wǎng)的電源技術研討會屬于同期的重要活動，該項評獎近20年來獲得了電源業(yè)不同從業(yè)人士高度認可和贊揚。該獎項的參選范圍包括所有電源類產(chǎn)品，獲得該殊榮則代表著該產(chǎn)品在本年度具有極高的產(chǎn)品力和技術創(chuàng)新。

在本年度的評選中，一共設立了7類不同的獎項，從技術創(chuàng)新、能效、應用、開發(fā)等多個工程師關心的角度進行了評選。

獲獎產(chǎn)品介紹

Pcell系列模塊為基本半導體根據(jù)SiC器件特性，結合終端客戶需求設計的寬禁帶半導體專用封裝產(chǎn)品。搭配芯片雙面銀燒結和DTS（Die Top System）技術，提升模塊的功率密度，以及長期可靠性。內(nèi)部通過電、熱、力多物理場仿真手段優(yōu)化的回路布局，使模塊整體雜散電小于5nH。基于SiC-MOSFET的高阻斷電壓、低導通電阻（小于2mΩ）、結溫高達175℃、高可靠性等特點，使得此模塊非常適用于高效、高功率密度應用領域。