據業(yè)內信息,近日全球光刻機巨頭ASML在今年的半導體EUV生態(tài)系統(tǒng)全球大會上表示,EUV設備出貨量這幾年來不斷上升,去年大約為42臺,而今年預測將超過50臺。2024年年底預計推出下一代High-NA EUV設備。
從ASML今年Q3季度的財報數據可以看出,其收到了較多的TWINSCANEXE:5200訂單,而且目前所有的EUV客戶都已提交High-NA的訂單。
下一代的High-NA EUV設備是將集光能力的鏡頭數值孔徑(NA)從0.33提高到0.55的設備,比現(xiàn)有的EUV設備處理更精細的半導體電路。因此業(yè)內普遍認為High-NA設備對2nm工藝至關重要。
據悉,三星電子和SK海力士已經向光刻機巨頭ASML訂購了下一代半導體設備High-NA EUV設備,預計未來在2nm制程工藝的競爭將加劇。
雖然High-NA EUV設備的價格高于EUV,但它可以一次性實現(xiàn)超精細工藝(單次圖案化),這可以極大地提高生產力。