ALD810030 精密MOSFET 為四個匹配的超級電容器進(jìn)行自動平衡
一種新的精密 MOSFET 陣列——旨在平衡和調(diào)節(jié)額定電壓更高的超級電容器——適用于廣泛的應(yīng)用,如執(zhí)行器、遠(yuǎn)程信息處理、太陽能電池板、應(yīng)急照明、安全設(shè)備、條形碼掃描儀、高級計量箱和備用電池系統(tǒng)。
MOSFET可降低超級電容器的工作偏置電壓,平衡電路的功耗,并可以根據(jù)溫度、時間和環(huán)境變化而自動調(diào)節(jié)。
在能量采集、辦公自動化和備份系統(tǒng)等一系列新產(chǎn)品設(shè)計中,超級電容器(supercapacitor)引起了設(shè)計團(tuán)隊的關(guān)注。這些超級電容器電池具有高效存儲能力,可根據(jù)需要快速釋放能量。為確保峰值性能和較長的產(chǎn)品生命周期,超級電容器的電壓必須得到平衡。如果由于電池之間的泄漏電流差異而發(fā)生不平衡,則可能觸發(fā)能量耗散,導(dǎo)致超級電容器電池過早失效。
超級電容器,也稱為超電容(ultracapacitor),具有高功率、快速充/放電、峰值功率削減和備用電源等功能特性,適合關(guān)鍵型數(shù)據(jù)保護(hù)和電池備份應(yīng)用。對于供電需求不超過30秒的應(yīng)用,它們正成為一種流行的選擇。
超級電容器也提高了能量密度。隨著電池逐漸增加功率密度,它們可以更有效地緩沖和儲存能量,從而最大化能量收集工作。
有個問題:每個超級電容器都有電容、內(nèi)阻和漏電流方面的容差。這可能會導(dǎo)致電池電壓不平衡。必須對超級電容器進(jìn)行平衡,以確保電壓不超過超級電容器的最大額定電壓。
電源系統(tǒng)設(shè)計人員應(yīng)選擇同一制造商的超級電容器,以確保初始電池電壓值在同一范圍內(nèi)。其次,必須補(bǔ)償由單個電池中的漏電流引起的任何電池電壓不平衡。
有兩種類型的平衡方法可用于調(diào)節(jié)超級電容器電池的電壓:主動式和被動式。被動平衡方法會用到低值電阻,這種方法有點(diǎn)耗能,并且不能隨溫度變化而調(diào)節(jié)。主動式平衡方法使用運(yùn)算放大器(op-amp),或使用MOSFET進(jìn)行電流平衡。
以下是兩個超級電容器串聯(lián)在一起的情景。第一種場景是超級電容器具有自動平衡功能,第二種場景是超級電容器不具備自動平衡功能。這兩種設(shè)計方案之間的差異將證明,需要一種自動校正漏電流變化影響的平衡方法。
ALD提供一系列SAB集成電路(IC)以及SAB和SABOVP(過電壓保護(hù))印刷電路板(PCB)。SAB pcb提供有源連續(xù)漏電流調(diào)節(jié)和無限數(shù)量堆疊串聯(lián)超級電容器的自平衡。SABOVP pcb通過優(yōu)越的過電壓箝位電路提供串聯(lián)超級電容器的電壓平衡。這些產(chǎn)品在適當(dāng)設(shè)計的應(yīng)用中使用時,耗散幾乎為零的泄漏電流,實際上消除了額外的功耗。串聯(lián)的超級電容器可以通過多個級聯(lián)的SABMB或SABMBOVP包的各種組合進(jìn)行平衡。
ALD810030 MOSFET 為四個匹配的超級電容器自動平衡 (SAB) MOSFET 通道中的每一個通道提供一組獨(dú)特、精確的工作電壓和電流特性。Advanced Linear Devices (ALD) 推出的 MOSFET 可以平衡兩到四個電壓差非常小的超級電容器,并且不會耗散超過兩個電池之間實際漏電流差的功率。
當(dāng) V IN = 3.00 V 應(yīng)用于陣列時,I OUT為 1 μA。對于 V IN增加 100 mV至 3.10 V,I OUT增加約十倍。如果 V IN額外增加到3.24 V,I OUT增加一百倍至 100 μA。另一方面,對于 V IN降低 100 mV至 2.90 V,I OUT降低至其先前值的十分之一,即 0.1 μA。
ALD 總裁兼創(chuàng)始人 Robert Chao 表示,新的 MOSFET 始終保持開啟狀態(tài),以平衡更大的超級電容器,并且?guī)缀醪缓碾?。他還聲稱,平衡芯片提供 3.00 V 或更高電壓的電源管理能力是一項重大突破。
ALD810030 MOSFET 采用四方封裝,采用該公司的 EPAD 生產(chǎn)技術(shù)制造。ALD810030SCLI 芯片現(xiàn)在有售,每百片單價為 3.29 美元。