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[導讀]中國科技企業(yè)英諾賽科(蘇州)半導體有限公司已經(jīng)實現(xiàn)了技術突破,在可替代材料“硅基氮化鎵”上已經(jīng)完成了量產(chǎn),已經(jīng)建立了生產(chǎn)線,并且完成了對于8英寸硅基氮化鎵晶圓的量產(chǎn)。

中國科技企業(yè)英諾賽科(蘇州)半導體有限公司已經(jīng)實現(xiàn)了技術突破,在可替代材料“硅基氮化鎵”上已經(jīng)完成了量產(chǎn),已經(jīng)建立了生產(chǎn)線,并且完成了對于8英寸硅基氮化鎵晶圓的量產(chǎn)。據(jù)悉這是全球第一座“氮化鎵芯片”生產(chǎn)基地。目前中企已經(jīng)掌握了成熟的技術,一旦氮化鎵被用于制造芯片,相比于硅基芯片功率將直接提升900倍。

中國科學院院士彭練矛和張志勇教授率碳基納米管晶體研究團隊在2020年5月26日,宣布突破了碳基半導體設備制造的瓶頸,制造出高純半導體陣列的碳納米管材料——碳晶體管,在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)碳基芯片制造技術的突破。碳基芯片再一次成為全球熱點。碳基芯片在很多方面確實有叫板硅基芯片實力。值得一提的是,與硅基芯片相比,碳基芯片具有成本更低、功耗更小、效率更高的顯著優(yōu)勢。據(jù)相關報道顯示,與傳統(tǒng)硅基芯片相比,中國碳基芯片在處理大數(shù)據(jù)時不僅速度更快,而且至少可節(jié)約30%的功耗。

1月9日,據(jù)彭博社報道,中國臺灣立法者已經(jīng)通過了新的規(guī)定,允許本地芯片公司將其年度研發(fā)費用的25%轉(zhuǎn)為稅收抵免,這是為了將尖端的半導體技術留在中國臺灣并保持技術領先地位而做出的努力之一。

報道稱,當?shù)毓賳T一再表示,他們將確保最新的芯片技術留在中國臺灣,臺積電和其它本地芯片巨頭的高管也重申了這一點。過去,中國臺灣通過基礎設施建設和其它措施幫助當?shù)氐男酒圃焐蹋缃衿湔诩泳o努力。

周一,臺積電和聯(lián)電的股票在臺北股市上漲超過4%,這是新規(guī)則宣布后的第一個交易日。

"由于美國、日本、韓國和歐盟都在為建立國內(nèi)供應鏈提供大量激勵措施,中國臺灣應該加強關鍵產(chǎn)業(yè)的全球競爭力,"中國臺灣當局在周六的一份聲明中表示,"新規(guī)則將有助于鼓勵本地公司在這里扎根。"

報道指出,從美國到韓國等各國政府一直在為國內(nèi)芯片生產(chǎn)提供激勵,希望減少對中國臺灣先進半導體的嚴重依賴,避免未來的供應中斷。

為了減輕這些擔憂,臺積電正在日本和美國建設新的工廠,并考慮在德國再建一個工廠。

新的激勵措施應該在2023年的某個時候生效。臺版《芯片法案》還規(guī)定,中國臺灣的芯片公司還可以就購買先進工藝技術新設備的年度成本的5%申請稅收抵免。但是,獲得的任何抵免不得超過公司所承擔年度稅款總額的50%。

目前,設備采購是建立新芯片工廠的最大成本。例如,ASML的極紫外(EUV)光刻機現(xiàn)在每臺成本接近2億美元。

美國IBM公司公開宣稱,將會首發(fā)2nm芯片技術。而目前最先進的芯片工藝也只能把芯片做到5nm-7nm。

其實,IBM公司所謂的先進技術并沒有真的投入大規(guī)模生產(chǎn),與此同時,中國也宣布在石墨烯芯片技術領域取得了突破,中科院甚至公開展示了石墨烯晶圓,不過,這一技術也不是很成熟,還沒有投入大規(guī)模的生產(chǎn)。

為什么中美都這么急于宣布自己的芯片技術取得進步?

芯片的制造歷經(jīng)了半個世紀的發(fā)展,從第一臺計算機之時,并沒有芯片,而是簡單的電路排列,很占用空間,所以當時的計算機個頭也非常的大。

而且,不僅僅是占據(jù)空間大,這些電路的功率也非常小,導致整個計算機的處理速度也很受限制。因此,計算機如何減負,如何提高效率,成為主要的研發(fā)方向。

經(jīng)過20年,計算機集成電路新片誕生,出現(xiàn)IC芯片,不過,這種IC集成芯片的集成度并不高,上面只有100多個晶體管,不過比以前已經(jīng)進步了很多,具有里程碑的意義。

IC 芯片的出現(xiàn)讓計算機研究開啟了加速模式,完全顛覆了原來的電路模式,電子設備開始便攜化,電路體積開始壓縮,操作更加簡單。

沿著IC集成電路的模式,很快科學家就研發(fā)出了中型集成電路和大規(guī)模集成電路,與之相關的許多科技產(chǎn)品都開始更新?lián)Q代,比如手機開始智能化,功能大大豐富。

2022年10月4日,三星在美國加州圣何塞舉行年度三星制造論壇線下活動,其芯片代工部門首次發(fā)布2022-2027目標計劃:

第一2027年前實現(xiàn)1.4nm尖端工藝技術;

第二2027年前實現(xiàn)1.4nm芯片量產(chǎn)擴至三倍以上;

第三到2027年實現(xiàn)2001年度晶圓代工的三倍產(chǎn)值。

業(yè)內(nèi)人士一看就知道,這是拔尖之舉啊,既是芯片技術之尖,也是市場占有率之尖。無疑是沖著對手臺積電亮劍。中外媒體們也樂見“兩大巨頭”你爭我奪,在新聞報道中不乏“臺積電時代落幕”“超車”“攤牌”這樣的字眼。

不知是否有意為之,還是踩對了全球芯片產(chǎn)業(yè)的周期步伐,三星此番發(fā)布,恰恰是一個五年計劃,這倒是讓中國大陸的從業(yè)者和讀者們頗有熟悉之感。但是仔細察看三星此次技術與產(chǎn)量謹嚴齊鳴、雄心與步驟蔚然可觀的路線圖面世,可謂是有理有據(jù),國際大廠的務實風范又見一斑。

近年來,關于統(tǒng)治半導體行業(yè)硅芯片的“物理工藝極限已到”,風靡全球芯片界的“摩爾定律已死”的言論不絕于耳,那么看到三星“1.4nm工藝技術和量產(chǎn)雙峰貫耳”的路線圖中,有理有據(jù),又讓人眼前一亮了。

據(jù)熟悉三星的家鄉(xiāng)媒體《BusinessKorea》報道,三星此番線下會議,是時隔三年之后“憋出的大招”,目標很明確:尖端技術+大規(guī)模量產(chǎn),直指當下的芯片發(fā)展的兩大穴位:技術導向和芯片短缺,以及一攬子半導體行業(yè)解決方案。

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