魏哲家：2nm進(jìn)度比之前預(yù)估的好

據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，昨天臺(tái)積電總裁魏哲家在線上法說(shuō)會(huì)上表示，現(xiàn)階段的2nm進(jìn)度比原先預(yù)期的要更好，目前的目標(biāo)是2024年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，并與2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

同時(shí)還表示，3nm制程的應(yīng)用來(lái)自智能手機(jī)與高速運(yùn)算。目前雖然面臨全球智能手機(jī)出貨下降的問(wèn)題，但半導(dǎo)體市場(chǎng)整體是持續(xù)增加的，臺(tái)積電將持續(xù)提供更多價(jià)值，同時(shí)車(chē)用需求也會(huì)持續(xù)增加。

據(jù)悉，臺(tái)積電3nm制程工藝包含N3、N3E、N3P與N3X等。臺(tái)積電認(rèn)為盡管庫(kù)存調(diào)整仍在持續(xù)，但觀察到N3和N3E皆有許多客戶(hù)參與，量產(chǎn)第一年和第二年的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案數(shù)量將是5nm的兩倍以上。

魏哲家表示3nm制程已經(jīng)如期在去年12月成功量產(chǎn)，并具備良好的良率，在高速運(yùn)算和智能手機(jī)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，預(yù)期2023年將平穩(wěn)量產(chǎn)。

除此之外，臺(tái)積電的客戶(hù)對(duì)N3工藝的需求已經(jīng)超過(guò)了臺(tái)積電現(xiàn)階段的供應(yīng)能力，預(yù)期N3工藝將會(huì)在今年全面滿載，并從第3季度開(kāi)始大幅營(yíng)收，N3將占臺(tái)積2023年晶圓營(yíng)收的中個(gè)位數(shù)百分比。

相比于N5在2020年量產(chǎn)第一年的營(yíng)收貢獻(xiàn)，預(yù)期N3在2023年的營(yíng)收貢獻(xiàn)會(huì)更高。臺(tái)積電預(yù)期在未來(lái)的3年及以后，市場(chǎng)都會(huì)對(duì)3nm制程技術(shù)需求強(qiáng)勁，并表示有信心使得3nm成為臺(tái)積電另一個(gè)大規(guī)模且有長(zhǎng)期需求的制程技術(shù)。