臺積電400億美元建設(shè)美國3nm芯片廠：成本高出5倍

原本只計劃在美國建設(shè)5nm芯片廠的臺積電在去年底態(tài)度大變，對美國的投資大增，而且先進工藝也要轉(zhuǎn)移出去，計劃投資400億美元建設(shè)3nm芯片廠。

據(jù)臺積電所說，其亞利桑那州工廠將開始興建第二期工程，預(yù)計于2026年開始生產(chǎn)3nm制程技術(shù)，該廠目前興建中的第一期工程預(yù)計于2024年開始生產(chǎn)4nm制程技術(shù)(原計劃是5nm)，兩期工程總投資金額約為400億美元。

臺積電表示，除了幫助建設(shè)廠房地的1萬多名建筑工人外，臺積電亞利桑那州的兩座晶圓廠預(yù)計將額外創(chuàng)造1萬個高薪高科技工作崗位，其中包括4500個直接受雇于臺積電的工作崗位。

然而臺積電選擇美國建廠不是沒有代價的，在日前的說法會上，臺積電CEO魏哲家承認，美國直接建廠的廠房成本發(fā)是臺積電的四五倍，這不僅要歸咎于美國的通脹及各種人工成本，還有各種許可證的額外成本，包括環(huán)境影響評估等等。

在美國建廠的成本原告于本土，但臺積電表示將尋求各種方式來降低成本。