Rambus推出6400MT/s DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步提升服務(wù)器內(nèi)存性能

· 與Gen1 DDR5設(shè)備相比，數(shù)據(jù)速率和帶寬提高了33%

· 為未來的服務(wù)器平臺(tái)提供運(yùn)行速度高達(dá)6400 MT/s的DDR5 RDIMM服務(wù)器主內(nèi)存

· 擴(kuò)展了領(lǐng)先的DDR5內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品陣容，該系列產(chǎn)品現(xiàn)包括Gen1 4800 MT/s RCD、Gen2 5600 MT/s RCD和Gen3 6400 MT/s RCD

中國(guó)北京，2023年2月22日——作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼：RMBS)今日宣布推出全新6400 MT/s DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)，并向各大DDR5內(nèi)存模塊(RDIMM)制造商提供樣品。相比第一代 4800 MT/s解決方案，Rambus 第三代6400 MT/s DDR5 RCD的數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬提高了33%，使數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的主內(nèi)存性能達(dá)到了一個(gè)新的水平。該產(chǎn)品的延遲和功耗均達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平，其經(jīng)過優(yōu)化的時(shí)序參數(shù)將提高RDIMM的裕量。

Rambus Gen3 6400 MT/s DDR5 RCD

Rambus Gen3 6400 MT/s DDR5 RCD眼圖

Rambus首席運(yùn)營(yíng)官范賢志表示：“數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載對(duì)內(nèi)存帶寬和容量的需求永遠(yuǎn)在增加，我們的使命就是提高服務(wù)器內(nèi)存解決方案的性能，滿足每一代新服務(wù)器平臺(tái)的內(nèi)存需求。我們?cè)跇I(yè)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了5600 MT/s的性能，現(xiàn)在我們?cè)俣韧黄?，將第三代DDR5 RCD的性能提升到6400 MT/s，為新一代RDIMM服務(wù)器主內(nèi)存保駕護(hù)航。”

IDC內(nèi)存半導(dǎo)體部門副總裁Soo-Kyoum Kim表示：“DDR5大幅提升了計(jì)算系統(tǒng)的性能。隨著數(shù)據(jù)中心應(yīng)用更加頻繁地要求越來越高的內(nèi)存帶寬，DDR5生態(tài)系統(tǒng)將成為提升下一代數(shù)據(jù)中心性能提升這一基本需求的關(guān)鍵?！?

Rambus DDR5內(nèi)存接口芯片包含RCD、串行檢測(cè)(SPD)集線器和溫度傳感器，對(duì)于提升領(lǐng)先服務(wù)器的性能水平十分重要。憑借DDR5內(nèi)存，RDIMM更智能，同時(shí)將數(shù)據(jù)傳輸速度提升了一倍以上，容量達(dá)到DDR4 RDIMMs的四倍，內(nèi)存和電源效率也有所提高。憑借在高性能內(nèi)存領(lǐng)域積累30多年的經(jīng)驗(yàn)，Rambus以其信號(hào)完整性(SI)/電源完整性(PI)方面的專業(yè)技術(shù)著稱。這種專長(zhǎng)大大有利于DDR5內(nèi)存接口芯片確保從主機(jī)內(nèi)存控制器發(fā)送到RDIMM的命令/地址和時(shí)鐘信號(hào)具有出色的信號(hào)完整性。