Intel：突破 2nm 以下制程工藝，預計明年量產(chǎn)

據(jù)業(yè)內(nèi)信息，Intel高級副總裁兼中國區(qū)董事長王瑞近日表示，目前已經(jīng)完成和IFS部門芯片制造所需的Intel 18A (1.8nm)和Intel 20A (2nm)制程工藝的開發(fā)并已經(jīng)流片，預計最早于2024年量產(chǎn)。

除此之外，Intel已經(jīng)確定了Intel 18A (1.8nm)和Intel 20A (2nm)的所有規(guī)格、材料、要求和性能目標。Intel 20A (2nm)制造工藝將依賴于全門控環(huán)繞RibbonFET晶體管，并采用背面供電。

據(jù)悉，同時縮小金屬間距、引入全新的晶體管結構和背面供電是具有較高風險的方案，但是如果成功的話將超越臺積電和三星半導體。

Intel 18A (1.8nm)制造工藝將進一步完善Intel的RibbonFET和PowerVia技術，并縮小晶體管尺寸。該節(jié)點的開發(fā)進展順利，Intel將其推出時間從2025年提前到了2024年下半年。

Pat·Gelsinger進入Intel之后，就開啟了IDM 2.0戰(zhàn)略，力求打造代工業(yè)務并擴大產(chǎn)能，使得近幾年發(fā)展迅速，從Intel 10制程開始，逐步有序進入到Intel 7和Intel 4技術節(jié)點，然后就是 Intel 3、Intel 20A 和最新的Intel 18A制程。

據(jù)悉，Intel最初計劃在其Intel 18A (1.8nm)節(jié)點上使用ASML的Twinscan EXE掃描儀，數(shù)值孔徑(NA)光學為0.55，但由于決定盡早使用該技術，它將不得不廣泛使用現(xiàn)有的Twinscan NXE掃描儀，光學NA為0.33，以及EUV雙重圖案。

Intel 18A (1.8nm)和Intel 20A (2nm)制造工藝既為公司自身產(chǎn)品的生產(chǎn)開發(fā)，也將用于Intel Foundry Services (IFS)事業(yè)部為其代工客戶生產(chǎn)芯片，2024年下半年產(chǎn)進入市場后將成為行業(yè)最先進的工藝節(jié)點。

Pat·Gelsinger在最近與分析師和投資者的電話會議上表示：“我們與10大代工客戶中的七家保持著積極的合作關系，并持續(xù)擴大合作伙伴生態(tài)系統(tǒng)的增長，目前已經(jīng)有43個潛在客戶和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴進行測試芯片。此外，我們在Intel 18A方面仍在取得進展，已經(jīng)與我們的主要客戶分享了PDK 0.5(工藝設計工具包)的工程版本，并預計在未來幾周內(nèi)發(fā)布最終生產(chǎn)版本?！?