意法半導(dǎo)體發(fā)布100V工業(yè)級STripFET F8晶體管,優(yōu)值系數(shù)提高 40%
2023 年 5 月 24 日,中國—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on),優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。
新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進技術(shù),引入氧化物填充溝槽工藝,集極低的導(dǎo)通損耗和低柵極電荷于一身,實現(xiàn)高效的開關(guān)性能。因此,STL120N10F8的最大導(dǎo)通電阻 RDS(on)為 4.6mΩ(在 VGS = 10V 時),高效運行頻率達到600kHz。
STripFET F8技術(shù)還確保輸出電容值可以減輕漏源電壓尖峰,最大程度地減少充放電能量浪費。此外,這款MOSFET的體漏二極管的軟度特性更高。這些改進之處可以減少電磁輻射,簡化最終系統(tǒng)的合規(guī)性測試,確保電磁兼容性 (EMC)符合適用的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。
STL120N10F8擁有卓越的能效和較低的電磁輻射,可以增強硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞碾娫崔D(zhuǎn)換性能。此外,這款產(chǎn)品還是首款完全符合工業(yè)級規(guī)格的 STPOWER 100V STripFET F8 MOSFET,非常適合電機控制、電信和計算機系統(tǒng)的電源及轉(zhuǎn)換器、LED 和低壓照明,以及消費類電器和電池供電設(shè)備。
新款MOSFET還有其他優(yōu)勢,其中包括柵極閾值電壓(VGS(th))差很小,這個優(yōu)勢在強電流應(yīng)用中很有用,可簡化多個功率開關(guān)管的并聯(lián)設(shè)計。新產(chǎn)品的魯棒性非常強,能夠承受 10μs的800A短路脈沖電流沖擊。
The STL120N10F8 is in full production in the PowerFLAT5x6 package, priced from $1.04 for orders of 1000 pieces.
STL120N10F8采用 PowerFLAT5x6 封裝,現(xiàn)已全面投產(chǎn)。