據(jù)業(yè)內(nèi)信息，昨天中微半導體設備(上海)股份有限公司宣布，在針對美國半導體設備大廠泛林集團(Lam Research Corporation)提起的侵犯商業(yè)秘密案中贏得二審勝訴。
在 6 月 30 日上海市高級人民法院的終審判決中，法院命令泛林集團銷毀其非法獲取的與中微公司等離子刻蝕機有關的一份技術文件和兩張照片;法院還禁止泛林集團及泛林集團的兩名個人被告披露、使用或允許他人使用中微公司的專有的技術秘密以及命令泛林集團為其侵犯商業(yè)秘密向中微公司支付賠償金和法律費用。
據(jù)悉，中微公司曾于 2010 年 12 月向上海市第一中級人民法院提起訴訟，主張泛林集團侵犯中微公司的商業(yè)秘密。中微公司當時主張泛林集團在數(shù)年前非法獲取了中微公司機密的技術文件和機密的反應腔內(nèi)部照片。
中微公司還主張泛林集團安排其技術專家在證據(jù)保全時不恰當?shù)夭炜春蜏y量中微刻蝕機的內(nèi)部結構，然后使用獲取的信息于 2009 年 1 月向臺灣智慧財產(chǎn)法院起訴中微專利侵權，試圖影響中微產(chǎn)品進入臺灣市場。
資料顯示，泛林集團于 2009 年 1 月指控中微公司型號為 Primo D-RIE 的等離子蝕刻機侵害它的臺灣 TW136706“電漿反應器中之多孔的電漿密封環(huán)”和 TW126873“于電漿處理室中大量消除未局限電漿之聚焦環(huán)配置”，還在臺灣發(fā)起了針對中微公司臺灣分公司及其關聯(lián)企業(yè)的侵權訴訟。
隨后，中微公司以事實回應泛林的指控并指出泛林所提出的被侵權的根本就是無效的。2009年 6 月，泛林公司除了僅保留與 TW136706 相關的部分侵權主張外，撤回了它其他大多數(shù)的侵權主張。
臺灣智慧財產(chǎn)法院法官在聽取雙方針對有效性問題辯論后，基于不需要更進一步的調查關于侵權的爭議點并于同年 9 月 8 日駁回了該案，最終認定泛林集團主張遭到侵害的是無效的。該判決對中微半導體意義重大，并保證了中微公司能夠持續(xù)在臺灣市場布局和推廣其技術的產(chǎn)品。
中微公司董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯博士表示：“中微公司極度重視自主創(chuàng)新和知識產(chǎn)權保護。我們在研發(fā)方面大量投入，致力于為我們的全球客戶帶來創(chuàng)新性的技術和解決方案。與此同時，我們?nèi)ΡＷo我們的專有技術與知識產(chǎn)權，我們不容忍侵犯公司商業(yè)秘密或其他不光彩的行為。本次終審的勝訴判決，再次凸顯了中微公司保護自身權益的決心，也展示了監(jiān)管部門對國內(nèi)外市場主體一視同仁的公正立場?！?
無獨有偶，2017 年 7 月 13 日中微公司于向福建省高級人民法院正式起訴維易科精密儀器國際貿(mào)易(上海)有限公司(Veeco 上海)專利侵權，申請對 Veeco 上海發(fā)布永久禁令，要求禁售相關侵權的 MOCVD 設備以及在該設備中使用的基片托盤，并賠償中微經(jīng)濟損失 1 億元人民幣以上。
隨后，Veeco 上海向國家知識產(chǎn)權局專利復審委員會提交專利無效宣告請求，主張中微專利無效，還有一位自然人也對該涉案專利提起了無效宣告請求。專利復審委對此先后分別開庭審理，并于同年 11 月 24 日駁回了兩個無效宣告請求，確認中微專利有效。
2017 年 12 月 8 日，中國福建省高級人民法院同意了中微公司針對 Veeco 上海禁令申請，該禁令立即生效執(zhí)行，不可上訴。
據(jù)中微半導體官網(wǎng)介紹，刻蝕是半導體器件制造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。在半導體器件的整個制造過程中，刻蝕步驟多達上百個，是半導體制造中最常用的工藝之一。中微公司專注于研發(fā)干法刻蝕(等離子體刻蝕)設備，用于在晶圓上加工微觀結構。干法刻蝕通過等離子釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除(刻蝕)材料。根據(jù)所要去除材料和加工器件結構的不同，可分為電介質刻蝕、導體刻蝕和硅通孔刻蝕。新電子材料的集成和加工器件尺寸的不斷縮小為刻蝕設備帶來了新的技術挑戰(zhàn)，同時對性能的要求(刻蝕均勻性、穩(wěn)定性和可靠性)越來越高。中微公司憑借一系列刻蝕設備組合處于刻蝕創(chuàng)新技術的前沿，幫助芯片制造商加工10納米、7納米甚至5納米及更先進的微觀結構，具有成本優(yōu)勢。
中微公司自主研發(fā)生產(chǎn)的刻蝕設備已被眾多領先客戶的芯片生產(chǎn)線所采用，用于制造先進的半導體器件，以推動人工智能、機器學習和機器人技術的發(fā)展。這些半導體器件還能提供邏輯和存儲器，以應用于消費者電子產(chǎn)品、5G網(wǎng)絡、功能強大的服務器、自動駕駛汽車、智能電網(wǎng)等領域。
內(nèi)容來源為芯智訊、中微半導體官方、網(wǎng)絡信息等
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