SDRAM、SRAM與DRAM這幾種內(nèi)存的區(qū)別是什么？

SRAM ： 靜態(tài)RAM，不用刷新，速度可以非?？欤馛PU內(nèi)部的cache，都是靜態(tài)RAM，缺點(diǎn)是一個(gè)內(nèi)存單元需要的晶體管數(shù)量多，因而價(jià)格昂貴，容量不大。

DRAM： 動(dòng)態(tài)RAM，需要刷新，容量大。

SDRAM ：同步動(dòng)態(tài)RAM，需要刷新，速度較快，容量大。

DDR SDRAM： 雙通道同步動(dòng)態(tài)RAM，需要刷新，速度快，容量大。

具體解釋一：

什么是DRAM

DRAM 的英文全稱(chēng)是'Dynamic RAM'，翻譯成中文就是'動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器'。DRAM用于通常的數(shù)據(jù)存取。我們常說(shuō)內(nèi)存有多大，主要是指DRAM的容量。

什么是SRAM

SRAM 的英文全稱(chēng)是'Static RAM'，翻譯成中文就是'靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器'。SRAM主要用于制造Cache。

什么是SDRAM

SDRAM 的英文全稱(chēng)是'Synchronous DRAM'，翻譯成中文就是'擴(kuò)充數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存'，它比一般DRAM和EDO RAM速度都快，它已經(jīng)逐漸成為PC機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存配置。

什么是Cache

Cache 的英文原意是'儲(chǔ)藏'，它一般使用SRAM制造，它與CPU之間交換數(shù)據(jù)的速度高于DRAM，所以被稱(chēng)作'高速緩沖存儲(chǔ)器'，簡(jiǎn)稱(chēng)為'高速緩存'。由于CPU的信息處理速度常常超過(guò)其它部件的信息傳遞速度，所以使用一般的DRAM來(lái)作為信息存儲(chǔ)器常常使CPU處于等待狀態(tài)，造成資源的浪費(fèi)。Cache就是為了解決這個(gè)問(wèn)題而誕生的。在操作系統(tǒng)啟動(dòng)以后，CPU就把DRAM中經(jīng)常被調(diào)用的一些系統(tǒng)信息暫時(shí)儲(chǔ)存在Cache里面，以后當(dāng)CPU需要調(diào)用這些信息時(shí)，首先到Cache里去找，如果找到了，就直接從Cache里讀取，這樣利用Cache的高速性能就可以節(jié)省很多時(shí)間。大多數(shù)CPU在自身中集成了一定量的Cache，一般被稱(chēng)作'一級(jí)緩存'或'內(nèi)置Cache'。這部分存儲(chǔ)器與CPU的信息交換速度是最快的，但容量較小。大多數(shù)主板上也集成了Cache，一般被稱(chēng)作'二級(jí)緩存'或'外置Cache'，比內(nèi)置Cache容量大些，一般可達(dá)到256K，現(xiàn)在有的主板已經(jīng)使用了512K～2M的高速緩存。在最新的Pentium二代CPU內(nèi)部，已經(jīng)集成了一級(jí)緩存和二級(jí)緩存，那時(shí)主板上的Cache就只能叫作'三級(jí)緩存'了。

什么是閃存

閃存 目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造，翻譯成中文就是'閃動(dòng)的存儲(chǔ)器'，通常把它稱(chēng)作'快閃存儲(chǔ)器'，簡(jiǎn)稱(chēng)'閃存'。這種存儲(chǔ)器可以直接通過(guò)調(diào)節(jié)主板上的電壓來(lái)對(duì)BIOS進(jìn)行升級(jí)操作。

解釋為什么dram要刷新，sram不需要：

這個(gè)是由于ram的設(shè)計(jì)類(lèi)型決定的，dram用了一個(gè)t和一個(gè)rc電路，導(dǎo)致電容毀漏電和緩慢放電。所以需要經(jīng)常的刷新來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)

具體解釋二：

DRAM，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)。 而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁(yè)模式。

SRAM，靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。

SDRAM，同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)需要時(shí)鐘來(lái)同步。

DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問(wèn)題，容量較SRAM大。但是讀寫(xiě)速度不如SRAM，但是現(xiàn)在，SDRAM的速度也已經(jīng)很快了，時(shí)鐘好像已經(jīng)有150兆的了。那么就是讀寫(xiě)周期小于10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實(shí)際吞吐率要打折扣。以PC133為例，它的時(shí)鐘周期是7.5ns，當(dāng)CAS latency=2 時(shí)，它需要12個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)讀操作，10個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)寫(xiě)操作。不過(guò)，如果以交替方式訪問(wèn)Bank，SDRAM可以在每個(gè)周期完成一個(gè)讀寫(xiě)操作(當(dāng)然除去刷新操作)。其實(shí)現(xiàn)在的主流高速存儲(chǔ)器是SSRAM(同步SRAM)和SDRAM(同步DRAM)。目前可以方便買(mǎi)到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz;可以方便買(mǎi)到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。

SRAM是Static Random Access Memory的縮寫(xiě)，中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器，它是一種類(lèi)型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器?！办o態(tài)”是指只要不掉電，存儲(chǔ)在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會(huì)丟失。這一點(diǎn)與動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)不同，DRAM需要進(jìn)行周期性的刷新操作。 然后，我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲(chǔ)器(ROM)和Flash Memory相混淆，因?yàn)镾RAM是一種易失性存儲(chǔ)器，它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)?！半S機(jī)訪問(wèn)”是指存儲(chǔ)器的內(nèi)容可以以任何順序訪問(wèn)，而不管前一次訪問(wèn)的是哪一個(gè)位置。

SRAM中的每一位均存儲(chǔ)在四個(gè)晶體管當(dāng)中，這四個(gè)晶體管組成了兩個(gè)交叉耦合反向器。這個(gè)存儲(chǔ)單元具有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，通常表示為0和1。另外還需要兩個(gè)訪問(wèn)晶體管用于控制讀或?qū)懖僮鬟^(guò)程中存儲(chǔ)單元的訪問(wèn)。因此，一個(gè)存儲(chǔ)位通常需要六個(gè)MOSFET。對(duì)稱(chēng)的電路結(jié)構(gòu)使得SRAM的訪問(wèn)速度要快于DRAM。SRAM比DRAM訪問(wèn)速度快的另外一個(gè)原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復(fù)用的結(jié)構(gòu)。

1.sdram和sram的區(qū)別

SDRAM是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的縮寫(xiě)，而SRAM是同步隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的縮寫(xiě)。它們的最大區(qū)別在于，SDRAM必須被外部時(shí)鐘同步刷新，而SRAM則不需要刷新。

雖然SRAM速度更快，讀寫(xiě)時(shí)間也更短，但SRAM的成本較高，所以在存儲(chǔ)器容量較小的情況下，通常使用SRAM，而對(duì)于大容量存儲(chǔ)器，則使用SDRAM。

2.sdram和dram的主要區(qū)別

DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的縮寫(xiě)，與SDRAM的最大區(qū)別在于，在DRAM中必須定期刷新電容，否則數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。而SDRAM擁有內(nèi)置的刷新機(jī)制，無(wú)需外部干預(yù)。

此外，由于DRAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，訪問(wèn)速度比SDRAM慢得多。盡管如此，DRAM仍然是一種流行的內(nèi)存類(lèi)型，主要是因?yàn)樗某杀颈萐DRAM更低，而且能夠滿足許多基本應(yīng)用程序的需求。

RAM是指通過(guò)指令可以隨機(jī)的、個(gè)別的對(duì)各個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問(wèn)的存儲(chǔ)器，一般訪問(wèn)時(shí)間基本固定，而與存儲(chǔ)單元地址無(wú)關(guān)。RAM的速度比較快，但其保存的信息需要電力支持，一旦丟失供電即數(shù)據(jù)消失，所以又叫易失性存儲(chǔ)器，還有一種很有趣的叫法是"揮發(fā)性存儲(chǔ)器"，當(dāng)然這里"揮發(fā)"掉的是數(shù)據(jù)而不是物理上的芯片。

RAM又分動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM，DYNAMIC RAM)和靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM，STATIC RAM)。SRAM是利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)保存信息的，只要不斷電，信息是不會(huì)丟失的，所以謂之靜態(tài);DRAM利用MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體)電容存儲(chǔ)電荷來(lái)儲(chǔ)存信息，大家都知道，電容是會(huì)漏電的，所以必須通過(guò)不停的給電容充電來(lái)維持信息，這個(gè)充電的過(guò)程叫再生或刷新(REFRESH)。由于電容的充放電是需要相對(duì)較長(zhǎng)的時(shí)間的，DRAM的速度要慢于SRAM。但SRAM免刷新的優(yōu)點(diǎn)需要較復(fù)雜的電路支持，如一個(gè)典型的SRAM的存儲(chǔ)單元需要六個(gè)晶體管(三極管)構(gòu)成，而DRAM的一個(gè)存儲(chǔ)單元最初需要三個(gè)晶體管和一個(gè)電容，后來(lái)經(jīng)過(guò)改進(jìn)，就只需要一個(gè)晶體管和一個(gè)電容了。由此可見(jiàn)，DRAM的成本、集成度、功耗等明顯優(yōu)于SRAM。

(一) DRAM

DRAM就是我們常說(shuō)的內(nèi)存，這顯然就是狹義的內(nèi)存概念了。后面我們說(shuō)的內(nèi)存也是這個(gè)狹義的概念--DRAM。常見(jiàn)的DRAM有許多規(guī)格，如FPM DRAM 、EDO DRAM、BEDO DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、SLDRAM、RDRAM、DIRECT RDRAM等。

1. FPM DRAM(FAST PAGE MODE DRAM，快速頁(yè)模式DRAM)

傳統(tǒng)的DRAM在存取一個(gè)BIT的數(shù)據(jù)時(shí)，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫(xiě)數(shù)據(jù)。FRM DRAM對(duì)此做了改進(jìn)，在觸發(fā)了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行內(nèi)，則可以連續(xù)輸出列地址而不必再輸出行地址了。由于一般的程序和數(shù)據(jù)在內(nèi)存中排列的地址是連續(xù)的，這種情況下輸出行地址后連續(xù)輸出列地址就可以得到所需要的數(shù)據(jù)。因此FPM DRAM的設(shè)計(jì)可以提高內(nèi)存的傳輸速率。在96年以前，在486時(shí)代和PENTIUM時(shí)代的初期，F(xiàn)PM DRAM被大量使用。

2. EDO DRAM(EXTENDED DATA OUT DRAM，擴(kuò)充數(shù)據(jù)輸出DRAM)

傳統(tǒng)的DRAM和FPM DRAM 在存取每一BIT 數(shù)據(jù)時(shí)必須輸出行地址和列地址并使其穩(wěn)定一段時(shí)間，然后才能讀寫(xiě)有效的數(shù)據(jù)。而下一個(gè)BIT的地址必須等待這次讀寫(xiě)操作完成才能輸出。EDO DRAM對(duì)FPM DRAM 的改進(jìn)主要是縮短等待輸出地址的時(shí)間。EDO DRAM不必等待資料的讀寫(xiě)操作是否完成，只要規(guī)定的有效時(shí)間一到就可以準(zhǔn)備輸出下一個(gè)地址，由此可以減小等待時(shí)間。從另一個(gè)角度說(shuō)，EDO DRAM 在讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的同時(shí)進(jìn)行下一地址的準(zhǔn)備工作，提高了工作效率。后期的486系統(tǒng)開(kāi)始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM開(kāi)始執(zhí)行。

3. BEDO DRAM (BURST EDO DRAM ，突發(fā)式EDO DRAM)

BEDO DRAM是突發(fā)式的讀取方式，也就是當(dāng)一個(gè)數(shù)據(jù)地址被送出后，剩下的三個(gè)數(shù)據(jù)每一個(gè)都只需要一個(gè)周期就能讀取。BEDO 的主要加強(qiáng)之處是在芯片上增加了一個(gè)地址計(jì)數(shù)器來(lái)追蹤下一個(gè)地址。BEDO DRAM可以一次存取一批數(shù)據(jù)而EDO DRAM只能存取一組數(shù)據(jù)，所以BEDO DRAM比EDO DRAM更快。但BEDO DRAM 在內(nèi)存市場(chǎng)上只是曇花一現(xiàn)，只有很少的主板支持(如VIA APOLLO VP2)，很快就被DRAM替代了。

4. SDRAM(SYNCHRONOUS DRAM)

SDRAM 的最大特點(diǎn)就是可以與CPU的外頻同步，可以取消等待周期，減少了數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t。而此前的DRAM 都使用異步方式工作，由于沒(méi)有與系統(tǒng)的外頻同步，在存取數(shù)據(jù)時(shí)，系統(tǒng)必須等待若干時(shí)序才能接受和送出數(shù)據(jù)，如SDRAM可以使存儲(chǔ)器控制器知道在哪一個(gè)時(shí)鐘脈沖周期使數(shù)據(jù)請(qǐng)求使能，因此數(shù)據(jù)可在脈沖沿來(lái)到之前便開(kāi)始傳輸，而EDO DRAM每隔2時(shí)鐘才開(kāi)始傳輸，F(xiàn)PM DRAM每隔3個(gè)時(shí)鐘脈沖周期才開(kāi)始傳輸，從而制約了傳輸率。當(dāng)CPU的頻率越來(lái)越高后，異步DRAM的數(shù)據(jù)傳輸率就成為系統(tǒng)的瓶頸，而且，隨著頻率的提高，異步DRAM與SDRAM的性能差距會(huì)越來(lái)越大。

對(duì)DRAM而言，除了容量，最重要的指標(biāo)就是速度了。一般FPM DRAM和EDO DRAM的速度在0~70ns之間，SDRAM的速度在10 ns左右。由于SDRAM的工作速度與系統(tǒng)的外頻保持一致，所以SDRAM的速度標(biāo)識(shí)可以換算成工作頻率，如100 ns的SDRAM的頻率是1 s/10 ns=100 MHz，同理，8 ns的SDRAM的工作頻率是125 MHz，12 ns的SDRAM 的工作頻率是83 MHz，15ns的SDRAM的工作頻率是66 MHz。由于目前流行的是PC100的SDRAM，讀者在采購(gòu)內(nèi)存時(shí)絕大多數(shù)希望選購(gòu)符合PC100規(guī)范的SDRAM。PC100規(guī)格非常復(fù)雜，我們應(yīng)該了解的部分主要是內(nèi)存條上應(yīng)帶SPD，內(nèi)存工作頻率為100 MHz時(shí)，CL應(yīng)為2或3個(gè)clk，最好為2 clk，tAC必須不超過(guò)6 ns等。

除了以上PC100規(guī)范要求的一些性能指標(biāo)外，一個(gè)真正的發(fā)燒友還應(yīng)該關(guān)心一下SDRAM芯片其他幾個(gè)很重要的指標(biāo)：如芯片的輸出位寬、功耗(電壓)等，因?yàn)檫@些指標(biāo)也決定了內(nèi)存的超頻潛力--給內(nèi)存超頻的時(shí)候還是很多的，即使不超頻，性能好的內(nèi)存也意味著更高的穩(wěn)定裕度和更好的升級(jí)潛力。

(二) SRAM

SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存(cache).SRAM也有許多種，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM,異步SRAM)、Sync SRAM (Synchronous SRAM,同步SRAM)、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM,管道突發(fā)SRAM)，還有INTEL沒(méi)有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等。