Transphorm與偉詮電子合作推出氮化鎵系統(tǒng)級封裝器件，支持多功率等級，為客戶創(chuàng)造競爭優(yōu)勢

2023 年 12 月 28 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(Nasdaq：TGAN)與適配器USB-C PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導者Weltrend Semiconductor Inc.(偉詮電子，TWSE：2436)宣布合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設(shè)計。該參考設(shè)計電路采用兩家公司合作開發(fā)的系統(tǒng)級封裝(SiP)SuperGaN®電源控制芯片WT7162RHUG24A，在準諧振反激式(QRF)拓撲中可實現(xiàn)92.2%的效率。

該參考設(shè)計是偉詮電子推出的第二款使用WT7162RHUG24A的QRF拓撲USB-C PD適配器控制板。在今年早些時候，偉詮電子發(fā)布了65瓦的適配器控制電路。兩款適配器控制板采用同一個SuperGaN SiP，與競爭方案相比，客戶能夠以更優(yōu)的成本實現(xiàn)100瓦產(chǎn)品設(shè)計，從而實現(xiàn)規(guī)模效益。這也表明，65瓦功率級SuperGaN SiP同樣滿足100瓦功率級設(shè)計的性能和散熱要求。

Transphorm業(yè)務發(fā)展及市場營銷高級副總裁 Philip Zuk 表示：“基于氮化鎵的集成電路可以簡化設(shè)計，這個想法很棒，但必須“做到集成”，必須是封裝內(nèi)置有必需的控制器的單一集成器件。這正是偉詮電子和Transphorm的SuperGaN SiP的優(yōu)勢所在。我們推出的系統(tǒng)級封裝是簡單的常閉型解決方案，無需保護電路、驅(qū)動器或外部控制器。除此之外，同一顆SiP還適用于65瓦和100瓦的電源適配器。具備了這些亮點的產(chǎn)品和方案，才真正展示出氮化鎵所固有的全面的性能優(yōu)勢和穩(wěn)健特性。目前，只有Transphorm的SuperGaN平臺能夠?qū)崿F(xiàn)?！?

偉詮電子市場營銷副總裁Wayne Lo指出：“偉詮電子在AC-DC電源市場的市占率正不斷增長，確保為市場提供最好、最實用的解決方案，對我們來說最為重要。目前，利用氮化鎵材料極具吸引力的諸多性能優(yōu)勢，電源適配器市場在不斷創(chuàng)新迭代，偉詮電子要做的就是確?？蛻裟軌蚴芤嬗?a href="/tags/氮化鎵" target="_blank">氮化鎵的這些優(yōu)勢——不僅在技術(shù)上受益，而且能獲得更好、更全面的投資回報(ROI)。一顆SiP，既滿足適配器物理設(shè)計要求，同時又適用于整個適配器系列的不同型號，這是偉詮電子、Transphorm以及客戶的多方共贏。這款新發(fā)布的100瓦參考設(shè)計方案，有力地證明了我們的技術(shù)在低價位市場同樣具有競爭力，而這只是起步，未來可期?！?

100瓦適配器參考設(shè)計規(guī)格

偉詮電子的通用型100瓦電源適配器驗證板按照USB PD 3.0 + PPS 標準設(shè)計，用于更快地開發(fā)為智能手機、平板電腦、筆記本電腦和其它智能設(shè)備充電的各種扁平高性能電源適配器。主要技術(shù)規(guī)格如下：

SuperGaN SiP：結(jié)構(gòu)緊湊、成本效益高、加速產(chǎn)品開發(fā)

WT7162RHUG24A是一款真正的集成電路，專為應用于45至100瓦USB-C PD電源適配器而設(shè)計。該器件集成了Weltrend的WT7162RHSG08準諧振/多模反激式PWM控制器和Transphorm的240 毫歐姆、650 V SuperGaN® FET。該SiP IC是24引腳8x8 QFN封裝的表面貼裝器件，可實現(xiàn)92.2%的峰值效率。主要優(yōu)勢包括更高的功率密度和更好的散熱性能，因此，具有更長期的可靠性，且降低BOM物料成本。