臺積電獲美國66億美元補(bǔ)貼 將在美生產(chǎn)2nm芯片

業(yè)內(nèi)消息，美國聯(lián)邦將為臺積電提供66億美元撥款補(bǔ)貼，在這一支持下臺積電同意將其在美國的投資由400億美元增加60%以上，達(dá)到650億美元以上。此外臺積電還將在美國本土生產(chǎn)世界上最先進(jìn)的2nm芯片。

美國商務(wù)部長吉娜·雷蒙多（Gina·Raimondo）表示，臺積電將在亞利桑那州鳳凰城建造一座此前未宣布的第三座芯片工廠，該工廠將于2030年投入運(yùn)營，臺積電增加至650億美元的投資將使美國有望在2030年生產(chǎn)出全球約20%的尖端芯片。

臺積電還將獲得50億美元貸款，并可申請高達(dá)資本支出25%的投資稅收抵免。雷蒙多在正式宣布這一消息前稱：“我們將有史以來第一次在美國大規(guī)模生產(chǎn)地球上最先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片。這些芯片將‘支撐所有人工智能（AI）的需求’。”

雷蒙多表示，14家供應(yīng)商計(jì)劃在亞利桑那州或美國其他地方建造或擴(kuò)建工廠，以支持臺積電的制造工廠。臺積電70%的客戶是美國公司，其客戶明確表示要購買美國制造的芯片。

臺積電位于亞利桑那州的第一家工廠將生產(chǎn)4nm芯片，計(jì)劃于2025年開始生產(chǎn)。該公司表示，其第二家工廠原本打算生產(chǎn)3nm芯片，現(xiàn)在也將生產(chǎn)2nm芯片，該工廠計(jì)劃于2028年開始生產(chǎn)。臺積電表示，第三座工廠將生產(chǎn)2nm芯片，以及更先進(jìn)的半導(dǎo)體。

臺積電的補(bǔ)貼是《芯片和科學(xué)法案》規(guī)定的第二大撥款，僅次于向英特爾提供的85億美元撥款和110億美元貸款。下圖為美國芯片法案目前資金分配情況：

（集微網(wǎng)）