安卓陣營(yíng)開(kāi)啟3nm時(shí)代！三星宣布3nm芯片成功流片

5月8日消息，三星宣布，3nm芯片順利流片，為芯片的大規(guī)模量產(chǎn)做好了準(zhǔn)備。

據(jù)悉，三星與Synopsys公司合作，雙方對(duì)整個(gè)芯片制造過(guò)程進(jìn)行微調(diào)，從而最大限度提升芯片良率。

這是三星第一款3nm芯片，它采用Gate All Around(GAA)工藝，三星GAA設(shè)計(jì)被稱(chēng)為MCBFET，即多信道橋式FET。

三星稱(chēng)，與傳統(tǒng)3nm芯片相比，自家3nm GAA設(shè)計(jì)的產(chǎn)品功率損耗可降低50%，性能也將得到改善，與之前的4nm FinFET工藝相比，能效和密度有著20%至30%的提升。

按照計(jì)劃，三星接下來(lái)會(huì)大規(guī)模生產(chǎn)下一代Soc，這顆芯片應(yīng)該是傳聞中的Exynos 2500，Galaxy S25系列將會(huì)首發(fā)搭載，其性能對(duì)標(biāo)高通驍龍8 Gen4以及聯(lián)發(fā)科天璣9400，后兩款芯片則是采用臺(tái)積電3nm工藝。

除了旗艦手機(jī)，三星自家的Galaxy Watch 7系列智能手表也有可能會(huì)搭載3nm芯片。