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[導(dǎo)讀]本文中,小編將在本文中介紹如何去計算MOS驅(qū)動電路的參數(shù),如果你想對MOS驅(qū)動電路的詳細情況有所認識,或者想要增進對MOS驅(qū)動電路的了解程度,不妨請看以下內(nèi)容哦。

本文中,小編將在本文中介紹如何去計算MOS驅(qū)動電路的參數(shù),如果你想對MOS驅(qū)動電路的詳細情況有所認識,或者想要增進對MOS驅(qū)動電路的了解程度,不妨請看以下內(nèi)容哦。

一、驅(qū)動電路

驅(qū)動電路在電子系統(tǒng)中具有重要的作用,主要有以下幾個方面:

1. 信號轉(zhuǎn)換:驅(qū)動電路將來自控制電路的控制信號轉(zhuǎn)換為適合執(zhí)行器(如電機、繼電器等)操作的電流、電壓或功率信號。它能夠?qū)⒌碗娖?、小電流的控制信號轉(zhuǎn)換為能夠驅(qū)動執(zhí)行器的高電平、大電流信號。

2. 功率輸出:驅(qū)動電路提供所需的功率輸出,以滿足執(zhí)行器的工作要求。不同的執(zhí)行器可能需要不同的功率輸出,驅(qū)動電路要能夠根據(jù)需求提供足夠的功率和電流。

3. 控制執(zhí)行器的動作:驅(qū)動電路通過控制輸出信號的開關(guān)狀態(tài),實現(xiàn)對執(zhí)行器的啟動、停止、加速、減速和反轉(zhuǎn)等操作。它能夠根據(jù)控制信號的變化,精確控制執(zhí)行器的運動或操作。

4. 保護系統(tǒng)安全:驅(qū)動電路通常包含保護電路,用于監(jiān)測和處理系統(tǒng)中的異常情況,如過流、過壓、過熱等。保護電路可以防止執(zhí)行器或驅(qū)動電路因異常而損壞,并保證系統(tǒng)的安全和可靠性。

5. 提供驅(qū)動控制接口:驅(qū)動電路通常提供與其他系統(tǒng)組件的接口,如控制電路、傳感器、通信模塊等。通過這些接口,可以實現(xiàn)與其他系統(tǒng)部件的數(shù)據(jù)交互和聯(lián)動控制。

二、MOS驅(qū)動電路的參數(shù)計算

我的實際工作中碰到最多的驅(qū)動電路是以下這種能夠控制開關(guān)速度的驅(qū)動電路,我就以它舉例做進一步的分析。

快速成長:如何計算MOS驅(qū)動電路的參數(shù)

如圖,在驅(qū)動電阻Rg2上并聯(lián)一個二極管。其中D1常用快恢復(fù)二極管,使關(guān)斷時間減小同時減小關(guān)斷損耗,Rg1可以限制關(guān)斷電流,R1為mos管柵源極的下拉電阻,給mos管柵極積累的電荷提供泄放回路。( 根據(jù)MOSFET柵極高輸入阻抗的特性,一點點靜電或者干擾都可能導(dǎo)致MOS管誤導(dǎo)通,所以R1也起降低輸入阻抗作用,一般取值在10k~幾十k )

Lp為驅(qū)動走線的雜散寄生電感,包括驅(qū)動IC引腳、MOS引腳、PCB走線的感抗,精確的數(shù)值很難確定,通常取幾十nH。

驅(qū)動電阻Rg的計算:

驅(qū)動走線的寄生電感和MOS管的結(jié)電容會組成一個LC振蕩電路,如果驅(qū)動芯片的輸出端直接到柵極的話,在PWM波的上升下降沿會產(chǎn)生很大的震蕩,導(dǎo)致MOS管急劇發(fā)熱甚至爆炸,一般的解決方法是在柵極串聯(lián)電阻,降低LC振蕩電路的Q值,使震蕩迅速衰減掉。

快速成長:如何計算MOS驅(qū)動電路的參數(shù)

驅(qū)動電阻下限值:

當(dāng)mos開通瞬間,Vcc通過驅(qū)動電阻給Ciss=Cgs+Cgd充電,如上圖所示(忽略下拉電阻R1的影響)。根據(jù)LC震蕩電路模型,可以列出回路在復(fù)頻域內(nèi)對應(yīng)的方程。

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求解出i g ,并化為典型二階系統(tǒng)的形式

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再根據(jù)LC振蕩電路求解二階系統(tǒng)阻尼系比

快速成長:如何計算MOS驅(qū)動電路的參數(shù)

那么根據(jù)LC振蕩電路的特性,為了保證驅(qū)動電流ig不發(fā)生震蕩,該系統(tǒng)要處于過阻尼的狀態(tài);即阻尼比必須大于1,則方程式解得Rg=Rg1+Rg2的下限范圍

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驅(qū)動關(guān)斷電阻上限值:

MOS關(guān)斷時,Vds會產(chǎn)生很大的dv/dt,那么由于寄生電容Cgd的存在,就會對回路進行放電繼而產(chǎn)生較大的電流,根據(jù)公式:Ic=Cdv/dt。那么回路上Igd流過驅(qū)動電阻Rg,又會在GS間產(chǎn)生一個電壓Vgoff=IgdxRg。這樣我們的方向就是不能讓其高于MOS導(dǎo)通的門檻電壓Vth以避免誤導(dǎo)通。

快速成長:如何計算MOS驅(qū)動電路的參數(shù)

那么列出不等式

快速成長:如何計算MOS驅(qū)動電路的參數(shù)

則解得驅(qū)動電阻Rgoff=Rg1的取值范圍

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