好的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有哪些要求？常見(jiàn)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)速覽！

MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象，通過(guò)這篇文章，小編希望大家可以對(duì)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。

一、好的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路具備哪些要求

在使用MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì)影響MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。

當(dāng)電源IC與MOS管選定之后，選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。

一個(gè)好的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有以下幾點(diǎn)要求：

（1） 開(kāi)關(guān)管開(kāi)通瞬時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且不存在上升沿的高頻振蕩。

（2） 開(kāi)關(guān)導(dǎo)通期間驅(qū)動(dòng)電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導(dǎo)通。

（3） 關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。

（4） 驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠、損耗小。

（5） 根據(jù)情況施加隔離。

二、常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)方式（個(gè)個(gè)含電路圖）

1、直接驅(qū)動(dòng)

最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式，比如用單片機(jī)輸出PWM信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)較小的MOS。使用這種驅(qū)動(dòng)方式，應(yīng)注意幾點(diǎn)；一是實(shí)際PWM和MOS的走線距離必定導(dǎo)致寄生電感引起震蕩噪聲，二是芯片的驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒瑢?duì)外驅(qū)動(dòng)能力不一樣。三是MOS的寄生電容Cgs、Cgd如果比較大，導(dǎo)通就需要大的能量，沒(méi)有足夠的峰值電流，導(dǎo)通的速度就會(huì)比較慢。

2、圖騰柱/推拉式驅(qū)動(dòng)電路

由兩個(gè)三極管構(gòu)成，上管是NPN型，下管是PNP型三極管，兩對(duì)管共射聯(lián)接處為輸出端，結(jié)構(gòu)類(lèi)似于乙類(lèi)推挽功率放大器。利用這種拓?fù)浞糯篁?qū)動(dòng)信號(hào)，增強(qiáng)電流能力。（ 驅(qū)動(dòng)IC內(nèi)部也是集成了類(lèi)似的結(jié)構(gòu) ）

3、隔離式驅(qū)動(dòng)電路

為了滿(mǎn)足安全隔離也會(huì)用變壓器驅(qū)動(dòng)。如圖其中R1抑制振蕩，C1隔直流通交流同時(shí)防止磁芯飽和。隔離式的驅(qū)動(dòng)電路不太常見(jiàn)，就不做過(guò)多的了解。

小結(jié)： * 當(dāng)然除以上驅(qū)動(dòng)電路之外，還有很多其它形式的驅(qū)動(dòng)電路。對(duì)于各種各樣的驅(qū)動(dòng)電路并沒(méi)有一種是最好的，只能結(jié)合具體應(yīng)用，選擇最合適的拓?fù)?nbsp;。* **

以上就是小編這次想要和大家分享的有關(guān)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)容，希望大家對(duì)本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類(lèi)別的文章，可以在網(wǎng)頁(yè)頂部選擇相應(yīng)的頻道哦。