絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點,具有良好的特性,應用領(lǐng)域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發(fā)射極。
絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點,具有良好的特性,應用領(lǐng)域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發(fā)射極。 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件,屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件。IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機、民用小容量電機、變換器(逆變器)、照相機的頻閃觀測器、感應加熱(InductionHeating)電飯鍋等領(lǐng)域。根據(jù)封裝的不同,IGBT大致分為兩種類型,一種是模壓樹脂密封的三端單體封裝型,從TO-3P到小型表面貼裝都已形成系列。另一種是把IGBT與FWD (FleeWheelDiode)成對地(2或6組)封裝起來的模塊型,主要應用在工業(yè)上。模塊的類型根據(jù)用途的不同,分為多種形狀及封裝方式,都已形成系列化。IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。MOSFET由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 高出很多。IGBT較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),與同一個標準雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化 IGBT驅(qū)動器的原理圖。
進入二十一世紀以來,以大規(guī)模風力發(fā)電、太陽能發(fā)電為代表的新能源是我國未來能源結(jié)構(gòu)調(diào)整的重點發(fā)展方向,而傳統(tǒng)的交流輸電和直流輸電技術(shù)已經(jīng)難以滿足以大規(guī)模風電和太陽能發(fā)電安全可靠接入電網(wǎng)的迫切需求。而基于高壓大功率電力電子技術(shù)的靈活交流輸電和高壓直流輸電是未來智能電網(wǎng)實現(xiàn)各種大規(guī)模新能源的安全高效的接入電網(wǎng)的核心技術(shù)之一。
在新一代高壓大功率可關(guān)斷電力電子器件中,由于IGBT器件的優(yōu)越的門極控制功能、較低的通態(tài)損耗和電壓電流參數(shù)的迅速提高,使得IGBT器件已成為大功率電力電子技術(shù)中的首選器件。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排,并提高電力的利用效率,具有很好的環(huán)境保護效益,被公認為電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品,是未來應用發(fā)展的必然方向。
不過,隨著lGBT的應用日益廣泛,人們對其性能的要求也越來越高,一方面,為了提高工作頻率,降低系統(tǒng)噪聲。IGBT的開關(guān)速度應越快越好,另一方面,為了在不増大散熱片尺寸的情況下IGBT的功耗又必須足夠低。此外,電力系統(tǒng)應用中,IGBT的特性必須非常穩(wěn)定,保證電力的安全、可靠、穩(wěn)定的運行。近幾年來,芯片技術(shù)不斷改進,一代又一代高性能的IGBT及IGBT模塊層出不窮,盡管如此,IGBT的功耗還沒有降到用戶滿意的程度,特性還是不夠穩(wěn)定。
在這種情況下,針對電力系統(tǒng)的特殊特點和需求,進行IGBT與快恢復二極管匹配技術(shù)的研究可以解決現(xiàn)階段降低能耗、增加系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠性、減少射頻與電磁干擾等問題。IGBT與快恢復二極管匹配技術(shù)不僅可以從芯片級提出相應的設計參數(shù),還可以從模塊級、裝置綴、系統(tǒng)級提出對器件相應的參數(shù),以用于改善整個系統(tǒng)的性能,比如針對IGBT的串聯(lián)需求對IGBT壓接式模塊進行l(wèi)GBT與FRD的匹配研究。
2. IGBT與快恢復二極管匹配技術(shù)
IGBT與快恢復二極管的匹配技術(shù)就是針對不同的電力應用,在特定的IGBT芯片的情況下合理設計快恢復二極管的結(jié)構(gòu)參數(shù)、封裝參數(shù)及電路參數(shù)的一種新型技術(shù)。此技術(shù)將為lGBT模塊的設計與研制提供一定的理論和實驗依據(jù),為電力電子器件的研制和電力電子裝置的研發(fā)帶來優(yōu)勢,可以減少電力電子裝置在使用中的電能損耗,為節(jié)能減排,低碳社會作出貢獻。
2.1 IGBT與快恢復二極管匹配技術(shù)的特點和優(yōu)勢
lGBT與快恢復二極管的匹配技術(shù)的主要特點如下:
1)對于lGBT模塊選擇合適的IGBT芯片與快恢復二極管芯片;
2)設計更合理的芯片結(jié)構(gòu),改變lGBT芯片結(jié)構(gòu)以及快恢復二極管的軟度參數(shù)以求減小損耗和提高可靠性。
3)在封裝上進行更加合理的設計。
4)在市場上現(xiàn)有的IGBT與快恢復二極管的條件下,選擇合理的匹配參數(shù)。
IGBT與快恢復二極管的匹配技術(shù)優(yōu)勢在于可以應用到任何包含IGBT應用的場合,比如可再生能源并網(wǎng)、孤島供電、城市電網(wǎng)供電、電網(wǎng)互聯(lián)、無功補償、高壓變頻等領(lǐng)域,是實現(xiàn)節(jié)能減持,低碳社會的有力措施,是我國建設資源節(jié)約型和環(huán)境友好型社會所急需的電力系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)。
2.2 IGBT與快恢復二極管匹配的技術(shù)應用前景
做好IGBT與快恢復二極管的匹配技術(shù)就為IGBT模塊的應用技術(shù)打下堅實的基礎,可以應用于含有l(wèi)GBT和快恢復二極管的各個行業(yè),為節(jié)能減排,低碳生活做出有利貢獻,IGBT是現(xiàn)代逆變器的主流功率器件,快恢復二極管是其不可缺少的搭檔,這種技術(shù)可以廣泛應用于變頻家電、電機、太陽能發(fā)電、風力發(fā)電、電動汽車、高速鐵路和智能網(wǎng)等各個節(jié)能領(lǐng)域,優(yōu)化IGBT與快恢復二極管匹配技術(shù)可以使IGBT變頻裝置噪聲降低,功率因數(shù)提高,節(jié)省電能,節(jié)省材料,縮小裝置體積,降低成本使裝置工作穩(wěn)定可靠,壽命大大延長,減少對電網(wǎng)的污染。
2.3 IGBT與快恢復二極管的匹配技術(shù)的發(fā)展趨勢
隨著lGBT與FRD的發(fā)展,其耐壓等級、電流容量和開關(guān)頻率進一步得到提高,要求IGBT與FRD的匹配更加嚴格,特別是在高壓大功率場合。隨著電力電子技術(shù)和新材料器件的發(fā)展,IGBT與FRD的匹配面臨更嚴峻的考驗,合理的選擇參數(shù)進行匹配不僅能夠降低功率損耗,而且有利于提高器件工作可靠性。IGBT芯片的發(fā)展將會帶動FRD芯片的發(fā)展,兩個芯片的同時發(fā)展必然將帶來IGBT與快恢復二極管的匹配技術(shù)的發(fā)展,參數(shù)的正確選擇可以使IGBT模塊在較大的溫度和電流范圍內(nèi)具備較低的正向?qū)▔航担^小的開關(guān)損耗和恢復電荷,使器件可以覆蓋更廣的功率范圍,更好的動態(tài)抗沖擊性以確保發(fā)生短路時能夠避免器件損壞。
IGBT與FRD匹配的發(fā)展趨勢包括:
1)用碳化硅二極管代替快恢復二極管,實驗證明1200V IGBT模塊總能耗可改善20%~40%。
2)新型材料:為充分利用新材料器件的優(yōu)勢,要求模塊結(jié)構(gòu)在更高結(jié)溫下的寄生電感和電容要小,比如碳化硅、氨化鎵器件等。
3)不斷地改進IGBT與快恢復二極管的器件結(jié)構(gòu)和性能,發(fā)明新型器件,組合新的模塊以降低功率損耗。
3. 仿真分析
為了研究影響lGBT與快恢復二極管匹配的參數(shù),本文采用ISE仿真軟件對IGBT與快恢復二極管的匹配技術(shù)進行仿真研究。
主要進行了以下兩個方面的仿真研究:1)采用不同的快恢復二極管與IGBT進行動態(tài)特性仿真;2)在同一IGBT與快恢復二極管仿真的基礎上改變仿真條件進行仿真,比如改變線路的雜生電感、封裝的寄生電感與電容、驅(qū)動電阻等。
IGBT是變頻器的核心部件,自然要分外關(guān)注。
在實際應用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。
你可以把IGBT看作BJT和MOS管的融合體,IGBT具有BJT的輸入特性和MOS管的輸出特性。
與BJT或MOS管相比,絕緣柵雙極型晶體管IGBT優(yōu)勢在于它提供了比標準雙極型晶體管更大的功率增益,以及更高工作電壓和更低MOS管輸入損耗。
01
什么是IGBT
IGBT是絕緣柵雙極晶體管的簡稱,是一種三端半導體開關(guān)器件,可用于多種電子設備中的高效快速開關(guān)。
IGBT主要用于放大器,用于通過脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 切換/處理復雜的波形。
你可以看到輸入側(cè)代表具有柵極端子的MOS管,輸出側(cè)代表具有集電極和發(fā)射極的BJT。
集電極和發(fā)射極是導通端子,柵極是控制開關(guān)操作的控制端子。
02
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)
IGBT有三個端子(集電極、發(fā)射極和柵極)都附有金屬層。然而,柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。
IGBT結(jié)構(gòu)是一個四層半導體器件。四層器件是通過組合PNP和NPN晶體管來實現(xiàn)的,它們構(gòu)成了PNPN排列。
如上圖所示,最靠近集電極區(qū)的層是 (p+) 襯底,即注入?yún)^(qū);在它上面是 N 漂移區(qū)域,包括 N 層。注入?yún)^(qū)將大部分載流子(空穴電流)從 (p+) 注入 N- 層。
漂移區(qū)的厚度決定了 IGBT 的電壓阻斷能力。
漂移區(qū)域的上面是主體區(qū)域,它由 (p) 基板組成,靠近發(fā)射極,在主體區(qū)域內(nèi)部,有 (n+) 層。
注入?yún)^(qū)域和 N 漂移區(qū)域之間的連接點是 J2。類似地,N-區(qū)域 和 主體區(qū)域之間的結(jié)點是結(jié)點 J1。
注意:IGBT 的結(jié)構(gòu)在拓撲上類似于“MOS”柵極的晶閘管。但是,晶閘管動作和功能是可抑制的,這意味著在 IGBT 的整個器件工作范圍內(nèi)只允許晶體管動作。IGBT 比晶閘管更可取,因為晶閘管等待過零的快速切換。
03
IGBT工作原理
IGBT 的工作原理是通過激活或停用其柵極端子來開啟或關(guān)閉。
如果正輸入電壓通過柵極,發(fā)射極保持驅(qū)動電路開啟。另一方面,如果 IGBT 的柵極端電壓為零或略為負,則會關(guān)閉電路應用。
由于 IGBT 既可用作 BJT 又可用作 MOS管,因此它實現(xiàn)的放大量是其輸出信號和控制輸入信號之間的比率。
對于傳統(tǒng)的 BJT,增益量與輸出電流與輸入電流的比率大致相同,我們將其稱為 Beta 并表示為 β。
另一方面,對于 MOS管,沒有輸入電流,因為柵極端子是主通道承載電流的隔離。我們通過將輸出電流變化除以輸入電壓變化來確定 IGBT 的增益。
如圖所示,當集電極相對于發(fā)射極處于正電位時,N 溝道 IGBT 導通,而柵極相對于發(fā)射極也處于足夠的正電位 (>V GET )。這種情況導致在柵極正下方形成反型層,從而形成溝道,并且電流開始從集電極流向發(fā)射極。
IGBT 中的集電極電流 Ic 由兩個分量 Ie和 Ih 組成。Ie 是由于注入的電子通過注入層、漂移層和最終形成的溝道從集電極流向發(fā)射極的電流。Ih 是通過 Q1 和體電阻 Rb從集電極流向發(fā)射極的空穴電流。因此盡管 Ih幾乎可以忽略不計,因此 Ic ≈ Ie。
在 IGBT 中觀察到一種特殊現(xiàn)象,稱為 IGBT 的閂鎖。這發(fā)生在集電極電流超過某個閾值(ICE)。在這種情況下,寄生晶閘管被鎖定,柵極端子失去對集電極電流的控制,即使柵極電位降低到 VGET以下,IGBT 也無法關(guān)閉。
現(xiàn)在要關(guān)斷 IGBT,我們需要典型的換流電路,例如晶閘管強制換流的情況。如果不盡快關(guān)閉設備,可能會損壞設備。