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[導(dǎo)讀]對(duì)于電路中的旁路電容和去耦電容,倒不用太過(guò)于糾結(jié)與死磕。在自己的認(rèn)知體系中靈活運(yùn)用,能夠解決問(wèn)題才是根本。

一、名詞定義:

旁路(bypass)電容:pass是通過(guò)的意思,bypass指從靠近的地方,從旁邊通過(guò)。大路不走走小路,主路不走走輔路。所以,旁路電容可以理解成把信號(hào)高頻成分旁路掉的電容。


一文詳解去耦電容與旁路電容的區(qū)別

去耦(decoupling)電容:Coupling,是耦合的意思。如果系統(tǒng)A中出現(xiàn)的“事物”引起了系統(tǒng)B中一“事物”的出現(xiàn),或者反之。這里“事物”指一些不希望出現(xiàn)的干擾信號(hào),那么我們就說(shuō)系統(tǒng)A與系統(tǒng)B出現(xiàn)了耦合。Decoupling,即是減弱耦合的意思。因此,去耦電容是在電路中發(fā)揮去耦作用的電容。


一文詳解去耦電容與旁路電容的區(qū)別

我們經(jīng)常提到像去耦、耦合、濾波等說(shuō)法,是從電容器在電路中所發(fā)揮的具體功能的角度去稱(chēng)呼的,這些稱(chēng)呼屬于同一個(gè)概念層次,而旁路則只是一種途徑,一種手段,一種方法。

二、如何判斷電路中的電容是去耦還是旁路?

比如以下電路圖中的電容C1、C2、C3,你分得出誰(shuí)是去耦電容,誰(shuí)是旁路電容嗎?


一文詳解去耦電容與旁路電容的區(qū)別

我們可以分別從電源模塊、IC1、IC2角度來(lái)進(jìn)行分析判斷,在實(shí)際電路中進(jìn)一步理解去耦電容和旁路電容。

1、電源模塊角度

站在電源模塊的角度,我們不希望電源模塊自身的干擾傳到下一級(jí)IC1中。下圖顯示了電源模塊輸出會(huì)含有高頻噪聲和低頻紋波干擾。


一文詳解去耦電容與旁路電容的區(qū)別

為此在電源模塊和IC1之間加入電容C1和C2,以濾除干擾信號(hào)。其中,C1采用大容值10uF,利用電容的充放電功能起到電池蓄能作用,滿足IC1對(duì)驅(qū)動(dòng)電流的需求,從而消除頻率較低的紋波干擾。而C2則往往采用小容值0.1uF,以濾除較高頻段的噪聲干擾。

所以對(duì)于電源模塊而言,C1發(fā)揮了濾除低頻干擾和蓄能的功能,C2發(fā)揮了濾除高頻干擾的功能,兩者都是去耦電容。

2、IC1角度

站在IC1的角度,前級(jí)輸入中除了需要的直流供電外還包含了高頻和低頻的干擾,IC1自然不希望干擾信號(hào)進(jìn)入內(nèi)部,所以C1和C2就提供了對(duì)地路徑,將直流成分以外的信號(hào)通過(guò)C1和C2流向系統(tǒng)地。

所以對(duì)于IC1來(lái)說(shuō),C1和C2幫助它旁路掉干擾信號(hào),屬于旁路電容。

3、IC2角度

站在IC2角度,當(dāng)IC1的輸出信號(hào)傳輸?shù)絀C2系統(tǒng)中時(shí),為防止IC1在工作中產(chǎn)生的高頻干擾輸入到IC2中,所以放置了電容C3來(lái)濾除干擾,因此對(duì)于IC2來(lái)說(shuō)C3是旁路電容。

但此時(shí)如果再次站在IC1的角度,它不希望干擾耦合到IC2,C3此時(shí)又可以稱(chēng)為去耦電容。

總結(jié)C1、C2、C3如下:


一文詳解去耦電容與旁路電容的區(qū)別

是不是感覺(jué)兩者沒(méi)有區(qū)別了?分析的角度不同,電容的叫法就會(huì)不同。所以具體叫什么不重要,能夠解決問(wèn)題才是關(guān)鍵。

回歸主題,去耦電容和旁路電容的區(qū)別是什么?編者勉強(qiáng)地從兩個(gè)方面做了區(qū)分以便大家理解,但僅供參考,因?yàn)閮烧卟](méi)有明確的區(qū)別界限。

三、去耦電容和旁路電容的2個(gè)主要區(qū)別

1、使用位置的區(qū)別:

去耦電容,強(qiáng)調(diào)使用在系統(tǒng)輸出pin腳,用來(lái)濾除系統(tǒng)自身產(chǎn)生的干擾防止耦合到下一級(jí)系統(tǒng);

旁路電容,強(qiáng)調(diào)使用在系統(tǒng)輸入pin腳,用來(lái)濾除系統(tǒng)不需要的高頻干擾信號(hào)。

2、使用的容值大小的區(qū)別:

去耦電容,一般是容值較大,基本在0.1uF以上,相對(duì)于直流分量來(lái)說(shuō),其他帶有一定周期性波動(dòng)的信號(hào)都可以認(rèn)為是交流成分,在電源供電系統(tǒng)中,通常使用容值較大的電容,來(lái)濾除頻率較低的紋波干擾,即去耦電容;

旁路電容,一般應(yīng)用選值是比較小,基本都在0.1uF以下,電容容值越小,對(duì)高頻信號(hào)的阻抗就越小,越容易給高頻信號(hào)提供低阻抗路徑流向GND。

結(jié)語(yǔ):

對(duì)于電路中的旁路電容和去耦電容,倒不用太過(guò)于糾結(jié)與死磕。在自己的認(rèn)知體系中靈活運(yùn)用,能夠解決問(wèn)題才是根本。

小編在查閱資料時(shí)看到以下兩段話都出現(xiàn)在各個(gè)大V的文章中,您覺(jué)得哪句話是正確的?歡迎大家留言討論。

A、去耦就是旁路,旁路不一定是去耦

B、旁路就是去耦,去耦不一定是旁路

希望以上分享內(nèi)容可以幫助大家更好的學(xué)習(xí)元器件知識(shí),同事華秋商城推出了電容專(zhuān)區(qū),涵蓋三星、村田、AVX、TDK等原廠正品電容,價(jià)格實(shí)惠、快速發(fā)貨!

從電路來(lái)說(shuō),總是存在驅(qū)動(dòng)的源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大,驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電、放電,才能完成信號(hào)的跳變,在上升沿比較陡峭的時(shí)候,電 流比較大,這樣驅(qū)動(dòng)的電流就會(huì)吸收很大的電源電流,由于電路中的電感,電阻(特別是芯片管腳上的電感,會(huì)產(chǎn)生反彈),這種電流相對(duì)于正常情況來(lái)說(shuō)實(shí)際上就 是一種噪聲,會(huì)影響前級(jí)的正常工作。這就是耦合。

去藕電容就是起到一個(gè)電池的作用,滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化,避免相互間的耦合干擾。旁路 電容實(shí)際也是去藕合的,只是旁路電容一般是指高頻旁路,也就是給高頻的開(kāi)關(guān)噪聲提供一條低阻抗泄放途徑。高頻旁路電容一般比較小,根據(jù)諧振頻率一般是 0.1u,0.01u 等,而去耦合電容一般比較大,是 10u 或者更大,依據(jù)電路中分布參數(shù),以及驅(qū)動(dòng)電流的變化大小來(lái)確定。

旁路是把輸入信號(hào)中的干擾作為濾除對(duì)象,而去耦是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象,防止干擾信號(hào)返回電源。這應(yīng)該是他們的本質(zhì)區(qū)別。

去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個(gè)作用:

一方面是本集成電路的蓄能電容,另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。

數(shù)字電路中典型的去耦電容值是 0.1μF。這個(gè)電容的分布電感的典型值是 5μH。

0.1μF 的去耦電容有 5μH 的分布電感,它的并行共振頻率大約在 7MHz 左右,也就是說(shuō),對(duì)于 10MHz 以下的噪聲有較好的去耦效果,對(duì) 40MHz 以上的噪聲幾乎不起作用。

1μF、10μF 的電容,并行共振頻率在 20MHz 以上,去除高頻噪聲的效果要好一些。

每 10 片左右集成電路要加一片充放電電容,或 1 個(gè)蓄能電容,可選 10μF 左右。最好不用電解電容,電解電容是兩層薄膜卷起來(lái)的,這種卷起來(lái)的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。

去耦電容的選用并不嚴(yán)格,可按 C = 1 / F,即 10MHz 取 0.1μF,100MHz 取 0.01μF。

分布電容是指由非形態(tài)電容形成的一種分布參數(shù)。一般是指在印制板或其他形態(tài)的電路形式,在線與線之間、印制板的上下層之間形成的電容。這種電容的容量很小,但可能對(duì)電路形成一定的影響。

在對(duì)印制板進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)一定要充分考慮這種影響,尤其是在工作頻率很高的時(shí)候。也成為寄生電容,制造時(shí)一定會(huì)產(chǎn)生,只是大小的問(wèn)題。

布高速 PCB 時(shí),過(guò)孔可以減少板層電容,但會(huì)增加電感。分布電感是指在頻率提高時(shí),因?qū)w自感而造成的阻抗增加。

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