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[導(dǎo)讀]在下述的內(nèi)容中,小編將會(huì)對(duì)關(guān)斷電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行詳細(xì)的分析,如果關(guān)斷電路是您想要了解的焦點(diǎn)之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

在下述的內(nèi)容中,小編將會(huì)對(duì)關(guān)斷電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行詳細(xì)的分析,如果關(guān)斷電路是您想要了解的焦點(diǎn)之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、什么是關(guān)斷電路

功率MOSFET是電壓型驅(qū)動(dòng)器件,輸入阻抗高,因而開關(guān)速度可以很高。功率MOS管的柵極有等效的輸入電容CISS。MOS電路中常見的電路之一就是關(guān)斷電路。

關(guān)斷電路通常指的是斷路,?即電路中某一處因斷開而使電阻過大,?電流無法正常通過,?導(dǎo)致電路中的電流為零。?中斷點(diǎn)兩端電壓為電源電壓,?一般對(duì)電路無損害。?這種情況可能是由于導(dǎo)線斷了,?或者用電器(?如燈泡中的燈絲斷了)?與電路斷開等原因造成的。?在物理學(xué)的語境中,?"開"被解釋為打開,?使電路隔絕,?也就是關(guān)閉,?而"關(guān)"則被解釋為合上,?是電路通順,?也就是打開。?然而,?這里的"關(guān)閉電路"實(shí)際上是指電路處于斷路狀態(tài),?即電流無法流通的狀態(tài)。

二、關(guān)斷加速電路設(shè)計(jì)分析

為了減少M(fèi)OS管關(guān)斷時(shí)間從而減少開關(guān)損耗,驅(qū)動(dòng)電路會(huì)要求關(guān)斷時(shí)快速抽取柵極電荷,此時(shí)驅(qū)動(dòng)回路需要一個(gè)低阻抗回路。

如上圖中的VD1是快速關(guān)斷二極管,在關(guān)斷時(shí)它直接短路掉和它并聯(lián)的驅(qū)動(dòng)電阻,使得驅(qū)動(dòng)回路的阻抗降低從而快速將柵極電荷抽走。在驅(qū)動(dòng)電阻上并聯(lián)一個(gè)二極管就是一種關(guān)斷加速電路,有時(shí)候二極管可以串聯(lián)一個(gè)合適的電阻,最終達(dá)到MOS管開通和關(guān)斷不同的工作狀態(tài)從而滿足設(shè)計(jì)要求,如下圖中VD1、R3所示。

上圖中雖然通過增加二極管減少驅(qū)動(dòng)電路的阻抗,但二極管、三極管導(dǎo)通壓降以及導(dǎo)通電阻還是存在的,回路阻抗減小有一定的限度。如下圖中VT4管的存在是增加了MOS管柵極到低電平的回路,VT4可以選擇三極管,但三極管的導(dǎo)通需要基極偏置,三極管不能工作完全飽和狀態(tài),抽取電荷的能力也是有限的。可以選擇小容量MOS管來代替三極管,但這個(gè)MOS管需要一個(gè)電平的轉(zhuǎn)換以使和實(shí)際驅(qū)動(dòng)信號(hào)的相位相反。

由于MOS管是電壓驅(qū)動(dòng),并能夠運(yùn)行在飽和導(dǎo)通狀態(tài),把功率MOS管的電荷迅速抽走,如下圖所示。

關(guān)斷加速還有一個(gè)更簡單有效的方法就是使用足夠低的負(fù)電源關(guān)閉,所以解決措施要根據(jù)實(shí)際需要和效果來定,可以是一個(gè)方案也可以是多個(gè)方案,更可以進(jìn)行適當(dāng)?shù)碾娐纷兎N。

以上就是小編這次想要和大家分享的有關(guān)關(guān)斷電路的內(nèi)容,希望大家對(duì)本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章,可以在網(wǎng)頁頂部選擇相應(yīng)的頻道哦。

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