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[導讀]深圳2024年8月8日 /美通社/ -- 8月8日,在北京舉辦的2024年開放計算中國峰會(OCP China)上,三星電子副總裁、先行開發(fā)團隊負責人張實完(Silwan Chang)發(fā)表了題為"AI革新:AI時代的存儲創(chuàng)新之路"的主題演講。 三星電子副總裁...

深圳2024年8月8日 /美通社/ -- 8月8日,在北京舉辦的2024年開放計算中國峰會(OCP China)上,三星電子副總裁、先行開發(fā)團隊負責人張實完(Silwan Chang)發(fā)表了題為"AI革新:AI時代的存儲創(chuàng)新之路"的主題演講。

三星電子副總裁,先行開發(fā)團隊負責人張實完(Silwan Chang)發(fā)表主題演講


三星電子副總裁,先行開發(fā)團隊負責人張實完(Silwan Chang)發(fā)表主題演講

張實完指出,生成式AI的浪潮席卷全球,為各行各業(yè)帶來顛覆性變革。面對挑戰(zhàn),三星憑借對未來趨勢的預判和持續(xù)不斷的技術創(chuàng)新,介紹了一系列推動行業(yè)發(fā)展的技術和高容量產(chǎn)品,為AI時代打造高容量、高性能和低功耗的存儲解決方案。

三星預測到大容量存儲變得日益重要,并且在兩年前發(fā)布了相關產(chǎn)品的發(fā)展路線。于今年年初開始量產(chǎn)的128TB SSD正是基于對高容量存儲需求的預判。演講中指出,三星的目標是向市場提供基于TLC和QLC NAND技術的各種規(guī)格的高容量產(chǎn)品,以滿足AI應用對存儲容量不斷增長的需求。三星2023年末推出了PM1743a 32TB/64TB,并提及數(shù)據(jù)中心級固態(tài)硬盤產(chǎn)品PM9D3a,以及基于第九代VNAND技術的PM1753等高容量產(chǎn)品在未來的進展。

三星半導體展臺現(xiàn)場展示創(chuàng)新大容量存儲產(chǎn)品PM9D3a


三星半導體展臺現(xiàn)場展示創(chuàng)新大容量存儲產(chǎn)品PM9D3a

性能方面,三星也一直在嘗試突破。為了AI訓練和推理提供強勁性能保障,即將推出的新一代PCIe Gen5 SSD PM1753,與上一代產(chǎn)品相比,順序?qū)懭胄阅芴嵘?.6倍,隨機讀寫速度分別提升1.3和1.7倍。在追求技術突破的同時,AI處理功耗的重要性也不容忽視。同樣以基于TLC技術的 PM1753為例,其AI工作負載下的順序?qū)懭肽苄П壬弦淮啾忍岣?.7倍,在傳統(tǒng)服務器中的隨機I/O操作的能效也提高了1.6倍。AI應用既要優(yōu)化I/O操作時的功耗,同時也要降低SSD在待機狀態(tài)下的功耗。PM1753的閑置功耗已經(jīng)降至4W,下一代產(chǎn)品計劃將閑置功耗壓縮至2W,助力數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)節(jié)能減排的目標。PM1753有望成為生成式AI服務器應用所需的出色解決方案。

在演講末尾,張實完還介紹了三星近期正在進行客戶測試的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品,預計其速度可高達9.8Gbps,帶寬不低于1TB/s。而同樣備受矚目的下一代HBM4產(chǎn)品預計會在2025年介紹給大家。同時,三星還提及了業(yè)界首款基于SoC(處理器)的CMM產(chǎn)品CMM-H,包括CMM-PM和CMM-H TM,分別針對數(shù)據(jù)持久性和虛擬機遷移需求,為AI時代提供更強大的內(nèi)存解決方案。

三星榮獲2024開放計算最佳創(chuàng)新獎


三星榮獲2024開放計算最佳創(chuàng)新獎

在本屆大會上,三星PM9D3a固態(tài)硬盤榮獲"開放計算最佳創(chuàng)新獎"。作為三星業(yè)界首款8通道PCIe Gen5 SSD,PM9D3a突破了現(xiàn)有閃存層次結構的限制,實現(xiàn)了每TB高達50K IOPS的隨機寫入性能,并率先支持FDP技術,已經(jīng)在美國以及中國的主要數(shù)據(jù)中心完成引入測試。其卓越性能和前瞻性設計獲得了評審委員會的一致認可。

三星將繼續(xù)與OCP社區(qū)緊密合作,推動開放計算生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展,以生態(tài)融合、智能化實踐和技術創(chuàng)新,為全球用戶打造更加高效、可靠、可持續(xù)的存儲解決方案。

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