IGBT可以反向?qū)▎?？IGBT和MOSFET到底有哪些區(qū)別？

一直以來(lái)，IGBT都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)?lái)IGBT的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。

一、igbt可以反向?qū)▎?？如何控制igbt的通斷？

IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮寫(xiě)，是一種功率半導(dǎo)體器件。IGBT 可以用于直流電和交流電的電子開(kāi)關(guān)?，F(xiàn)在，IGBT 被廣泛應(yīng)用于大功率直流變換器、交流變頻器及逆變器、電力傳輸和輸配電等領(lǐng)域。在使用 IGBT 的過(guò)程中，我們需要控制其通斷，以便實(shí)現(xiàn)我們的需求。而 IGBT 的通斷控制有兩種方式：1、電壓控制 (VCE) 線性調(diào)制2、電流控制 (ICE) 斷路調(diào)制所謂線性調(diào)制，就是通過(guò)調(diào)整 VCE 端電壓的大小來(lái)改變 IGBT 的導(dǎo)通度。而斷路調(diào)制，則是通過(guò)控制電流量來(lái)改變 IGBT 的導(dǎo)通度。關(guān)于 IGBT 反向?qū)▎?wèn)題，我們需要先了解 IGBT 的結(jié)構(gòu)和原理。IGBT 由 PN 結(jié)和 MOSFET 組成。PN 結(jié)是控制 IGBT 導(dǎo)通的主要結(jié)構(gòu)，當(dāng) PN 結(jié)正向偏置時(shí)，電流可以流經(jīng) PN 結(jié)，實(shí)現(xiàn) IGBT 的導(dǎo)通。反之，則無(wú)法導(dǎo)通。因此，IGBT 不能反向?qū)?。在?shí)際應(yīng)用過(guò)程中，我們可以通過(guò)輸出的脈沖信號(hào)，控制 IGBT 的導(dǎo)通與關(guān)閉。這個(gè)過(guò)程中，需要保證 IGBT 的電流和電壓都在安全范圍內(nèi)。同時(shí)，為了保護(hù) IGBT，我們需在操作 IGBT 時(shí)，設(shè)置保護(hù)電路，當(dāng) IGBT 出現(xiàn)故障時(shí)，能及時(shí)停止工作，以免損壞整個(gè)電路。值得強(qiáng)調(diào)的是，IGBT 在功率半導(dǎo)體器件中占據(jù)非常重要的地位。它不僅具有靈活的控制和國(guó)際上通用的標(biāo)準(zhǔn)化特性，還具有高性能、可靠性強(qiáng)、效率高等優(yōu)點(diǎn)。因此，隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展和應(yīng)用的廣泛推進(jìn)，IGBT 有著廣闊的發(fā)展前景。

二、IGBT與MOSFET有9大異同點(diǎn)

在低電流區(qū)，MOSFET的導(dǎo)通電壓低于IGBT，這也是它的優(yōu)勢(shì)。不過(guò)，在大電流區(qū)IGBT的正向電壓特性優(yōu)于MOSFET。此外，由于MOSFET的正向特性對(duì)溫度具有很強(qiáng)的正向依賴性，因此，IGBT的高溫特性更好，導(dǎo)通電壓比MOSFET低。

IGBT適用于中到極高電流的傳導(dǎo)和控制，而MOSFET適用于低到中等電流的傳導(dǎo)和控制。

IGBT不適合高頻應(yīng)用，它能在千Hz頻率下運(yùn)行良好。MOSFET特別適合非常高頻的應(yīng)用，它可以在兆Hz頻率下運(yùn)行良好。

IGBT的開(kāi)關(guān)速度比較低，MOSFET開(kāi)關(guān)速度非常高。

IGBT可以承受非常高的電壓以及大功率，MOSFET僅適用于低至中壓應(yīng)用。

IGBT具有較大的關(guān)斷時(shí)間，MOSFET的關(guān)斷時(shí)間較小。

IGBT可以處理任何瞬態(tài)電壓和電流，但當(dāng)發(fā)生瞬態(tài)電壓時(shí)，MOSFET的運(yùn)行會(huì)受到干擾。

MOSFET器件成本低，價(jià)格便宜，而IGBT至今仍屬于較高成本器件。IGBT適合高功率交流應(yīng)用，MOSFET適合低功率直流應(yīng)用。

圖：IGBT vs MOSFET結(jié)構(gòu)圖示

上述這些差別，在應(yīng)用上MOSFET和IGBT各有側(cè)重點(diǎn)。通常，MOSFET的額定電壓約為600V，而IGBT的額定電壓能夠達(dá)到1400V。從額定電壓角度看，IGBT主要用于更高電壓的應(yīng)用。從工作頻率角度看，IGBT通常在低于20kHz的開(kāi)關(guān)頻率下使用，此時(shí)它們比單極性MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)損耗。

最后，小編誠(chéng)心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對(duì)小編來(lái)說(shuō)都是莫大的鼓勵(lì)和鼓舞。希望大家對(duì)IGBT已經(jīng)具備了初步的認(rèn)識(shí)，最后的最后，祝大家有個(gè)精彩的一天。