如何用BJT驅(qū)動(dòng)NMOS?含使用實(shí)例
在這篇文章中,小編將對(duì)NMOS的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度,和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
一、NMOS
NMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底(提供大量可以動(dòng)空穴)上,制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)(N+區(qū)域中有大量為電流流動(dòng)提供自由電子的電子源),并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作漏極D和源極S。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層,在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極(通常是多晶硅),作為柵極G。在襯底上也引出一個(gè)電極B,這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠(chǎng)前已連接好) 。
二、如何用BJT驅(qū)動(dòng)NMOS
(一)如何驅(qū)動(dòng)
因?yàn)镹MOS經(jīng)常用作低邊開(kāi)關(guān),NMOS的低邊開(kāi)關(guān)很容易驅(qū)動(dòng),一般都不需要額外增加驅(qū)動(dòng)電路。如下圖是帶電荷泵BJT驅(qū)動(dòng)NMOS的高邊開(kāi)關(guān),但很不常用。如果板級(jí)有額外高于Vin的電壓Vdd,則可以去掉Charge Pump,直接使用分立開(kāi)關(guān)控制Vdd和G極的通斷。如果Charge Pump支持en使能,那么就可以去掉去掉G極驅(qū)動(dòng)NMOS,直接使用GPIO控制Charge Pump的en,使能Charge Pump,輸出高電壓,干路MOS導(dǎo)通,不使能Charge Pump,不輸出高電壓,干路NMOS關(guān)斷。
圖:帶電荷泵BJT驅(qū)動(dòng)NMOS高邊開(kāi)關(guān)
(二)設(shè)計(jì)結(jié)果驗(yàn)證
*設(shè)計(jì)結(jié)果:*如下圖,Ctrl輸出3.3V高電平時(shí),BJT導(dǎo)通,R1和R2組成分壓電路,當(dāng)R1遠(yuǎn)大于R2,Vg-Vs≈24V,PMOS導(dǎo)通;Ctrl輸出0V低電平時(shí),BJT關(guān)斷,此時(shí)Vg-Vs≈0V,PMOS關(guān)斷。
圖:設(shè)計(jì)結(jié)果
*功耗分析:*L2SC4081ST1G導(dǎo)通時(shí),LP73027DT3WG也導(dǎo)通,此時(shí)電阻R1和R2串接在Vin和GND之間,存在電流消耗,根據(jù)P=U2/R,R越大,功耗越小,這也就是R1取值比較大的原因之一。L2SC4081ST1G導(dǎo)通也有電流損耗,雖然建議Ib稍大,但不能過(guò)于大,建議取Ib=1mA為通用計(jì)算取值。
(三)使用舉例
圖:實(shí)例1
如上圖所示是VT11驅(qū)動(dòng)VT12,VT11的基極額外使用二極管搭建了一個(gè)簡(jiǎn)易或門(mén),允許多個(gè)信號(hào)驅(qū)動(dòng)VT11導(dǎo)通,從而打開(kāi)VT12。
圖:實(shí)例2
如上圖所示是VT33驅(qū)動(dòng)VT20,VCC=3.3V,使用的PMOS其VGSth=-3V~-1V,X9H_PWR_ON電平為1.8V,那么1.8-3.3=-1.5V,剛好處于VGSTH之間,存在導(dǎo)通隱患,所以增加一個(gè)VT33驅(qū)動(dòng)電路。如果X9H_PWR_ON電平是3.3V,那么就可以直接驅(qū)動(dòng)VT20。
最后,小編誠(chéng)心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀,對(duì)小編來(lái)說(shuō)都是莫大的鼓勵(lì)和鼓舞。希望大家對(duì)NMOS已經(jīng)具備了初步的認(rèn)識(shí),最后的最后,祝大家有個(gè)精彩的一天。