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[導(dǎo)讀]MOSFET,全稱Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。它由金屬、氧化物(如SiO?或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成,具有三個主要電極:源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)

定義:

MOSFET,全稱Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。它由金屬、氧化物(如SiO?或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成,具有三個主要電極:源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。


主要特性:


開關(guān)速度快:MOSFET的開關(guān)速度非???,適合高頻應(yīng)用。

高頻特性好:在高頻電路中表現(xiàn)出色,適用于射頻等高頻領(lǐng)域。

熱穩(wěn)定性好:能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,具有良好的熱穩(wěn)定性。

噪聲低:與其他功率半導(dǎo)體器件相比,MOSFET產(chǎn)生的噪聲較低。

驅(qū)動電路簡單:其驅(qū)動電路相對簡單,降低了系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜度。

驅(qū)動功率?。篗OSFET的驅(qū)動功率較小,有利于節(jié)省能源和提高效率。

安全工作區(qū)寬:具有較寬的安全工作區(qū),能夠在多種工作條件下穩(wěn)定運行。

無二次擊穿問題:與其他器件相比,MOSFET在特定條件下不會出現(xiàn)二次擊穿現(xiàn)象。

應(yīng)用場景:

MOSFET廣泛應(yīng)用于模擬電路與數(shù)字電路,特別是在低壓側(cè)開關(guān)電路中,常采用N溝道MOSFET。此外,在高頻電路、射頻電路、功率放大器等場合也有重要應(yīng)用。


IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)

定義:

IGBT,全稱Insulated Gate Bipolar Transistor,即絕緣柵雙極型晶體管,是一種由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。


主要特性:


綜合性能優(yōu)越:IGBT結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR(電力晶體管)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點,驅(qū)動功率小且飽和壓降低。

開關(guān)特性優(yōu)良:雖然IGBT的開關(guān)速度略低于MOSFET,但明顯高于GTR,適用于需要快速開關(guān)的場合。

節(jié)能高效:IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點,能夠顯著提高系統(tǒng)的整體效率。

應(yīng)用范圍廣泛:非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng),如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

工作原理:

IGBT通過激活或停用其柵極端子來開啟或關(guān)閉。當柵極端子上有電壓供應(yīng)時,柵極電流增加,進而增加柵極-發(fā)射極電壓,從而增加集電極電流并降低集電極到發(fā)射極電壓。


應(yīng)用場景:

IGBT在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,特別是在需要高電壓、大電流、高頻率的場合,如變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備中。隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進,IGBT及其模塊化產(chǎn)品將在市場上占據(jù)越來越重要的地位。

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