IR 推出200V DirectFET MOSFET
[導(dǎo)讀]國(guó)際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標(biāo)準(zhǔn)的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 95% 的效率。
國(guó)際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標(biāo)準(zhǔn)的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 95% 的效率。
IR 新推出的 200V DirectFET 器件是應(yīng)用于專(zhuān)為 36V 至 75V 通用輸入范圍內(nèi)操作的隔離式 設(shè)計(jì)DC-DC轉(zhuǎn)換器。其超低的 51 mΩ典型10V 導(dǎo)通電阻RDS(on) 及減低了的柵極電荷，使IRF6641TRPbF特別適合應(yīng)用于高效同步整流MOSFET、推動(dòng)大電流負(fù)載的高頻及高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、新一代中間總線轉(zhuǎn)換器、DC 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器，以及為風(fēng)力渦輪轉(zhuǎn)換功率的 48V 變頻器的同步整流。在 48V 通用輸入電壓范圍內(nèi)操作的計(jì)算機(jī)及電信服務(wù)器的大電流 AC-DC 轉(zhuǎn)換器也可以采用新器件進(jìn)行同步整流。
IR亞太區(qū)高級(jí)銷(xiāo)售總監(jiān)曾海邦表示：“我們最新的 200V DirectFET MOSFET 的電流額定值達(dá)到 25 安培，但面積僅與0.7 毫米高度的SO-8 封裝產(chǎn)品相同，同時(shí)也能把柵極電荷和封裝電感降至最低，從而減少導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗。一顆DirectFET MOSET就能比較兩顆或三顆 SO-8 器件節(jié)省超過(guò) 50% 的空間。”
IR 的新器件在諸多應(yīng)用上都能提供卓越的表現(xiàn)。IRF6641TRPbF 與其他采用次級(jí)同步整流插座的增強(qiáng) SO-8 器件相比，當(dāng)每個(gè)插座所使用的增強(qiáng) SO-8 器件的數(shù)目相同時(shí)，新的 DirectFET 器件的效率可提高 0.4% 。此外，當(dāng)每個(gè)插座使用兩個(gè)增強(qiáng)SO-8 器件時(shí)，IR 的新器件也能提供同樣 7 安培的電流和滿(mǎn)載效率。在同一項(xiàng)分析中，每個(gè)插座如果采用兩顆IRF6641TRPbF 器件的電路，MOSFET 溫度是最低的。
新器件有一個(gè)共用MZ 占位面積，可以方便地將應(yīng)用轉(zhuǎn)換至其他中電壓DirectFET MOSFET，例如具有可接受的增加電流電平和更低電壓的100V IRF6662器件。
新的IRF6641TRPbF DirectFET MOSET現(xiàn)已供貨。
IR已獲專(zhuān)利的DirectFET MOSFET封裝具有以往標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝所不能提供的全新設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)。其金屬罐結(jié)構(gòu)可提供雙面冷卻功能，使應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)先進(jìn)微型處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力增加了一倍。此外，DirectFET封裝內(nèi)的器件均符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。
IR 新推出的 200V DirectFET 器件是應(yīng)用于專(zhuān)為 36V 至 75V 通用輸入范圍內(nèi)操作的隔離式 設(shè)計(jì)DC-DC轉(zhuǎn)換器。其超低的 51 mΩ典型10V 導(dǎo)通電阻RDS(on) 及減低了的柵極電荷，使IRF6641TRPbF特別適合應(yīng)用于高效同步整流MOSFET、推動(dòng)大電流負(fù)載的高頻及高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、新一代中間總線轉(zhuǎn)換器、DC 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器，以及為風(fēng)力渦輪轉(zhuǎn)換功率的 48V 變頻器的同步整流。在 48V 通用輸入電壓范圍內(nèi)操作的計(jì)算機(jī)及電信服務(wù)器的大電流 AC-DC 轉(zhuǎn)換器也可以采用新器件進(jìn)行同步整流。
IR亞太區(qū)高級(jí)銷(xiāo)售總監(jiān)曾海邦表示：“我們最新的 200V DirectFET MOSFET 的電流額定值達(dá)到 25 安培，但面積僅與0.7 毫米高度的SO-8 封裝產(chǎn)品相同，同時(shí)也能把柵極電荷和封裝電感降至最低，從而減少導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗。一顆DirectFET MOSET就能比較兩顆或三顆 SO-8 器件節(jié)省超過(guò) 50% 的空間。”
IR 的新器件在諸多應(yīng)用上都能提供卓越的表現(xiàn)。IRF6641TRPbF 與其他采用次級(jí)同步整流插座的增強(qiáng) SO-8 器件相比，當(dāng)每個(gè)插座所使用的增強(qiáng) SO-8 器件的數(shù)目相同時(shí)，新的 DirectFET 器件的效率可提高 0.4% 。此外，當(dāng)每個(gè)插座使用兩個(gè)增強(qiáng)SO-8 器件時(shí)，IR 的新器件也能提供同樣 7 安培的電流和滿(mǎn)載效率。在同一項(xiàng)分析中，每個(gè)插座如果采用兩顆IRF6641TRPbF 器件的電路，MOSFET 溫度是最低的。
新器件有一個(gè)共用MZ 占位面積，可以方便地將應(yīng)用轉(zhuǎn)換至其他中電壓DirectFET MOSFET，例如具有可接受的增加電流電平和更低電壓的100V IRF6662器件。
新的IRF6641TRPbF DirectFET MOSET現(xiàn)已供貨。
IR已獲專(zhuān)利的DirectFET MOSFET封裝具有以往標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝所不能提供的全新設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)。其金屬罐結(jié)構(gòu)可提供雙面冷卻功能，使應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)先進(jìn)微型處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力增加了一倍。此外，DirectFET封裝內(nèi)的器件均符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。
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