Graphene 作為一種半金屬性 (semi-metal) 材料， 內(nèi)部載流子濃度高達(dá) 1013 個(gè)/ cm³ ，而且由于 Graphene 特殊的能帶結(jié)構(gòu)，載流子可以在電子與空穴之間連續(xù)調(diào)節(jié) ，使 Graphene呈現(xiàn)出 n 型、p 型特性。

由于高度對(duì)稱的晶格結(jié)構(gòu)，使得 Graphene 內(nèi)部載流子的遷移率達(dá)到 15000cm²/(vs)，而且實(shí)驗(yàn)表明，這種遷移率幾乎與溫度無(wú)關(guān) ，說(shuō)明即使在室溫下，Graphene 的遷移率仍然主要受雜質(zhì)或缺陷的影響 ，通過(guò)提高晶體質(zhì)量，可以提高載流子的遷移率 (高達(dá)100000cm²/(vs) )。這些特性為 Graphene 在未來(lái)電子學(xué)中的應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。

所以目前石墨烯最重要的應(yīng)用領(lǐng)域就是結(jié)合傳統(tǒng)微加工技術(shù)，各種器件 (p - n結(jié)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、單分子探測(cè)器等) 已經(jīng)被實(shí)驗(yàn)所實(shí)現(xiàn)，使 Graphene 體現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。

雖然 Graphene 在微電子學(xué) 、納米電子學(xué) 、自旋電子學(xué) 、能源存儲(chǔ)等方面具有廣泛應(yīng)用前景 ，但是大量的、高質(zhì)量的 Graphene 樣品的獲得仍然是困擾著人們的問(wèn)題。

利用微力學(xué)解理方法獲得的 Graphene 強(qiáng)烈依賴所使用的石墨 ，目前所能得到的最大面積僅為微米量級(jí) ，而且效率低下，很難在產(chǎn)業(yè)中使用，利用碳化硅分解獲得的 Graphene 具有大量缺陷，過(guò)渡金屬表面生長(zhǎng)的 Graphene 不易分離等都為 Graphene 的產(chǎn)業(yè)化提出了問(wèn)題。Graphene 的制備方法仍需要進(jìn)一步的完善，要大量生產(chǎn)或許荊棘重重。

關(guān)于石墨烯與 LED，六年前石墨烯拿到諾貝爾獎(jiǎng)之后，很多做 LED 的人想把石墨烯用在 LED 芯片與散熱領(lǐng)域并寫了很多專利，原因就是因?yàn)樗鼉?yōu)異的導(dǎo)熱與導(dǎo)電能力，當(dāng)然還有它的高透明穿透率性質(zhì)，所以我看到很多關(guān)于石墨烯的 LED 專利都是透明導(dǎo)電層與散熱技術(shù)方面。

石墨烯也許是一個(gè)非常好的導(dǎo)熱材料，但是以現(xiàn)在的技術(shù)與成本用在 LED 會(huì)非常浪費(fèi)，目前用在芯片的透明導(dǎo)電層上也是很浪費(fèi)，除非有生產(chǎn)技術(shù)的突破，讓石墨烯鍍膜成本降低到跟 ITO 差不多，這樣也許因?yàn)樗�的�?yōu)異特性取代目前的工藝也不無(wú)可能。同理用在 LED 散熱材料也是如此。我覺(jué)得 LED 芯片比較有可能比較快用上。