1 LED顯示屏控制系統(tǒng)對串行FRAM的要求
首先,對VRS51L3074控制的3個FRAM組成的數(shù)據處理系統(tǒng)與FRAM的連接關系進行分析。圖1(a)為VRS51L3074和3個FRAM組成的數(shù)據處理系統(tǒng)。當進行顯示數(shù)據處理時SPI總線為標準連接形式,即所有SPI接口芯片的SI、SO、SCK分別連接在一起;只有片選線分別與VRS51L3074連接,對每一個存儲器的數(shù)據分別進行讀寫操作。而數(shù)據顯示時只需同步給定3個串行存儲器相同的起始地址,然后在SCK脈沖的作用下由串行FRAM存儲器的SO腳送入74HCl64,經串并轉換后直接輸出到LED顯示屏。由于顯示數(shù)據直接由74HCl64旁路“DMA”至LED顯示屏,因此作為數(shù)據顯示控制的VRS51L3074不需要處理串行存儲器的輸出數(shù)據,也就是說對3個串行存儲器只需要進行開環(huán)控制。具體電路框圖如圖1(b)所示。
2 雙端口RAM模塊及LED顯示屏控制系統(tǒng)
圖2所示的串行雙端口RAM模塊是根據圖1中數(shù)據處理和數(shù)據顯示SPI的連接關系,外加總線開關74HC245構成的。SPI接口的FRAM時鐘信號SCK和數(shù)據輸入端SI共用,而由于驅動LED顯示屏時3個片選信號要同時有效,數(shù)據輸出SO端(如圖1(b)所示,分別接3片74HCl64的輸入端)也需要獨立控制,故需要由74HC245總線開關實現(xiàn)在端口A、B間切換的控制信號為8個(SI,1個;SCK,1個;CS,3個;SO,3個),使用2片8總線數(shù)據開關74HC245就足夠了。
圖3為由2個串行雙端口RAM模塊構成的LED顯示屏控制系統(tǒng)。工作時數(shù)據處理單片機與數(shù)據顯示單片機通過2條控制線進行同步工作,其中數(shù)據處理單片機為主機,數(shù)據顯示單片機為從機。在實際應用中,可通過增加串行雙端口RAM模塊的數(shù)量,或增加74HCl64的級數(shù)來增加LED顯示屏的高度。LED顯示屏水平方向的長度只與數(shù)據顯示單片機以及串行FRAM的SPI時鐘頻率有關,在SPI時鐘頻率為20 MHz時,水平方向的長度可達2 048點。在雙向驅動模式下,LED顯示屏的高度由串行雙端口RAM模塊的數(shù)量確定。水平方向的長度在40 MHz時無灰度可達4 096點,在8級灰度情況下可達512點;而垂直方向3片F(xiàn)RAM經74HCl64串并轉換后的3字節(jié)(共24位),雙色點數(shù)=24÷2x16=192點,單色點數(shù)=24×16=384點。
FM25L256B串行FRAM的讀寫與串行Flash基本一致。最大的特點是寫一個字節(jié)后不需要像串行Flash那樣查詢寫操作是否完成,而是像順序讀操作一樣連續(xù)寫;既不需要先擦除再寫入,也沒有讀寫次數(shù)的限制,完全可像RAM一樣使用。VRS51L3074的SPI接口速度為系統(tǒng)時鐘的1/2,一般51單片機的SPI接口速度都是系統(tǒng)時鐘的1/4(沒有下載脈沖),因此VRS51L3074的SPI接口的某些特性在LED顯示屏控制系統(tǒng)中有極為重要的作用。同樣,串行FRAM和VRS51L3074共同構成的雙端口RAM控制系統(tǒng),可利用VRS51L3074的SPI接口非常方便地完成多字節(jié)讀寫。
3 雙MCU共用雙端口RAM協(xié)同工作
首先,數(shù)據處理單片機在模塊O和模塊1中組織同樣的顯示數(shù)據,然后通過顯示控制端啟動數(shù)據顯示單片機。數(shù)據顯示單片機對串行FRAM只有讀的權力,只能同時通過CSO片選模塊0或1中的3片F(xiàn)RAM,并通過SO端同時給模塊O或l中的3片F(xiàn)RAM送顯示數(shù)據的首地址;然后在SCK的作用下,模塊O或1中的3片F(xiàn)RAM通過各自的SO端向對應74HCl64的SI端輸出顯示數(shù)據,同時由數(shù)據顯示單片機通過CS3端自動產生LED顯示屏單元板所需的移位脈沖。在LED顯示屏一行顯示完成后,數(shù)據顯示單片機向數(shù)據處理單片機發(fā)出行顯示完成的狀態(tài)信號,同時等待數(shù)據顯示單片機發(fā)出繼續(xù)顯示的指令,當接收到繼續(xù)顯示指令后啟動下一行的顯示。數(shù)據處理單片機可根據需要通過端口選擇讓數(shù)據顯示單片機顯示模塊O或1中的顯示數(shù)據,且單片機可在數(shù)據顯示單片機顯示的同時,處理雙端口RAM模塊1或O中的顯示數(shù)據。
結 語
本文對LED顯示屏控制系統(tǒng)使用由串行FRAM存儲器組成雙端口RAM的硬件系統(tǒng)和控制方法進行了初步的探討。這種雙端口RAM與傳統(tǒng)雙端口RAM的不同之處在于其端口的一端可讀寫,而另一端只能讀。利用串行FRAM組成雙端口RAM具有控制線少、容量大及價格低等優(yōu)點,在讀寫速度要求不是很高的情況下有著良好的應用前景。