一種低壓開(kāi)關(guān)電荷泵的設(shè)計(jì)
摘要:設(shè)計(jì)了一款應(yīng)用于亞微米工藝的傳輸只讀存儲(chǔ)器的編程高壓的單閾值開(kāi)關(guān)電荷泵。隨著亞微米和深亞微米工藝的應(yīng)用,N+/PWLL結(jié)反向擊穿電壓和柵氧擊穿電壓都明顯降低,用于只讀存儲(chǔ)器傳送編程電壓的兩閾值開(kāi)關(guān)電荷泵應(yīng)用存在著極大的風(fēng)險(xiǎn)。單閾值開(kāi)關(guān)電荷泵能實(shí)現(xiàn)內(nèi)部高壓結(jié)點(diǎn)只高于編程一個(gè)閾值電壓,使開(kāi)關(guān)電荷泵在傳送高壓時(shí)能安全工作。電路在TSMC 0.35μm工藝得到仿真驗(yàn)證。
關(guān)鍵詞:?jiǎn)伍撝?;電荷泵;只讀存儲(chǔ)器
電荷泵是一種運(yùn)用電荷在電容器中積累產(chǎn)生高壓的電路,它廣泛應(yīng)用于串口通信電路、EEPROM、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器等需要高壓的領(lǐng)域。電荷泵分大功率電荷泵和小功率電荷泵。根據(jù)不同的應(yīng)用,電荷泵的種類(lèi)不同,內(nèi)部直接產(chǎn)生高壓的電荷泵有:雙極DICKSON電荷泵,MOSDIC-KSON電荷泵,四模式電荷泵設(shè)計(jì),電壓倍增電荷泵,電壓三倍電荷泵。因只讀存儲(chǔ)器芯片的數(shù)據(jù)只能進(jìn)行一次編程,編程后的數(shù)據(jù)能長(zhǎng)時(shí)間保存,PROM的基本單元在編程時(shí)需要過(guò)毫安級(jí)別以上的電流,所以只讀存儲(chǔ)器編程時(shí)一般都采用外加編程高壓,內(nèi)部的電荷泵只是起著開(kāi)關(guān)的作用,在編程的時(shí)候傳遞編程高壓,并提供大電流通路?,F(xiàn)在應(yīng)用于只讀存儲(chǔ)器的電荷泵是兩閾值電荷泵。
隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展,工藝尺寸的不斷減小,基本器件的柵氧厚度,最小溝道長(zhǎng)度不斷減小,對(duì)應(yīng)的柵氧擊穿電壓,源漏穿通電壓也不斷減小。只讀存儲(chǔ)器的編程高壓的傳遞變得很困難,傳統(tǒng)的應(yīng)用于只讀存儲(chǔ)器中的電荷泵因?yàn)閮?nèi)部高壓結(jié)點(diǎn)峰值要高于編程電壓兩個(gè)閾值電壓,導(dǎo)致我們?cè)谠O(shè)計(jì)此類(lèi)電荷泵時(shí),工藝擊穿電壓的限制成為嚴(yán)重的問(wèn)題,甚至兩閾值損失的電荷泵無(wú)法實(shí)現(xiàn)。為降低應(yīng)用于只讀存儲(chǔ)器電荷泵的內(nèi)部高壓節(jié)點(diǎn)電壓,同時(shí)保證電荷泵傳送的編程電壓紋波很小,本文設(shè)計(jì)了一款單閾值電荷泵。
1 兩閾值電荷泵工作原理和問(wèn)題
1.1 兩閾值電荷泵的工作原理
電荷泵工作的兩個(gè)理論基礎(chǔ):電容的兩端電壓不能突變,電荷共享原理。圖1是傳統(tǒng)兩閾值電荷泵的工作原理分析圖。
外加編程電壓為VP,初始時(shí)CLEAR端為VDD,因N4管柵極為恒定電源電壓VDD,所以初始時(shí)結(jié)點(diǎn)3的電壓V3o=VDD-VTH4,N5管導(dǎo)通,編程結(jié)點(diǎn)4接地。電荷泵開(kāi)始工作,CLK為固定周期的方波信號(hào)。
第1個(gè)周期,當(dāng)結(jié)點(diǎn)5從0到VDD,因?yàn)殡娙軨1兩端電壓不能突變,另結(jié)點(diǎn)2的寄生電容為C5,則結(jié)點(diǎn)2從0變化到:
V21=C1×VDD/(C1+CS) (1)
因N2為飽和管接法,結(jié)點(diǎn)3的電壓鉗位到
V31=C1×VDD/(C1+CS)-VTH21 (2)
當(dāng)結(jié)點(diǎn)5從VDD到0時(shí),結(jié)點(diǎn)2先被瞬間拉到0,然后又被N1管拉到
C1×VDD/(C1+CS)-VTH21-VTH11 (3)
第i個(gè)周期,結(jié)點(diǎn)2和結(jié)點(diǎn)3的電壓V2i,V3i分別為:
V2i和V3i不斷升高,當(dāng)V3i高于VP一個(gè)閾值電壓時(shí),編程電壓VP被完全傳送到編程結(jié)點(diǎn)。
但隨著震蕩周期數(shù)的增加,VTH2i,VTH1i的值增大。當(dāng)電荷泵進(jìn)入穩(wěn)態(tài)且VP能完整傳遞到編程結(jié)點(diǎn),結(jié)點(diǎn)2,3的電壓峰值達(dá)到最大,用V2PEKAmax,V3PEKAmax分別表示。此時(shí)N1,N2,N3管的體效應(yīng)最大,其閾值電壓達(dá)到最大值,用VTH1max,VTH2max,VTH3max分別表示。為了使編程高壓VP完全傳到編程結(jié)點(diǎn),則
V2PEKAmax≥VTH2max+VTH3max+VP (6)
隨著工藝尺寸的縮小,工作電壓VDD,柵源擊穿電壓BVGS,源漏擊穿電壓BVDS,源襯底PN結(jié)擊穿電壓BVSB都降低。設(shè)計(jì)兩閾值損失電荷泵時(shí)將會(huì)遇到以下兩個(gè)嚴(yán)重甚至無(wú)法解決的問(wèn)題:
問(wèn)題一:因VTH2i,VTH1i變大,如果在第i個(gè)周期時(shí)
C1×VDD/(C1+CS)-VTH2i-VTH1i<0 (7)
則結(jié)點(diǎn)2抬升的電壓無(wú)法維持兩個(gè)閾值損失,此時(shí)傳到編程結(jié)點(diǎn)的編程電壓VBL<VP。
問(wèn)題二:若在電荷泵工作過(guò)程中,V2i>BVGS,柵氧擊穿;V2i>BVSB,N+/PWELL的PN結(jié)擊穿。
1.2 傳統(tǒng)的兩閾值電荷泵的仿真結(jié)果和問(wèn)題分析
將傳統(tǒng)的兩閾值電荷泵在TSMC 0.35μm的CMOS工藝上,我們假設(shè)VP為7V,工作電壓為3.3V仿真結(jié)果如圖2所示。
此時(shí)在40μs的時(shí)間,VBL上升到5.423V,編程電壓VP出現(xiàn)1.577V的電壓損失,此時(shí)內(nèi)部高壓結(jié)點(diǎn)電壓已經(jīng)達(dá)到9.681V。根據(jù)實(shí)際的仿真,兩閾值開(kāi)關(guān)電荷泵至少工作在VDD=5V下才能將VP完全傳遞到編程結(jié)點(diǎn)。如果外加VDD小于4V時(shí),在某個(gè)周期里結(jié)點(diǎn)2抬升的電壓已經(jīng)無(wú)法維持兩個(gè)閾值損失,傳送的編程電壓不再繼續(xù)抬升而出現(xiàn)損失。并且在4V的VDD下,結(jié)點(diǎn)2的電壓峰值達(dá)到10.5V,超過(guò)柵氧擊穿電壓10V的限制。
2 單閾值電荷泵的設(shè)計(jì)和仿真分析
兩閾值開(kāi)關(guān)電荷泵存在兩個(gè)問(wèn)題,根本原因是管子的體效應(yīng)不斷增加,導(dǎo)致傳送的編程電壓出現(xiàn)閾值損失,同時(shí)造成內(nèi)部高壓結(jié)點(diǎn)電壓過(guò)高。本文設(shè)計(jì)的單閾值電荷泵的結(jié)點(diǎn)電壓峰值只需要高于編程電壓一個(gè)閾值,編程電壓就能完全傳遞到編程結(jié)點(diǎn),使以上的兩個(gè)問(wèn)題都得到解決。圖3是單閾值電荷泵的原理分析圖。
外加編程電壓VP,結(jié)點(diǎn)2直接被拉到V2o=VP-VTH1,初始時(shí)ctrl端為0,N4管關(guān)斷,結(jié)點(diǎn)4抬高,P2管關(guān)斷,此時(shí)結(jié)點(diǎn)6為VDO,N5管開(kāi)啟,因此結(jié)點(diǎn)3被拉低,N2管關(guān)斷,同時(shí)N3打開(kāi)編程結(jié)點(diǎn)7被拉到地。當(dāng)Ctrl為高,clock為固定周期的方波信號(hào)時(shí),電荷泵開(kāi)始工作,此時(shí)結(jié)點(diǎn)4被拉低,P2管導(dǎo)通,同時(shí)結(jié)點(diǎn)6為低,N5管關(guān)斷,因此結(jié)點(diǎn)3的電壓等于結(jié)點(diǎn)2的電壓,同時(shí)N3管關(guān)斷,編程結(jié)點(diǎn)被釋放出來(lái)。第一個(gè)周期結(jié)點(diǎn)5從0變化到VDD時(shí),令結(jié)點(diǎn)2的寄生電容為CS,結(jié)點(diǎn)2的電壓被拉到
V21=VDD×C1/(C1+CS)+VP-VTH1 (8)
當(dāng)結(jié)點(diǎn)5從VDD到0時(shí),結(jié)點(diǎn)2的電壓又被拉到V2o=VP-VTH1。在編程過(guò)程中結(jié)點(diǎn)2的電壓一直在兩個(gè)電壓內(nèi)來(lái)回跳變,即結(jié)點(diǎn)3的電壓也在兩個(gè)電壓之間來(lái)回跳變。要使編程電壓VP完全傳遞到編程結(jié)點(diǎn),結(jié)點(diǎn)3的最大電壓至少大于編程電壓VP一個(gè)閾值電壓,即
V2PEAKmax=V3PEAK≥VP+VTH2 (9)
從上面公式可知,該電荷泵結(jié)點(diǎn)2電壓峰值只需要比編程電壓提高一個(gè)閾值電壓,這基本解決了兩閾值電荷泵的第二個(gè)問(wèn)題,同時(shí)峰值電壓降低一個(gè)閾值電壓N1,N2的體效應(yīng)相對(duì)兩閾值電荷泵更低,第一個(gè)問(wèn)題也得到了一定程度上的優(yōu)化。
在編程電壓為7V,工作電壓為3.3V時(shí)單閾值開(kāi)關(guān)電荷泵的仿真結(jié)果如圖4所示。
仿真結(jié)果顯示,該電路的峰值電壓只高于編程電壓1.593V,此時(shí)7V的編程電壓可以完全傳到編程結(jié)點(diǎn)。
3 結(jié)束語(yǔ)
本文設(shè)計(jì)的應(yīng)用于亞微米或者深亞微米的只讀存儲(chǔ)器的單閾值電荷泵解決了兩閾值電荷泵產(chǎn)生的內(nèi)部高壓結(jié)點(diǎn)的威脅,同時(shí)也在改善了因體效應(yīng)變化使編程電壓出現(xiàn)傳輸損失的問(wèn)題。電路結(jié)構(gòu)在臺(tái)積電0.35微米的工藝得到仿真驗(yàn)證。