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[導(dǎo)讀]摘要: 對具有驅(qū)動變壓器的功率MOSFET管驅(qū)動電路的動態(tài)過程進(jìn)行了分析,推導(dǎo)了驅(qū)動變壓器設(shè)計參數(shù)(繞組電流有效值,變壓器功率)的計算方法,定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對開通過程的影響,并通過仿真和試

摘要:  對具有驅(qū)動變壓器的功率MOSFET管驅(qū)動電路的動態(tài)過程進(jìn)行了分析,推導(dǎo)了驅(qū)動變壓器設(shè)計參數(shù)(繞組電流有效值,變壓器功率)的計算方法,定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對開通過程的影響,并通過仿真和試驗驗證了這套計算方法的正確性。

 

1 引言
作為開關(guān)電源的開關(guān)器件,功率MOSFET管具有開關(guān)速度快、工作頻率高的特點,適用于高頻開關(guān)電路。此外,在并聯(lián)使用時,由于MOSFET管具有正溫度系數(shù),可以自動均流,無需均流電路,方便擴流,這也是目前其他功率開關(guān)器件不可替代的優(yōu)點[1]。
為了加速開通,減少損耗,對MOSFET管的驅(qū)動電路的基本要求是內(nèi)阻要小,驅(qū)動電壓盡量高(但不能超過柵-源擊穿電壓);為了加速關(guān)斷,應(yīng)給輸入電容提供低阻放電通道;為了抑制高頻振蕩,柵極引線盡量短,減少線路分布參數(shù);為了防止靜電感應(yīng)導(dǎo)致柵極電壓上升引起誤導(dǎo)通,柵極不允許開路,大功率MOSFET管截止時,柵極最好施加負(fù)電壓[2]。
MOSFET管的驅(qū)動電路有多種形式,可以用TTL電平直接驅(qū)動,但更多采用隔離驅(qū)動,在驅(qū)動信號輸出端與MOSFET管柵極之間用光耦或磁耦實現(xiàn)與主電路電隔離。
驅(qū)動變壓器是常用的磁耦元件,起到傳輸驅(qū)動信號和功率的作用。設(shè)計合理的驅(qū)動變壓器,不僅可以提高M(jìn)OSFET管開關(guān)性能,而且體積小、重量輕,成本低。
2 MOSFET管內(nèi)部電容與變壓器驅(qū)動?xùn)艠O電路
2.1 內(nèi)部電容
MOSFET管內(nèi)部電容,也稱極間電容,是柵極、源極、漏極之間的寄生電容。開關(guān)電源最常用N溝道增強型MOSFET管[3],內(nèi)部電容分別為:柵-源極間電容Cgs,柵-漏極間電容Cgd,漏-源極間電容Cds,如圖1[1, 3]。
與漏-源短路條件下小信號輸入電容Ciss的關(guān)系:
 Ciss=Cgs+Cgd                                      (1)
與柵-源短路條件下小信號輸出電容Coss的關(guān)系:
 Coss=Cds+vgd                                      (2)
與小信號反向轉(zhuǎn)換電容(反饋電容)Crss的關(guān)系:
 Crss=Cgd                                     (3)
驅(qū)動電路的任務(wù)就是針對MOSFET管開通、關(guān)斷過程中的寄生電容進(jìn)行充放電。需要說明的是,內(nèi)部電容并非常數(shù),會隨著開通、關(guān)斷過程中極間電壓的變化而變化,使得開通、關(guān)斷的動態(tài)過程比較復(fù)雜[3],但是,對于柵極驅(qū)動,主要考慮上升、下降時間內(nèi)(短于整個動態(tài)過程時間)的驅(qū)動波形,可以把Ciss看做常數(shù)進(jìn)行分析。
2.2 MOSFET管變壓器驅(qū)動?xùn)艠O電路
圖2為變壓器驅(qū)動?xùn)艠O電路,是驅(qū)動電路的最后部分。變壓器T1提供驅(qū)動信號,經(jīng)由保護(hù)二極管D1、柵極串聯(lián)電阻R1向柵極輸入電容Ciss充電,當(dāng)柵-源極間電壓vgs大于門限開啟電壓vTh,MOSFET管導(dǎo)通,進(jìn)而進(jìn)入飽和區(qū),完成開通過程;當(dāng)變壓器驅(qū)動信號低電平時,三極管Q1導(dǎo)通,柵極電容的電荷迅速通過R1,Q1構(gòu)成的閉合回來釋放,達(dá)到快速關(guān)斷的目的。電阻R3防止柵極開路,穩(wěn)壓管D2限制信號幅度不能超過柵-源擊穿電壓,起到保護(hù)作用。
3 變壓器設(shè)計與試驗
為了簡化計算,將變壓器視為方波脈沖電壓源,MOSFET管開通過程的等效電路如圖3。
開通過程就是零狀態(tài)響應(yīng)過程,三要素[4, 5]:
初始值 uciss(0)=0                                                              (4)
由于R3>>R1,穩(wěn)態(tài)值  ;          (5)
式中,U1—變壓器輸出電壓,V
時間常數(shù)τ=(R1//R2)×Ciss≈R1Ciss;                             (6)
暫態(tài)過程:
柵極電壓:
    (7)

柵極電流:   (8)
柵極電阻R3電流:i1(t)≈0                                          (9)
柵極串聯(lián)電阻R1電流:                (10)
電路瞬時功率:
               (11)
上升時間:tr=2.2τ=2.2R1Ciss                                         (12)
忽略三極管Q1飽和導(dǎo)通管壓降0.2V,MOSFET管關(guān)斷過程的等效電路如圖4。
關(guān)斷過程即可看做零輸入響應(yīng)過程,柵極電壓U1,主要元件依然是R1,Ciss(由于R3>>R1,忽略電阻R3),基本是開通的逆過程,因此,變壓器輸出電流有效值[4]:
     (13)

式中,I—變壓器輸出電流有效值,A;f—驅(qū)動信號頻率,Hz
變壓器功率:                        (14)
通過分析,由式(12)可知,減少上升時間tr的辦法是減少R1,但式(13)(14)表明,代價是增大了輸出電流有效值和變壓器功率;提高頻率和驅(qū)動電壓將導(dǎo)致電流有效值和變壓器功率增加。
線路分布參數(shù)包括變壓器漏感,內(nèi)阻r,以及導(dǎo)線引起的寄生電感等,隨著工作頻率提高,分布參數(shù)影響逐漸明顯。相對于內(nèi)阻r,分布電感對動特性影響更為顯著,考慮變壓器漏感和線路雜散電感Ls后MOSFET管開通過程的等效電路如圖5(忽略電阻R3)。
系統(tǒng)時域方程:
                (15)
傳遞函數(shù):  (16)
特征方程:LsCiss·S 2+R1Ciss·s+1=0                          (17)
特征方程根:(極點)(18)
由式(18),對于階躍輸入[5]
1)時,系統(tǒng)臨界振蕩。此時,
Ls=0.25CissR12                                   (19)
2)時,系統(tǒng)振蕩收斂。此時,
Ls>0.25CissR12                                (20)
此時,自然頻率(無阻尼震蕩頻率):
                                 (21)

阻尼比:                                                 (22)

阻尼角:                                        (23)

             (24)

3)時,系統(tǒng)不振蕩。此時,
Ls<0.25CissR12                                   (25)
理想情況下, Ls=0,系統(tǒng)即退化成圖3所示的一階系統(tǒng)。
試驗:要求設(shè)計驅(qū)動變壓器,變比1:1,驅(qū)動電壓12V,開關(guān)頻率30kHz,MOSFET管型號IXTK15P,參數(shù):trr=150ns;Ciss=7000pF;Qg=240nC,3只并聯(lián)使用,此時,Ciss=21000pF。柵極電路如圖2。

電路開通動態(tài)分析:
由式(6),時間常數(shù)τ≈R1Ciss=10×21000×10-12=2.1×10-7s;
由式(7),柵極電壓:

 

由式(10),柵極串聯(lián)電阻R1電流:

由式(11),電路瞬時功率:

由式(12),上升時間:tr=2.2τ=4.62×10-7s
開通瞬態(tài)過程(0~1μs)仿真結(jié)果如圖6:
驅(qū)動變壓器設(shè)計參數(shù):
由式(13),變壓器輸出電流有效值:

由式(14),變壓器功率:
P=I·U1=0.095×12=1.14W
由式(19),系統(tǒng)臨界振蕩的變壓器漏感:
Ls=0.25CissR12=0.25×21000×10-12×102=5.25×10-7H=0.525μH
為了說明變壓器漏感和線路雜散電感Ls對驅(qū)動的動態(tài)過程的影響,針對本設(shè)計,根據(jù)式(21)-(24),對不同Ls值進(jìn)行開通過程(0~5μs)仿真,結(jié)果如圖7。
當(dāng)變壓器漏感以及分布電感Ls超過臨界值(如0.525μH)時,系統(tǒng)振蕩。如果Ls過大(如4μH),一方面會使得上升時間延遲,另一方面,柵-源極間電壓超調(diào)量過大,可能將會引起MOSFET管開通過程不穩(wěn)定,甚至危及管子安全。因此,期望Ls小些好,所以,盡量減少變壓器漏感和引線長度。
驅(qū)動變壓器功率、電流都很小,在工程設(shè)計中,考慮留下余量,應(yīng)該取大一些磁芯,這樣做的另一個好處是,減少了變壓器匝數(shù),減少漏感量。為了進(jìn)一步減少漏感,初、次級繞組導(dǎo)線并行繞制。此外,考慮到初次級會產(chǎn)生很高的電位差,應(yīng)保證初次級繞組導(dǎo)線足夠的絕緣強度。
設(shè)計的驅(qū)動變壓器:磁芯PC44 EPC13,初級匝數(shù)26,次級匝數(shù)26,磁感應(yīng)強度0.25T,漏感0.55μH,外形尺寸20.4×13.3×7。
實驗表明,驅(qū)動變壓器工作穩(wěn)定可靠,損耗低,驅(qū)動波形上升沿、下降沿陡峭,無過沖現(xiàn)象,與仿真結(jié)果接近,滿足設(shè)計要求。驅(qū)動變壓器輸出驅(qū)動波形如圖8。
4 結(jié)論
1)驅(qū)動電路的任務(wù)就是針對MOSFET管開通、關(guān)斷過程中的寄生電容進(jìn)行充放電。驅(qū)動變壓器是常用的磁耦元件,起到傳輸驅(qū)動信號和功率的作用;
2)為了加速開通,減少損耗,對驅(qū)動電路的基本要求是內(nèi)阻要小,但代價是增大了驅(qū)動變壓器輸出電流和功率;
3)驅(qū)動變壓器輸出電流和功率還與開關(guān)頻率和驅(qū)動電壓有關(guān),并隨著頻率提高或電壓提高而增大。
4)為了驅(qū)動過程快速、穩(wěn)定、安全可靠,抑制高頻振蕩,盡量減少變壓器漏感和引線長度。

參考文獻(xiàn)
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