長江存儲將宣布Xtacking 2.0閃存技術(shù) 速度堪比DDR4內(nèi)存

時(shí)間：2019-05-16 13:23:52

關(guān)鍵字： 2.0 xtacking 閃存技術(shù)

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[導(dǎo)讀]目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對市場影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會積極擴(kuò)張。

來自集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）的消息稱，預(yù)計(jì)長江存儲到年底擴(kuò)張達(dá)至少60K/m的投片量，與其他競爭者動輒200K/m以上的產(chǎn)能并不算大，但預(yù)估NAND Flash市場價(jià)格仍會受到一定沖擊，進(jìn)而導(dǎo)致跌價(jià)趨勢持續(xù)。

在技術(shù)方面，為了盡快縮短與國外廠商的差距，長江存儲在閃存技術(shù)上采取了跳躍式發(fā)展，32層堆棧的只是小量生產(chǎn)，64層堆棧是今明兩年生產(chǎn)的主力，再下一代則會直接進(jìn)入128層堆棧，跳過了三星、美光、東芝、Intel等公司現(xiàn)在力推的96層堆棧閃存，這幾家公司預(yù)計(jì)在2020年才會推出128層堆棧的閃存。

在這個(gè)問題上，去年長江存儲推出了Xtacking結(jié)構(gòu)的3D NAND閃存技術(shù)，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。

采用Xtacking，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

性能上，長江存儲表示“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標(biāo)值是1.4Gbps，而大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術(shù)我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。這對NAND行業(yè)來講將是顛覆性的。”

日前在GSA Memory+會議上，長江存儲聯(lián)席CTO湯強(qiáng)發(fā)表了《三維閃存技術(shù)發(fā)展的展望》演講，表示長江存儲今年8月份將會推出Xtacking 2.0閃存技術(shù)，Xtacking依然會不斷進(jìn)化中。