閃存芯片KM29N32000TS在單片機系統(tǒng)中的應用

時間：2004-12-08 13:12:00

關鍵字：單片機系統(tǒng) 閃存芯片 N32000 N32000 BSP

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[導讀]介紹32M位閃存芯片（Flash Memory）KM29N32000TS,并以87C552單片機為例介紹它在單片機系統(tǒng)中的硬件連接和軟件編制方法。

摘要：介紹32M位閃存芯片（Flash Memory）KM29N32000TS,并以87C552單片機為例介紹它在單片機系統(tǒng)中的硬件連接和軟件編制方法。該芯片與單片機的硬件連接電路簡單，可擴容能力強，易于編程，且體積小、容量大，具有很高的實用價值。

關鍵詞：KM29N32000TS Flash存儲器單片機系統(tǒng)

在許多測量和測試應用系統(tǒng)中，如便攜式儀器等其它電池供電系統(tǒng)，需要保證數(shù)據(jù)的可靠性和可用性，即使整個系統(tǒng)掉電，而所采集到的數(shù)據(jù)仍能長時間的保持不丟失。閃存技術的發(fā)燕尾服提供了這種可能性。閃存的非易失性非常優(yōu)越，數(shù)據(jù)可保存長達10的。本文將介紹32M位閃存芯片KM29N32000TS及其在87C552單片機系統(tǒng)中的應用。

1 KM29N32000TS簡介

KM29N32000TS作為閃速存儲器兼有E2PROM的可編程能力和非易失性，并且容量大、速度快，只需單5V供電便可做讀、編程、擦除等操作。圖1是它的存儲器組織圖。

KM29N32000TS是44（40）腳表面封裝器件，封裝尺寸為18.80mm×11.78mm×1.20mm，內(nèi)部有（4M+128K）×8位的存儲空間，組織成8192行，（512+16）列，其中最后16列為后備列，列地址為512～527。可以進行以512字節(jié)為一頁的頁讀、字操作和以8K字節(jié)為一塊的塊擦除操作，有一個528字節(jié)的頁豁口用于頁讀、頁編程時存儲單元的數(shù)據(jù)傳輸。

KM29N32000TS的突出優(yōu)點在于：命令、地址和數(shù)據(jù)信息均通過8條I/O線傳輸，這樣4MB空間的22位地址需要分三次寫入地址寄存器，經(jīng)譯碼后訪問相應單元。對單片機而言，當需擴展的存儲空間超過64KB時，尋址便會存在一定困難，系統(tǒng)的連線復雜而使可靠性降低。采用這種閃速存儲器便能克服上述困難，而且便于各式級到更大容量而無需要改外部連接。

圖2為其引腳功能圖，各引腳的功能如下：

CLE：命令鎖存使能。其為高時，命令通過I/O口線在WE信號的上升沿被鎖入命令寄存器。

ALE：地址鎖存使能。當其為高時，地址在WE信號的上升沿被鎖入地址寄存器；當其為低時，鎖定輸入數(shù)據(jù)。

CE：片使能。讀操作期間，CE變高，器件轉(zhuǎn)入standby模式；編程或擦除期間，器件處于忙狀態(tài)時，CE高將被忽略。

WE：寫使能。命令、地址和數(shù)據(jù)在WE信號的上升沿被鎖定。

RE：讀使能。下降沿有效。WP：寫保護。在電源電壓過渡期間，使WP為低電平時，可產(chǎn)生寫/擦除保護。

R/B：操作狀態(tài)指示。為低電平時，指示正在編程或讀操作中，操作結束后變成高，開路輸出。

I/O口：（I/O0～I/O7）三態(tài)。輸入命令、地址和數(shù)據(jù)以及讀操作時輸出數(shù)據(jù)。

對該存儲器的各種操作有著共同的特點：首先通過I/O口將操作命令字送入命令寄存器，然后在三個連續(xù)的寫周期內(nèi)送入欲操作單元的地址（順序為A0～A7，A9～A16，A17～A21，A8會根據(jù)所訪問的存儲區(qū)域的不同而自動設定為高或低）。

2 與87C552單片機的連接

KM29N32000TS與87C552單片機的接口電路如圖3所示。由單片機的P1口直接與存儲器的I/O0～I/O7相連，實現(xiàn)命令、地址和數(shù)據(jù)的傳輸；P1.0接CLE，控制命令輸入；P1.2接ALE，控制地址輸入；P1.1接CE，控制片選；P1.3接R/B，監(jiān)測存儲器的工作狀態(tài)；WR、RD分別接WE、RE，控制讀、寫操作。

圖3中的MAX809是一個電源電壓監(jiān)測芯片。當電源電壓低于某一個值時（門限電壓），輸出低電平，使得存儲器進入寫保護狀態(tài)。當電源電壓超過門限電壓240ms后，才解除寫保護狀態(tài)，可以正常寫入數(shù)據(jù)。這樣可以保證寫入存儲器的數(shù)據(jù)都是有效的。MAX809的工作電流只有17μA。

3 軟件設計