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[導(dǎo)讀]介紹了借助存儲(chǔ)器芯片引腳之間的相似性和采用跳線方式實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器系統(tǒng)兼容性的設(shè)計(jì)方法。

摘要:介紹了借助存儲(chǔ)器芯片引腳之間的相似性和采用跳線方式實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器系統(tǒng)兼容性的設(shè)計(jì)方法。采用該方法可以解決單片機(jī)資源有限而難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要的問(wèn)題。文中給出了多種型號(hào)存儲(chǔ)器的引腳功能對(duì)照和引腳差異,了解這些特點(diǎn)差異可使之適應(yīng)于多種不同的存儲(chǔ)器芯片的應(yīng)用設(shè)計(jì)。 
關(guān)鍵詞:存儲(chǔ)器 單片機(jī) 兼容性 EPROM

1 前言

    單片機(jī)自問(wèn)世以來(lái),以其極高的性能價(jià)格比,日益受到為們的關(guān)注。目前,各種各樣的單片機(jī)已在工業(yè)控制、儀器儀表以及智能化家用電器等方面得到了廣泛應(yīng)用。

    單片機(jī)雖然在一塊VLSI芯片上集成了CPU及一定數(shù)量的程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和I/O接口,但由于封裝及成本的限制,因而在片資源非常有限,往往難于滿足實(shí)際應(yīng)用的需要。以典型的MCS8051系列單片機(jī)為例,其片內(nèi)ROM一般為4~8k,片內(nèi)RAM一般為128~256B,而其ROM/RAM尋址能力則都高達(dá)64kB。事實(shí)上,如果需要,還可借助于通用的I/O接口線進(jìn)一步擴(kuò)展其尋址能力。因此,單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)在設(shè)計(jì)中不可避免地涉及到了ROM/RAM的擴(kuò)展問(wèn)題。目前市場(chǎng)上的 ROM/RAM種類敏多,容量不一,但其多數(shù)ROM/RAM的引腳是相似的,如果充分利用這一特點(diǎn),便可使單片機(jī)系統(tǒng)更為靈活,擴(kuò)展更為方便。

2 程序存儲(chǔ)器的兼容性設(shè)計(jì)

    程序存儲(chǔ)器在單片機(jī)系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)等距離或固定資料(如漢字點(diǎn)陣庫(kù)),圖1所示是按兼容性要求設(shè)計(jì)的程序存儲(chǔ)器電路,標(biāo)有“***”的引腳將隨所用存儲(chǔ)器芯片的不同而具有不同的功能,可采用跳線的方式進(jìn)行切換。按表1選擇相應(yīng)的跳線,即可使該電路適用于多種不同的EPROM芯片。


表1 EPROM跳線選擇表

型  號(hào) 2716 2732 2764 27128 27256 27512



9-10 9-10 1-2 1-2 1-2 3-4
13-14 15-16 5-6 5-6 7-8 7-8
    9-10 11-12 11-12 11-12
    15-16 15-16 15-16 15-16

表2 常見(jiàn)EPROM引腳功能差異對(duì)照表

            型號(hào)
引腳號(hào)
24腳 28腳
2716 2732 2764 27128 27256 27512
1 - - Vpp Vpp Vpp A15
2 - - A12 A12 A12 A12
23(21) Vpp A11 A11 A11 A11 A11
26(24) Vcc Vcc NC A13 A13 A13
27 - - PGM PGM A14 A14
28 - - Vcc Vcc Vcc Vcc

    程序存儲(chǔ)器一般多用紫外線擦除的EPROM芯片充任。常用的EPROM芯片及其引腳分配如圖2所示,由圖中可知,除個(gè)別引腳外,它們的多數(shù)引腳是相似的,有差異的引腳如表2所列。


3 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的兼容性設(shè)計(jì)


     數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在單片機(jī)系統(tǒng)中一般用于存放工作數(shù)據(jù),通常用靜態(tài)RAM(SRAM)芯片充任。在某些應(yīng)用場(chǎng)合,如果希望數(shù)據(jù)在掉電后不丟失,可采用電擦除EEROM芯片。常用的RAM及EEROM芯片及其引腳分配如圖3所示,各種芯片有差異的引腳如表3所列。

 

 

表3 常見(jiàn)SRAM/EEROM引腳功能差異對(duì)照表

        型號(hào)

引腳號(hào)
RAM EEROM
24腳 28腳 24腳 28腳
6116 6264 62256 2816 2817 2864
1 - NC NC - RDY NC
2 - A12 A12 - NC A12
23(21) We A11 A11 WE NC A11
26(24) Vcc NC A13 Vcc NC NC
27 - WE A14 - WE WE
28 - Vcc Vcc - Vcc Vcc

表4 SRAM/EEROM跳線選擇表

型 號(hào) SRAM EEROM
6116 6264 62256 2816 2817 2864



5-6 1-2 3-4 5-6 1-2 1-2
9-10 5-6 7-8 9-10 5-6 5-6
  11-12 11-12   11-12 11-12

     圖4所示為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器電路,根據(jù)所選用的靜態(tài)RAM或EEROM芯片按表4選擇相應(yīng)位置的跳線可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器芯片的兼容性設(shè)計(jì)。

4 結(jié)束語(yǔ)

     常用的各種存儲(chǔ)器芯片在引腳結(jié)構(gòu)上均有較好的相似性。在應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)中充分利用這些特點(diǎn)進(jìn)行兼容性設(shè)計(jì),可使存儲(chǔ)器子系統(tǒng)適用多種不同的芯片選擇,從而增強(qiáng)系統(tǒng)的靈活性與適用性。

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