所有大型晶圓代工廠都已宣布 FinFET 技術為其最先進的工藝。Intel 在 22 nm 節(jié)點上采用該晶體管1，TSMC 在其 16 nm 工藝上使用2，而 Samsung 和 GlobalFoundries 則將其用于 14 nm 工藝中3。與所有新工藝一樣，對于 IC 設計人員來說最重要的問題是“這對我意味著什么?”新的,更小的工藝意味著設計人員將可獲益于更低的功耗、更高的面積利用率以及源自半導體縮放的其他傳統(tǒng)的改善。但除了這些優(yōu)勢外，還存在著一定的學習成本，以了解新的設計規(guī)則、參數(shù)差異，以及必須實施才能在新節(jié)點進行設計的新方法或改進的方法。目前為止，收益總能證明成本的價值所在。對 FinFET 來說也是這樣嗎?
與其他所有新技術一樣，F(xiàn)inFET 工藝包含一種與學習如何使用其進行設計相關的成本。由于 FinFETs 是一種完全不同的晶體管，問題變成，這種改變是漸進的(典型學習成本)還是革命性的(顯著學習成本)。答案取決于你的觀點…
漸進
首先要記住的是，對于大多數(shù)晶圓代工廠來說，16 nm 和 14 nm 的后道工序 (BEOL) 結構與 20 nm 節(jié)點的一樣。20 nm 采用了雙重曝光 (DP)4，對設計和制造界產生了極大影響。DP 推動了設計流程的變化，是 EDA 工具在設計、驗證、寄生參數(shù)提取和分析方面變化的催化劑。
幸運的是，DP 的挑戰(zhàn)就發(fā)生在最近。三重曝光或多重曝光業(yè)已到來，但并非用于現(xiàn)有的 FinFET 工藝。由于 BEOL 與 20 nm 相同，設計人員最需學習并了解前道工序 (FEOL) 幾何形狀的變化。圖 1 是具有單“鰭片”的 FinFET 器件圖示，當然大部分 FinFET 器件都有多鰭片。
圖 1：單“鰭片”FinFET。(信息來源：GLOBALFOUNDRIES)
第一次看到這些器件時，大部分設計人員會問以下問題：
1. 如何設計?
2. 一個器件應包含多少鰭片?
3. 鰭片尺寸/間距應該是多少?
4. 如何獲取所需信息來了解幾何形狀與電氣性能的折衷方案?
這些都是棘手的問題!通常，設計人員，尤其是數(shù)字設計人員，在權衡晶體管結構和電氣性能時將寬度、長度和面積作為參數(shù)進行考量。FinFET 設計的性質可能極大地改變這一切。幸運的是，大多數(shù)晶圓代工廠已考慮到這一點，并為FinFET 工藝開發(fā)了一種與 20nm 及以上工藝相同的設計方法。
沒錯，對于這第一代 FinFET，設計人員沒有設計/開發(fā)鰭片(除非是 SRAM 設計人員)。如同之前的節(jié)點，IC 設計人員將會通過定義器件的寬度、長度和面積來設計晶體管。設計、驗證、提取和分析工具將根據晶圓代工廠的規(guī)范將版圖分解為鰭片，然后執(zhí)行必要的分析來進行物理驗證、參數(shù)和寄生計算，甚至是執(zhí)行幾何形狀填充和電路仿真。
通過這些 EDA 創(chuàng)新，如果你是即將采用 FinFET 工藝的數(shù)字設計人員且最近的節(jié)點是 20 nm，那么 FinFETs 只不過是一種漸進的變化。BEOL 沒有新的內容，物理設計在很大程度上仍舊保持不變，而 EDA 工具負責執(zhí)行必要的分析。
革命性
圖 2 更加真實地描述出了 FinFET，用弧形代替了之前示例中的方框和平面。大部分設計人員都同意，預測這種結構的電氣性能需要重大創(chuàng)新。器件及其互連周圍的電場比他們在傳統(tǒng) MOSFET 中遇到的要復雜得多。另外，F(xiàn)inFET 器件的驅動能力比同樣尺寸的 MOSFET 更強，這意味著設計人員在預測電氣行為方面將需要更高的精確度。為滿足這些要求，就需要新的技術來進行器件和其互連的建模。
圖 2：弧形結構的 FinFET 圖示(TEM 圖片來源：ChipWorks;仿真來源：Gold Standard Simulations Ltd.)
另外，從模擬或 IP 設計人員的角度來看，上述設計方法(鰭片由晶圓代工廠實施)并非首選模型。這些設計人員希望能獲得更大的自由度，以減少滲漏、匹配驅動能力、提高頻率響應以及推動電氣和幾何限制，而這些都是固定鰭片無法做到的。根據其性質，這種設計是定制的，而無法控制鰭片數(shù)量或大小對于其中很多設計人員來說是非常別扭。
對于從 28 nm 或以上工藝跳到 FinFET 工藝的定制、模擬或 IP 設計人員來說，這種設計是革命性的，但不一定是字面上的“全新改良”。雖然有工具創(chuàng)新來緩和這種過渡，進行這種設計的方法與其習慣的設計手法相比可能更顯嚴格。采用傳統(tǒng) MOSFET 工藝，這些設計人員設計定制化的晶體管包括定制其尺寸和方向。對于 FinFET，設計人員將通過更少的變量來達成所需的電氣響應。有人懷疑是否可以通過 FinFET 工藝來完成先進的模擬設計，而關于此問題，已經有很多人討論過了。答案是肯定的，但需要對設計方法進行重大改變，且可能需要更多的實驗。
參考文獻
1 http://www.intel.com/content/www/us/en/silicon-innovations/intel-22nm-technology.html
2 http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1319511
3 http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/news-events/press-releases/detail?newsId=12461
http://www.globalfoundries.com/technology/14XM.aspx
4 https://www.semiwiki.com/forum/content/1403-double-patterning-technology-dac.html
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