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[導(dǎo)讀]瑞薩科技公司(Renesas)宣布推出具有兩個(gè)功率MOSFET的HAT2210WP,封裝形式是WPAK (瑞薩科技的封裝代碼)*1高熱輻射封裝,尺寸僅有5.3 × 6.1 × 0.8 mm (最大),用于筆記本電腦、通信設(shè)備及類似產(chǎn)品的DC-DC變換

瑞薩科技公司(Renesas)宣布推出具有兩個(gè)功率MOSFET的HAT2210WP,封裝形式是WPAK (瑞薩科技的封裝代碼)*1高熱輻射封裝,尺寸僅有5.3 × 6.1 × 0.8 mm (最大),用于筆記本電腦、通信設(shè)備及類似產(chǎn)品的DC-DC變換器中。在2004年10月29日,將從日本開(kāi)始樣品發(fā)貨。

HAT2210WP的主要特性如下。

(1) 低熱阻

由于使用了WPAK高熱輻射封裝,與目前SOP-8封裝的HAT2210R相比,熱阻減小了一半??梢钥刂频妮敵鲭娏饕蔡岣吡舜蠹s50%,因此可以減少具有高電流處理能力的DC-DC變換器所需要的功率MOSFET的數(shù)目。

(2) 與SOP-8封裝的安裝面積相同,但厚度僅有它的一半(0.8 mm (最大)。

HAT2210WP需要的安裝面積與業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的SOP-8封裝一樣,是5.3 × 6.1 mm;但厚度大約僅是它的一半,為0.8 mm (最大),使得DC-DC變換器可以做得更小巧。

安裝在信息設(shè)備如筆記本電腦和服務(wù)器中的存儲(chǔ)器、ASIC和其它芯片需要不同的驅(qū)動(dòng)電壓,因此,需要使用一些DC-DC變換器。這些DC-DC變換器需要兩個(gè)功率MOSFET,分別用于高邊和低邊*2應(yīng)用。瑞薩科技目前大量生產(chǎn)的產(chǎn)品,具有兩個(gè)功率MOSFET,封裝形式是SOP-8封裝,可以滿足較小DC-DC變換器的需要。但是,各種芯片處理的數(shù)據(jù)量越來(lái)越大,需要可以處理更大電流、安裝更多功率MOSFET的DC-DC變換器。

在這樣的背景下,瑞薩科技開(kāi)發(fā)出了新型HAT2210WP,它使用WPAK高熱輻射封裝,可以提高可以控制的電流量,實(shí)現(xiàn)更高的DC-DC變換器電流容量,并減少安裝的功率MOSFET的數(shù)目。

HAT2210WP安裝在印刷電路板(40 × 40 × 1.6 mm玻璃環(huán)氧板單個(gè)功率MOSFET操作)上時(shí)的熱阻,從瑞薩科技目前SOP-8封裝產(chǎn)品的110ºC/W,下降了一半,達(dá)到55ºC/W。因此,可以控制的輸出電流提高了50%多,從SOP-8產(chǎn)品的3 A,提高到了5 A。當(dāng)ASIC和其它芯片的驅(qū)動(dòng)電流超過(guò)3 A,進(jìn)入4 A- 5 A范圍時(shí),單個(gè)HAT2210WP就可以控制5 A的輸出電流,而先前需要兩個(gè)SOP-8封裝的具有兩個(gè)功率MOSFET的產(chǎn)品,因此,HAT2210WP使得DC-DC變換器可以做得更小。

而且,由于安裝了高邊和低邊功率MOSFET,使用分裂漏結(jié)構(gòu)。使用瑞薩科技最新的0.35 μm工藝的第8代功率MOSFET,具有業(yè)界的最高性能,設(shè)計(jì)時(shí)進(jìn)行了優(yōu)化,使高邊MOSFET具有高開(kāi)關(guān)速度、低邊MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,因此可以實(shí)現(xiàn)很高的效率,從而滿足DC-DC變換器低壓輸出的需要。

在低邊MOSFET中有一個(gè)肖特基勢(shì)壘二極管,減小了MOSFET和肖特基勢(shì)壘二極管之間的接線電感*3。在DC-DC變換器死區(qū)時(shí)間過(guò)程中,可以加速肖特基勢(shì)壘二極管的換向,從而消除效率惡化,并減小噪聲。



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