單片機(jī)控制的動態(tài)數(shù)據(jù)緩存器的控制電路

　　由于單片機(jī)具有功能強(qiáng)，使用靈活，體積小，性價比高等特點(diǎn)，近年來在測控系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。而在許多場合，單片機(jī)作為下位機(jī)，擔(dān)負(fù)著控制數(shù)據(jù)測量、采集和向上位機(jī)傳送的任務(wù)，也即起著收集、緩沖和存儲數(shù)據(jù)的作用。動態(tài)存儲器DRAM具有容量大，價格低的特點(diǎn)，適合于數(shù)據(jù)量比較大的單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)；但其不足之處在于，必須在規(guī)定的時間范圍內(nèi)進(jìn)行定時刷新。本節(jié)介紹一種單片機(jī)控制的動態(tài)數(shù)據(jù)緩存器，通過合理設(shè)計軟硬件，即可實(shí)現(xiàn)對DRAM的控制，特別適合性價比高的單片機(jī)系統(tǒng)。
　　
　　控制電路
　　
　　為了便于說明，給出單片機(jī)系統(tǒng)的部分組成電路，如圖1所示。單片機(jī)采用51系列的8031，外擴(kuò)16 KB的EPROM，動態(tài)存儲器采用1 MB的微機(jī)內(nèi)存，Jl為其插座及其各引腳信號。1 MB的動態(tài)存儲器行、列地址各用10位，即用10根地址線A0～A9。

　　
　　DRAM的控制電路如圖2所示。其核心為一正沿觸發(fā)雙D觸發(fā)器74LS74，由8031和TO、Tl、PSEN和EN、WR信號控制其工作狀態(tài)。讀／寫數(shù)據(jù)時，TO、Tl置高電平；刷新DRAM時，TO置1，PSEN有效；當(dāng)T0、T1都置0時，行、列選通關(guān)閉，禁止對DRAM讀／寫操作。