第十節(jié)：PIC系列單片機(jī)復(fù)位（RESET）

PIC16C5X內(nèi)藏有上電復(fù)位電路（POR）。在芯片上有一復(fù)位端MCLR，對(duì)于一般的應(yīng)用，只要把MCLR端接在高電位（VDD）即可，因?yàn)閮?nèi)部復(fù)位電路會(huì)在芯片上電時(shí)自動(dòng)復(fù)位，無(wú)需在MCLR端再加上電復(fù)位電路。對(duì)于某些特殊應(yīng)用，則需在MCLR端加上外部上電復(fù)位電路，在§1.10.5我們會(huì)談及這個(gè)問(wèn)題。

§1.10.1　復(fù)位的條件和原因

復(fù)位可由下面事件引發(fā)產(chǎn)生：
a、芯片上電；
b、把芯片MCLR端置低電平；
c、看門(mén)狗（WDT）超時(shí)溢出。

§1.10.2 復(fù)位時(shí)的PIC狀態(tài)

在芯片復(fù)位期間，芯片狀態(tài)為：
a、振蕩器處于起振準(zhǔn)備狀態(tài)；
b、所有I/O口都被置成高阻態(tài)（即輸入態(tài)）；
c、PC值被置為全"1"；
d、OPTION被置為全"1"；
e、WDT和預(yù)分頻器被清零；
f、狀態(tài)寄存器（F3）的程序頁(yè)面位（高三位）被清零。

§1.10.3 振蕩起振計(jì)時(shí)器（OST）

對(duì)于晶體/陶瓷振蕩電路，上電后它們還需要一定的時(shí)間來(lái)起振或產(chǎn)生穩(wěn)定的振蕩信號(hào)，有鑒于此，PIC在其內(nèi)部專(zhuān)門(mén)設(shè)置了一個(gè)"振蕩起振計(jì)時(shí)器"OST（Oscillator Start-up Timer）。OST在MCLR端達(dá)到高電平后才開(kāi)始啟動(dòng)計(jì)時(shí)18ms，使RESET狀態(tài)保持18ms以便讓振蕩電路起振及穩(wěn)定下來(lái)。在一般情況下，我們都將MCLR端直接在VDD（+5V）上即可。這樣上電后一旦MCLR端電平升高到一定程序后OST即開(kāi)始計(jì)數(shù)18ms，這段時(shí)間已足夠讓振蕩起振，OST計(jì)滿(mǎn)18ms后，芯片結(jié)束RESET狀態(tài)，開(kāi)始進(jìn)入程序運(yùn)行。
當(dāng)WDT計(jì)時(shí)溢出后，OST也是馬上啟動(dòng)計(jì)時(shí)18ms，保持18ms的RESET狀態(tài)，然后再進(jìn)行程序運(yùn)行。

§1.10.4　內(nèi)部上電復(fù)位路（POR）

PIC16C5X片內(nèi)上電復(fù)位電路POR（Power On Reset）能使PIC芯片上電后自動(dòng)會(huì)產(chǎn)生復(fù)位，所以一般不需要再在MCLR端加外部復(fù)位電路，只要將其接在VDD上即可。圖1.16是POR的簡(jiǎn)圖。
從圖中我們可以看到，當(dāng)上電（Power On）、或MCLR端變低，都會(huì)置位（set）"復(fù)位鎖存器"，使其輸出復(fù)位電平讓芯片處于RESET狀態(tài)，這時(shí)OST也處于復(fù)位狀態(tài)。當(dāng)OST檢測(cè)到MCLR變?yōu)楦唠娖胶蠹撮_(kāi)始計(jì)時(shí)18ms，計(jì)滿(mǎn)18ms后會(huì)復(fù)位（Reset）"復(fù)位鎖存器"使其Q端輸出高電平，從而使芯片結(jié)束復(fù)位狀態(tài)，進(jìn)入運(yùn)行。

§1.10.5　外部復(fù)位電路 在某些應(yīng)用情況下我們也可能需要外部復(fù)位電路。

一、手動(dòng)復(fù)位開(kāi)關(guān)

　當(dāng)你在應(yīng)用中需要一個(gè)手動(dòng)復(fù)位開(kāi)關(guān)時(shí)，可以使用下面的電路。如圖1.17。

二、低頻振蕩電路

　　當(dāng)使用低頻振蕩（LP）時(shí)，OST的18ms不足以使其建立穩(wěn)定的振蕩，所以也許你需要更長(zhǎng)的RESET 時(shí)間，這時(shí)可以用外部上電復(fù)位電路來(lái)延長(zhǎng)復(fù)位時(shí)間。如圖1.18。

圖1.17 按健復(fù)位電路

注：1.二極管D使電容C能在VDD掉電時(shí)快速放電。
2. R<40KΩ，以保證其兩端的電壓降不大于0.2V（即IMCLR*R<0.2V，IMCLR為 MCLR
端最大輸入電流）。
　 3. R1取100Ω～1KΩ，用來(lái)限制在靜電環(huán)境，電容C充放電時(shí)的沖擊電流。
使用了外部加電復(fù)位電路，其復(fù)位過(guò)程即如圖1.19所示：

VDD上升到穩(wěn)定值一段時(shí)間后MCLR才上升到高電平。而OST只有檢測(cè)到MCLR升為高電平后才開(kāi)始計(jì)時(shí)18ms，所以就可取得長(zhǎng)于18ms的復(fù)位時(shí)間了。

§1.10.6　復(fù)位后對(duì)寄存器值的影響

對(duì)于通用寄存器來(lái)說(shuō)，芯片上電復(fù)位后它們的值是隨機(jī)不定的，而其他類(lèi)型的復(fù)位則保持原值不變。
對(duì)于特殊功能寄存器，各種復(fù)位后它們會(huì)等于一個(gè)固定的復(fù)位值，見(jiàn)以下二表：