PIC之內部E2PROM的讀寫操作

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//EEPROM字節(jié)寫程序
//功能: 寫一個字節(jié)到內部EEPROM
//入口: EEADR =地址
// EEDATA =數據
//--------------------------------------------------------
void write_eeprom ( void )
{
// while ( WR ) //等待上一次寫操作結束
// {
// asm ("clrwdt"); //喂狗
// }
EEPGD = 0 ; //設置訪問目標為EEPROM
WREN = 1 ; //允許進行寫操作
GIE = 0 ; //禁止中斷
EECON2 = 0x55 ;
EECON2 = 0xAA ;
WR = 1 ; //啟動一次寫操作
GIE = 1 ; //使能中斷
WREN = 0 ; //關閉寫操作
}

//--------------------------------------------------------
//EEPROM字節(jié)讀程序
//功能: 從內部EEPROM讀一個字節(jié)
//入口: EEADR =地址
//出口: EEDATA =數據
//--------------------------------------------------------
void read_eeprom( void )
{
EEPGD = 0 ; //設置訪問目標為EEPROM
RD = 1 ; //啟動一次讀操作
}

//--------------------------------------------------------
//FLASH字節(jié)寫程序
//功能: 寫一個字節(jié)到內部FLASH
//入口: EEADRH,EEADR =地址
// EEDATH,EEDATA =數據
//--------------------------------------------------------
void write_flash ( void )
{
EEPGD = 1 ; //設置訪問目標為FLASH
WREN = 1 ; //允許進行寫操作
GIE = 0 ; //禁止中斷
EECON2 = 0x55 ;
EECON2 = 0xAA ;
WR = 1 ; //啟動一次寫操作
asm ("nop") ;
asm ("nop") ;
GIE = 1 ; //使能中斷
WREN = 0 ; //關閉寫操作
}

//--------------------------------------------------------
//FLASH字節(jié)讀程序
//功能: 從內部FLASH讀一個字節(jié)
//入口: EEADRH,EEADR =地址
//出口: EEDATH,EEDATA =數據
//--------------------------------------------------------
void read_flash( void )
{
EEPGD = 1 ; //設置訪問目標為FLASH
RD = 1 ; //啟動一次讀操作
asm ("nop") ;
asm ("nop") ;

}

這是網上找來的程序：

用我寫的這個吧void WriteEE(unsigned char addr,unsigned char data) //寫EEPROM
{
do{;}
while(WR==1); //上一次寫操作是否完成
EEADR=addr; //EEPROM地址
EEDATA=data; //準備寫入EEPROM的數據
EEPGD=0; //指向EEPROM數據儲存器
WREN=1; //使能寫操作
EECON2=0x55; //設置通用參數
EECON2=0xAA; //設置通用參數
WR=1; //開始寫
do{;}
while(WR==1); //等待寫操作完成
WREN=0; //禁止寫操作
}
//
unsigned char ReadEE(unsigned char addr) //讀EEPROM
{
unsigned char num;
do{;}
while(RD==1); //上一次讀操作是否完成
EEADR=addr; //EEPROM地址為00H
EEPGD=0; //指向EEPROM數據儲存器
RD=1; //開始讀
do{;}
while(RD==1); //等待讀操作完成
num=EEDATA; //讀出
return(num); //返回讀出的數
}

說明：兩個程序基本步驟是一致的。個中的差別是：

1、網上找來的這個程序中更嚴密，其中增加了對WR和RD標志位的判別，缺點是實時性較差。

2、而匠人的程序中沒有這個對WR和RD標志位的判別。那是因為匠人將該判別的動作放在了上級程序中。也就是說，匠人在調用write_eeprom 函數之前，會先行判斷WR。確信上次寫操作已經結束后，才去調用新一次的寫操作。這樣做的目的是為了系統(tǒng)的實時性。

其實，事后匠人才發(fā)現自己寫EEPROM讀寫程序，這樣做是沒有太大的必要的。因為在PICC系統(tǒng)自帶“PIC.H”文件中，已經內嵌了這兩個函數。倒塌！

以下是“ PIC.H”文件中的內容：

/***********************************************************************/
/****** EEPROM memory read/write macros and function definitions *******/
/***********************************************************************/
/* NOTE WELL:

The macro EEPROM_READ() is NOT safe to use immediately after any
write to EEPROM, as it does NOT wait for WR to clear. This is by
design, to allow minimal code size if a sequence of reads is
desired. To guarantee uncorrupted writes, use the function
eeprom_read() or insert
while(WR)continue;
before calling EEPROM_READ().
*/
#if EEPROM_SIZE > 0
#ifdef __FLASHTYPE
// macro versions of EEPROM write and read
#define EEPROM_WRITE(addr, value)
do{
while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value);
EECON1&=0x7F;CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0;
WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0;
if(CARRY)GIE=1;
}while(0)
#define EEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(EECON1&=0x7F),(RD=1),EEDATA)
#else // else doesn't write flash
#define EEPROM_WRITE(addr, value)
do{
while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value);
CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0;
WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0;
if(CARRY)GIE=1;
}while(0)
#define EEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(RD=1),EEDATA)
#endif

/* library function versions */
extern void eeprom_write(unsigned char addr, unsigned char value);
extern unsigned char eeprom_read(unsigned char addr);
#endif // end EEPROM routines