STM32F0（10）片內(nèi) FLASH 操作

void Flash_Init(void)

{

// 調(diào)整flash與時鐘速率之間的關(guān)系

FLASH->ACR |= FLASH_ACR_LATENCY;

}

void Flash_Unlock(void)

{

// FLASH->CR 的第7位為解鎖的標(biāo)志位或者上鎖的操作位

while(FLASH->CR & FLASH_CR_LOCK)

{

FLASH->KEYR = FLASH_FKEY1;

FLASH->KEYR = FLASH_FKEY2;

}

}

void Flash_Lock(void)

{

FLASH->CR |= FLASH_CR_LOCK;

}

void Flash_Clear_All_Flag(void)

{

unsigned long flag_temp;

flag_temp = FLASH->SR;

FLASH->SR = flag_temp & 0x34;

}

// 因為flash是從0x08000000開始的，總共64k，每1k就是1頁

// which_page_temp -- 你所清空頁包含的地址（該地址在哪一頁的范圍就清空哪一頁）

void Flash_Earse_Page(unsigned long which_page_temp)

{

FLASH->CR |= FLASH_CR_PER;

FLASH->AR = which_page_temp;

FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT;

while(FLASH->SR & FLASH_SR_BSY); // 等待BSY清零

FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PER;

}

// 因為flash是從0x08000000開始的，總共64k，每1k就是1頁

// 我們直接將最后一頁當(dāng)做一個儲存空間，即儲存的首地址為 (0x08000000 + 1024 * 63)

// 所以 write_dat_temp 的范圍 0 -- （1024 / 4 - 1）

// Flash數(shù)據(jù)長度必須是半字節(jié)，其它長度會引起中斷

// 為了配合讀取的時候是整個一個字，寫入的時候也寫入一個字

void Flash_Write_Dat(unsigned long write_num_temp,unsigned long write_dat_temp)

{

Flash_Clear_All_Flag();

Flash_Unlock();

Flash_Earse_Page(0x08000000 + 1024 * 63);

FLASH->CR |= FLASH_CR_PG;

*(__IO uint16_t*)(0x08000000 + 1024 * 63 + write_num_temp * 4 + 0) = (write_dat_temp & 0xffff);

*(__IO uint16_t*)(0x08000000 + 1024 * 63 + write_num_temp * 4 + 2) = ((write_dat_temp & 0xffff0000) >> 16);

while(FLASH->SR & FLASH_SR_BSY); // 等待BSY清零

FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PG;

Flash_Lock();

}

// 因為flash是從0x08000000開始的，總共64k，每1k就是1頁

// 我們直接將最后一頁當(dāng)做一個儲存空間，即儲存的首地址為 (0x08000000 + 1024 * 63)

// 所以 read_num_temp 的范圍 0 -- （1024 / 4 - 1）

// 讀取一個地址的時候，讀取的是一個字，4個字節(jié),所以一次需要跳過四個字節(jié)

unsigned long Flash_Read(unsigned long read_num_temp)

{

unsigned long read_dat_temp;

read_dat_temp = *(__IO uint32_t *)(0x08000000 + 1024 * 63 + read_num_temp * 4);

while(FLASH->SR & FLASH_SR_BSY); // 等待BSY清零

return read_dat_temp;

}