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[導(dǎo)讀]1、單片機內(nèi)部資源STC89C52:8KFLASH、512字節(jié)RAM、32個IO口、3個定時器、1個UART、8個中斷源(1)Flash(硬盤)——程序存儲空間 —— 擦寫10萬次,斷電數(shù)據(jù)不丟失,讀寫速度慢(2)RAM(內(nèi)存)——數(shù)據(jù)存儲空間 —

1、單片機內(nèi)部資源

STC89C52:8KFLASH、512字節(jié)RAM、32個IO口、3個定時器、1個UART、8個中斷源

(1)Flash(硬盤)——程序存儲空間 —— 擦寫10萬次,斷電數(shù)據(jù)不丟失,讀寫速度慢

(2)RAM(內(nèi)存)——數(shù)據(jù)存儲空間 —— 斷電數(shù)據(jù)丟失,讀寫速度快,無限次使用

(3)SFR —— 特殊功能寄存器

2、單片機最小系統(tǒng)



最小系統(tǒng):最少組件組成單片機可以工作的系統(tǒng)。

三要素:

(1)、 電源電路:5V

(2)、 晶振電路:11.0592MHZ、兩個30PF

(3)、 復(fù)位電路:

P0:開漏輸出,必須加上拉電阻

準雙向口:

強推挽輸出:電流驅(qū)動能力強

高阻態(tài)

上下拉電阻:上拉電路就是將不確定的信號通過一個電阻拉到高電平,同時限流作用。下拉電阻就是下拉到低電平。

上下拉電阻選?。簭慕档凸姆矫婵紤]應(yīng)該足夠大,因為電阻越大,電流越??;驅(qū)動能力來看,小電阻

3、硬件基礎(chǔ)知識

(1)、電磁干擾(EMI)——靜電放電(ESD)、快速瞬間脈沖群(EFT)、浪涌(Surge)

(2)、去耦電容的使用

低頻濾波電容,平常應(yīng)用最多的事鉭電容,電解電容,陶瓷電容,起到去除電源低頻紋波,穩(wěn)定電源的作用。

高頻濾波電容,電容附近,通常用104電容來進行去除高頻干擾。

(3)、三極管(PNP,NPN) b,c,e --- 電壓驅(qū)動

控制應(yīng)用

驅(qū)動應(yīng)用

4、LED發(fā)光二極管——電流驅(qū)動



通常紅色貼片LED, 靠電流驅(qū)動,電壓1.8V~2.2V,電流1~20mA,在1~5mA亮度有所變化,5mA以上亮度基本不變。

VCC 電壓是 5V,發(fā)光二極管自
身壓降大概是 2V,那么在右邊 R34 這個電阻上承受的電壓就是 3V。

R = U/I —— 1~20mA —— R:150~3K

5、C語言基礎(chǔ)

(1)、基本運算符

+ - * / % ++ -- = == != += -= << >> && "| ! & | ~ ^

(2)、循環(huán)(c語言以;表示一條語句)

for/while/do...while

for(表達式1;表達式2;表達式3)

{

語句;//可以為空

}

while(表達式)//表達式為真,執(zhí)行語句

{

語句;//可以為空

}

do

{

語句;//可以為空

}while(表達式);

(3)、函數(shù) (模塊化的思想)

類型 函數(shù)名(參數(shù)類型 參數(shù))

{

函數(shù)體;

}

(4)、數(shù)組

<1>、具有相同數(shù)據(jù)類型

<2>、具有相同的類型

<3>、在存儲器中連續(xù)存儲

(5)、51單片機常用延時辦法——循環(huán)、定時器

(P0 = ~(1 << i++);)

5、流水燈

給IO口一個低電平即可點亮LED燈。

注:單片機對外設(shè)的操作其實就是對IO口電平的控制。



#include//包含特殊功能寄存器定義的頭文件

typedefunsignedintuint;

typedefunsignedcharuchar;

intmain(void)

{

uinti=0;//定義循環(huán)變量i,用于軟件延時

ucharj=0;//定義計數(shù)變量j,用于移位控制

while(1)//主循環(huán),程序無限循環(huán)執(zhí)行該循環(huán)體語句

{

P0=~(1<

for(i=0;i<20000;++i);//軟件延時

if(j>=8)//移位計數(shù)超過7后,再重新從0開始

{

j=0;

}

}

return0;

}



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